一种单晶硅片的制作方法

本实用新型涉及光伏领域技术领域，具体涉及一种单晶硅片。

背景技术：

煤炭、石油等能源属于不可再生能源，且在使用过程中会对环境造成极大的污染，所以我们需找到可代替的清洁能源，利用太阳能发电板实现光能向电能的转换属于现在常见的一种方式，太阳能发电板通常采用单晶硅片制成，光能转换率高，现有的单晶硅片通常呈平面状，发电功率与铺设的太阳能发电板的面积有关，由于单晶硅片的生产成本高，仅仅通过扩大太阳能发电板的面积来提高发电功率不仅浪费资源多，还提高了生产成本。

技术实现要素：

针对上述问题，本实用新型提供一种增大了感光面积、可吸收多种角度的光线射入的单晶硅片。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：

一种单晶硅片，包括片体和设置在所述片体上的若干根相互平行的栅线、两对引流线，所述片体的吸光面上设有若干个相互平行的V形槽，所述V形槽位于相邻的两根栅线之间，且位于一对引流线之间。

进一步地，所述V形槽的两侧壁采用一弧形底过渡连接。

更进一步地，所述V形槽的角度α为110°～165°。

更进一步地，所述V形槽的角度α为135°。

更进一步地，所述V形槽的侧壁上设有若干个相互平行的弧形槽，且所述弧形槽的下端延伸到所述弧形底上。

更进一步地，所述弧形槽的断面的弧形半径沿所述弧形槽的延伸方向逐渐增大，且位于所述V形槽的开口边缘端的弧形半径最大。

更进一步地，相邻的弧形槽之间的间距为25mm～35mm；所述弧形槽的断面的弦长为20mm～40mm。

从上述的技术方案可以看出，本实用新型的优点是：增大了感光面积、可吸收多种角度的光线射入。

除了上面所描述的目的、特征和优点之外，本实用新型还有其它的目的、特征和优点。下面将参照图，对本实用新型作进一步详细的说明。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。在附图中：

图1是本实用新型的俯视图。

图2是图1的A-A剖视图。

图中标记为：片体1、吸光面11、背光面12、V形槽13、弧形底131、弧形槽14、通道15、栅线2、引流线3。

具体实施方式

下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例一

参考图1至图2所示的一种单晶硅片，包括片体1、若干根相互平行的栅线2和两对引流线3，所述栅线2位于所述片体1的吸光面11上，所述片体1的吸光面11、背光面12各设有一对引流线3，所述引流线3贯穿所有栅线2，所述片体1的吸光面11上还设有若干个相互平行的V形槽13，所述V形槽13位于相邻的两根栅线2之间，且位于一对引流线3之间，并且与所述栅线2平行，该单晶硅片倾斜使用时所述栅线2始终与地面平行，其中，所述片体1内均匀掺杂分布有镓，镓的位错密度小于1800pcs/cm²，降低了光衰。

所述V形槽13的两侧壁采用一弧形底131过渡连接，所述V形槽13的角度α为110°～165°，可吸收多种角度射入的光线。

优选地，所述V形槽13的角度α为135°。

所述V形槽13的侧壁上设有若干个相互平行的弧形槽14，且所述弧形槽14的下端延伸到所述弧形底131上，所述弧形槽14的断面的弧形半径沿所述弧形槽14的延伸方向逐渐增大，且位于所述V形槽13的开口边缘端的弧形半径最大，其中，相邻的弧形槽14之间的间距为25mm～35mm；所述弧形槽14的断面的弦长为20mm～40mm。

优选地，相邻的弧形槽14之间的间距为30mm；所述弧形槽14的断面的弦长为25mm。

采用上述结构，所述V形槽13和所述弧形槽14的设置增大了单位面积上的吸光面积，如果保持吸光面积不变，即可缩小所述片体1的尺寸，由于单晶硅片的厚度小，缩小片体1的面积可以提高单晶硅片的强度，使用过程中不易被折损。

实施例二

参考图1至图2所示的一种单晶硅片，包括片体1、若干根相互平行的栅线2和两对引流线3，所述栅线2位于所述片体1的吸光面11上，所述片体1的吸光面11、背光面12各设有一对引流线3，所述引流线3贯穿所有栅线2，所述片体1的吸光面11上还设有若干个相互平行的V形槽13，所述V形槽13位于相邻的两根栅线2之间，且位于一对引流线3之间，并且与所述栅线2平行，该单晶硅片倾斜使用时所述栅线2始终与地面平行，其中，所述片体1内均匀掺杂分布有镓，镓的位错密度小于1900pcs/cm²，降低了光衰。

所述V形槽13的两侧壁采用一弧形底131过渡连接，所述V形槽13的角度α为110°～165°，可吸收多种角度射入的光线。

优选地，所述V形槽13的角度α为150°。

所述V形槽13的侧壁上设有若干个相互平行的弧形槽14，且所述弧形槽14的下端延伸到所述弧形底131上，所述弧形槽14的断面的弧形半径沿所述弧形槽14的延伸方向逐渐增大，且位于所述V形槽13的开口边缘端的弧形半径最大，其中，相邻的弧形槽14之间的间距为25mm～35mm；所述弧形槽14的断面的弦长为20mm～40mm。

优选地，相邻的弧形槽14之间的间距为28mm；所述弧形槽14的断面的弦长为30mm。

采用上述结构，所述V形槽13和所述弧形槽14的设置增大了单位面积上的吸光面积，如果保持吸光面积不变，即可缩小所述片体1的尺寸，由于单晶硅片的厚度小，缩小片体1的面积可以提高单晶硅片的强度，使用过程中不易被折损。

以上仅为本实用新型的优选实施例而已，并不用于限制本实用新型，对于本领域的技术人员来说，本实用新型可以有各种更改和变化。凡在本实用新型的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本实用新型的保护范围之内。