基板处理装置的制作方法

本实用新型涉及基板处理装置，更详细而言，涉及一种能够准确感测用于约束基板的脱离的卡环的磨损量的基板处理装置。

背景技术：

半导体元件由微细的电路线以高密度集成而制造，因此，在晶片表面进行与此相应的精密研磨。为了更精密地进行晶片的研磨，如图1及图2所示，实施同时进行机械式研磨和化学式研磨的化学机械式研磨工序(CMP工序)。

即，在研磨台10的上面，对晶片W加压并相接的研磨垫11安装得与研磨台10一同旋转11d，为了化学式研磨，一面通过供应单元30的浆料供应口 32供应浆料，一面对晶片W进行基于摩擦的机械式研磨。此时，晶片W在借助于承载头20而确定的位置进行旋转20d，进行使之精密地平坦化的研磨工序。

调节器40在向以附图标记40d表示的方向旋转的同时，其臂41向以41d 表示的方向进行回旋运动，借助于所述调节器40，涂布于研磨垫11表面的浆料可以在研磨垫11上均匀展开并流入到晶片W，研磨垫11可以借助于调节器40的机械式修整工序而保持既定的研磨面。

如图3所示，承载头1包括：主体110；与主体110一同旋转的底座120；卡环130，其以环绕底座120的环形态，能上下移动地安装，与底座120一同旋转；弹性材质的隔膜140，其固定于底座120，在与底座120之间的空间形成压力腔C1、C2、C3、C4、C5；压力控制部150，其在通过空气压力供应通道155对压力腔C1、C2、C3、C4、C5供应或排出空气的同时调节压力。

弹性材质的隔膜140在对晶片W加压的平坦底板141的边缘末端折弯形成有侧面142。隔膜140的中央部末端140a固定于底座120，形成直接吸入晶片W的吸入孔77。在隔膜140的中央部，也可以不形成吸入孔，而是以对晶片W加压的面形成。在从隔膜140的中心至侧面142之间，形成有多个固定于底座120的环形态的隔壁143，以隔壁143为基准，多个压力腔C1、C2、 C3、C4、C5以同心圆形态排列。

因此，在化学机械式研磨工序中，借助于从压力调节部195施加的空气压力，压力腔C1、C2、C3、C4、C5在膨胀的同时，通过隔膜底板141对晶片W的板面加压。

与此同时，与主体110及底座120一同旋转的卡环130的底面130s也对研磨垫11加压并旋转，从而防止被卡环130环绕的晶片W脱离到承载头1 之外。

另一方面，在研磨工序中，由于卡环130也接触研磨垫11，因而发生卡环130的磨损。

可是，如果卡环130的磨损量增大到一定程度以上，则卡环130接触托架的接触高度发生变化，存在当装载及卸载晶片时发生工序错误的问题，在研磨工序中，存在晶片W从承载头1脱离的问题。

特别是在晶片W的研磨工序中，晶片在自转的同时进行公转，并进行高速旋转，如果卡环130的磨损进行既定程度以上，则在研磨垫与卡环130之间形成间隙，或卡环130难以以充分的加压力接触研磨垫，存在因高速旋转时发生的离心力而发生晶片W从承载头20脱离的晶片脱离现象，即，发生滑落(slip-out)现象的问题，且随着脱离的晶片W与周边装备碰撞，存在晶片及周边装备破损的问题。

为此，最近正在进行旨在因卡环磨损而发生晶片脱离及工序错误之前适时更换卡环的多种探讨，但还远远不够，要求对此的开发。

技术实现要素：

所要解决的技术问题

本实用新型目的在于，提供一种能够准确感测用于约束基板脱离的卡环的磨损量的基板处理装置。

特别是本实用新型目的在于，能够事先感测、预防因卡环磨损而导致的晶片脱离及工序错误。

另外，本实用新型目的在于，能够准确感测卡环的磨损状态，容易地进行更换周期管理。

另外，本实用新型目的在于，能够提高工序效率及生产率。

另外，本实用新型目的在于，能够提高稳定性及可靠性。

技术方案

根据所述旨在达成本实用新型目的的本实用新型的优选实施例，基板处理装置包括：承载头，其具备用于约束基板的侧面的卡环；托架，其用于放置基板；测量部，其安装于托架，测量从托架至卡环的距离变化；磨损量感测部，其基于测量部测量的距离变化，感测卡环的磨损量。

这是为了准确感测卡环的磨损量，事先预防因卡环过多磨损而导致的基板脱离及工序错误。

特别是本实用新型借助于测量从托架至卡环的距离变化，可以准确感测卡环的磨损量，从而可以获得在因卡环磨损而导致的基板脱离及工序错误发生之前适时更换卡环的有利效果。

即，以往由于无法获知卡环的磨损程度，因而存在难以事先预防因卡环过度磨损而导致的在装载及卸载时的工序错误和研磨工序中的基板脱离现象的问题。但是，在本实用新型中，借助于测量从托架至卡环的距离变化，可以准确感测卡环的磨损量，从而可以获得事先预防因卡环过度磨损而导致的在载入及卸载时的工序错误和研磨工序中的基板脱离现象的有利效果。

另外，测量部以从卡环的底面隔开的方式安装于托架。

托架以能够放置基板的多种结构提供，托架的结构及特性可以根据要求的条件及设计样式而多样地变更。例如，托架中用于放置基板的基板放置面和用于放置卡环的卡环放置面可以一体形成，或以分离的形态提供。

作为一个示例，托架包括：基板放置部，其用于放置基板；卡环放置部，其配置于基板放置部的外周，用于放置卡环。此时，卡环放置部可以以沿着卡环的圆周方向隔开地分离的形态提供，或沿着卡环的圆周方向，以连续的环形态提供。

另外，卡环放置部配置在高于基板放置部的位置。

另外，托架可以包括弹性支撑部，所述弹性支撑部以相对于所述基板放置部，能沿上下方向弹性移动的方式支撑所述卡环放置部。如上所述，通过使卡环放置部被弹性支撑部所弹性支撑，当卡环接触卡环放置部时，卡环放置部可以相对于基板放置部进行弹性移动，因而可以获得使卡环与卡环放置部因接触而导致的冲击力衰减的有利效果。

作为另一示例，托架包括：托置板，其从基板的底面隔开地配置；边缘放置部，其配置于托置板的上面，支撑基板的底面边缘；弹性支撑部，其相对于托置板能上下移动地弹性支撑边缘放置部。

配置测量部，以测量从托架至卡环的距离变化，根据要求的条件及设计样式，可以安装于基板放置部，或安装于卡环放置部。

作为一个示例，测量部安装于基板放置部。更具体而言，在卡环放置部形成有感测孔，测量部以配置于配置感测孔的下部的方式安装于基板放置部，通过感测孔，测量至卡环的距离。

作为另一示例，测量部安装于卡环放置部。更具体而言，在卡环放置部的上面形成有容纳槽，测量部安装于所述容纳槽的内部。

作为测量部，可以使用能够测量从托架至卡环的距离变化的多种测量装置。优选地，作为测量部，使用以非接触式感测从托架至卡环的距离变化的非接触式测量装置。作为一个示例，作为测量部，使用近距离传感器或位移传感器。

优选地，在承载头相对于托架配置于预先设置的基准高度的状态下，测量部测量从托架至卡环的距离变化。

即，借助于测量部的距离测量可以每当在处理互不相同的基板时反复进行。可是，根据互不相同的基板的处理顺序，在进行基于测量部的距离测量期间，承载头相对于托架的基准高度如果每次不同，则存在难以准确测量从测量部至卡环的距离变化的问题。例如，完成对从测量部至卡环距离的第1 次测量后，在经过对其他基板的研磨阶段之后实施第2次测量时，追加发生卡环的磨损，尽管至卡环的距离增加“A”，但如果以承载头相对于托架的基准高度降低“A”的状态(比第1次测量时降低“A”的状态)进行第2次测量，那么存在使测量部测量的结果与之前测量的结果(第1次测量结果)变得相同的问题。但是，在本实用新型中，借助于在每次测量时使承载头相对于托架的基准高度始终一定，可以获得提高借助于测量部的测量准确度的有利效果。

另外，当在卡环在承载头上移动至最上端高度的状态下，测量部测量从托架至卡环的距离变化。

如上所述，借助于在卡环在承载头上移动至最上端高度的状态下测量从托架至卡环的距离变化，可以获得进一步提高借助于测量部的测量准确度的有利效果。

即，在承载头配置于空中的状态(从托架隔开的状态)下，卡环配置成因自重而向下方下垂的状态，此时，卡环的下垂量会因卡环的磨损程度(自重差异)而异。可是，在按照互不相同的基板的处理顺序，进行借助于测量部的距离测量期间，如果卡环的下垂量每次不同，则承载头相对于托架的基准高度也每次不同，因此，存在难以准确测量从测量部至卡环的距离变化的问题。但是，在本实用新型中，当卡环在承载头上移动到最上端高度的状态 (没有卡环的下垂的状态)下，测量部进行距离测量，可以每次测量时，始终一定地保持承载头相对于托架的基准高度，因而可以获得提高借助于测量部的测量准确度的有利效果。

而且，可以沿着托架的圆周方向隔开地配备有多个测量部。如上所述，借助于利用多个测量部来感测卡环的磨损，可以获得提高感测准确度及可靠性的有利效果。

另外，基板处理装置可以包括平坦度感测部，所述平坦度感测部基于多个测量部感测的结果，感测卡环的平坦度。如上所述，借助于在测量卡环磨损量的同时一同感测卡环的平坦度(磨损偏差)，可以更准确地感测卡环的磨损状态，容易地进行更换周期管理。进一步地，借助于平坦度感测部的平坦度感测可以基于为了感测卡环磨损量而预先配备的测量部所测量的信号进行感测，因而不需要追加配备用于平坦度感测的传感器等，因而可以获得简化结构及处理过程的有利效果。

另外，基板处理装置包括控制部，所述控制部基于磨损量感测部感测的卡环的磨损量，进行基板的研磨。

更具体而言，控制部构成为，如果磨损量感测部感测的卡环的磨损量在允许范围以内，则正常进行基板的处理工序，如果卡环的磨损量超出允许范围，则中断基板的处理工序。

如上所述，当卡环的磨损量增大到一定程度以上时，控制部中断基板的处理工序，从而可以获得事先预防因卡环的过多磨损而导致的装载及卸载时的工序错误、研磨工序中的基板脱离现象的有利效果。

另外，基板处理装置包括警报发生部，当感测到磨损量感测部所感测的卡环的磨损量超过预先确定的设置范围时，警报发生部发出警报信号。

实用新型效果

综上所述，根据本实用新型，可以获得准确感测用于约束基板脱离的卡环的磨损量、事先防止因卡环过度磨损而导致的基板脱离及工序错误的有利效果。

特别是根据本实用新型，本实用新型借助于测量从托架至卡环的距离变化，可以准确感测卡环的磨损量，从而可以获得在发生因卡环磨损而导致的基板脱离及工序错误之前，适时更换卡环的有利效果。

另外，根据本实用新型，在承载头相对于托架而配置于预先设置的基准高度的状态下测量从托架至卡环的距离变化，借助于此，每次测量时，承载头相对于托架的基准高度可以始终保持既定，因而可以获得提高借助于测量部的测量准确度的有利效果。

另外，根据本实用新型，当卡环在承载头上移动到最上端高度的状态(没有卡环下垂的状态)下，测量部进行距离测量，借助于此，每次测量时，可以始终一定地保持承载头相对于托架的基准高度，因而可以获得提高借助于测量部的测量准确度的有利效果。

另外，根据本实用新型，借助于在测量卡环的磨损量的同时一同感测卡环的平坦度(磨损偏差)，从而可以获得更准确地感测卡环的磨损状态、容易地进行更换周期管理的有利效果。

另外，根据本实用新型，可以获得提高工序效率及生产率的有利效果。

另外，根据本实用新型，可以获得提高稳定性及可靠性的有利效果。

附图说明

图1是图示以往化学机械式研磨装置的俯视图。

图2是图示以往化学机械式研磨装置的侧视图。

图3是图示以往承载头的剖面图。

图4及图5是用于说明本实用新型第一实施例的基板处理装置的图。

图6及图7是用于说明本实用新型第二实施例的基板处理装置的图。

图8～图10是用于说明本实用新型第三实施例的基板处理装置的图。

图11及图12是用于说明本实用新型第四实施例的基板处理装置的图。

附图标记

10：基板 100：承载头

200：托架 210：托置板

210'：基板放置部 212：感测孔

210"：托置板 230"：边缘放置部

230'：卡环放置部 240：弹性支撑部

300：测量部 400：磨损量感测部

500：控制部 600：平坦度感测部

700：警报发生部

具体实施方式

下面参照附图，详细说明本实用新型的优选实施例，但并非本实用新型由实施例限制或限定。作为参考，在本说明中，相同的标记指称实质上相同的要素，在这种规则下，可以引用在不同附图中记载的内容进行说明，可以省略判断认为本领域技术人员不言而喻的或重复的内容。

图4及图5是用于说明本实用新型第一实施例的基板处理装置的图。

参照图4及图5，本实用新型第一实施例的基板处理装置包括：承载头 100，其具备用于约束基板10的侧面的卡环193；托架200，其用于放置基板 10；测量部300，其安装于托架200，测量从托架200至卡环193距离的变化；磨损量感测部400，其基于测量部300测量的距离变化，感测卡环193的磨损量。

本实用新型的基板处理装置可以使将要进行研磨的基板10装载于承载头 100，或使完成研磨的基板10卸载到托架200。下面对本实用新型的基板处理装置用于使将进行研磨的基板10装载于承载头100的示例进行说明。

在装载基板10时，在承载头100的下部，托架200向上方移动，因此，承载头100的卡环193可以先接触托架200的上面，如果托架200的上面与承载头的隔膜192之间间隔接近既定程度以上，那么，借助于承载头100的吸入压(隔膜的表面张力)，基板10可以装载于承载头100。

承载头100从托架200装载基板10后，在浆料供应到在研磨台(图中未示出)上提供的研磨垫(图中未示出)上面的状态下，对基板10进行加压，以便执行化学机械式研磨工序；在利用研磨垫及浆料的化学机械式研磨工序结束后，基板10移送到清洗装置。

作为参考，在本实用新型中，所谓基板10，可以理解为可在研磨垫上研磨的研磨对象物，本实用新型并不因基板10的种类及特性而受到限制或限定。作为一个示例，可以使用作为基板10的晶片。

承载头100可以根据要求的条件及设计样式而以多样的结构提供。作为一个示例，承载头100包括：主体部191，其能旋转；隔膜192，其在主体部 191的底面；卡环193，其以配置于隔膜192外周的方式结合于主体部191的边缘部，防止基板10脱离。

隔膜192可以根据要求的条件及设计样式而以多样的结构提供。作为一个示例，在隔膜192上可以形成有多个翻板(例如，环形态的翻板)，借助于多个翻板，在主体部191与隔膜192之间，可以提供沿主体部192的半径方向划分的多个压力腔192C。

在各压力腔192C，可以分别提供有用于测量压力的压力传感器。各压力腔192C的压力可以根据压力调节部195的控制而个别地调节，可以调节各压力腔192C的压力，以个别调节基板10被加压的压力。另外，在卡环193的上部还可以提供卡环压力腔193C，可以调节卡环压力腔193C的压力，以调节卡环193被加压的压力。

在承载头100的中心部，可以形成有借助于隔膜192的开口而贯通形成的中心部压力腔195X。中心部压力腔195X直接与基板10连通，因吸入压进行作用，使基板10贴紧承载头100的隔膜192，从而可以装载基板10。根据情况，也可以不施加吸入压，仅凭借隔膜的表面张力便可装载基板。

托架200能沿着上下方向升降，在托架200的上面，放置有用于装载的基板10。

作为参考，在装载基板10时，在承载头100的下部，托架200向上方移动，因此，承载头100的卡环193可以先接触托架200的上面，如果托架200 的上面与隔膜192之间间隔接近至一定范围内，则借助于承载头100的吸入压，基板10可以载入承载头100。

托架200可以以可供基板10放置的多种结构提供，托架200的结构及特性可以根据要求的条件及设计样式而多样地变更。例如，托架200中用于放置基板10的基板放置面和用于放置卡环193的卡环放置面可以一体形成，或以分离的形态提供。

作为一个示例，参照图4及图5，托架200包括由用于放置基板10的基板放置面和用于放置卡环193的卡环放置面一体形成的托置板210。此时，卡环放置面可以形成得具有低于基板放置面的高度。更具体而言，在托置板210 的上面中央部配备的基板放置面，可以放置基板10，卡环193可以接触于在托架200的上面边缘部配备的卡环放置面。

而且，托架200可以借助于诸如通常的电动机的驱动部(MH)而升降，托架200的升降结构可以根据要求的条件及设计样式而多样地变更。

测量部300安装于托架200，以测量从托架200至卡环193的距离变化。

其中，所谓测量部300测量从托架200至卡环193的距离变化，定义为测量从测量部300安装地点至卡环193的底面的距离。

作为测量部300，可以使用可测量从托架200至卡环193的距离变化的多种测量装置。优选地，作为测量部300，使用以非接触式感测从托架200至卡环193的距离变化的非接触式测量装置。作为一个示例，作为测量部300，使用近距离传感器或位移传感器。根据情况，也可以利用接触式传感器或其他不同的传感器，测量从托架至卡环的距离变化。

更具体而言，测量部300以从卡环193的底面隔开的方式安装于托架200。作为一个示例，在托置板210贯通形成有感测孔212，测量部300配置于感测孔212的下部，通过感测孔212，测量至卡环193的距离。

此时，测量部300可以以配置于感测孔212的下部的方式安装于托置板 210的底面。根据情况，也可以是测量部从托置板的底面隔开地安装。

磨损量感测部400基于测量部300测量的距离变化(从托架200至卡环的距离变化)，感测卡环193的磨损量。

参照图5，卡环193的磨损量与研磨工序反复的次数成比例增加，如果知道从托架200至卡环193的距离，则可知卡环193的磨损量。

更具体而言，如果测量部300测量的至卡环193的距离如L1、L2、L3 逐渐增加(L1〈L2〈L3)，则可以感测为卡环193的磨损量增加。此时，测量部300测量的不同距离变化下的卡环193磨损量可以预先存储于查找表(Lookup Table)，磨损量感测部400可以利用查找表中预先存储的信息，快速感测至卡环193的不同距离变化的磨损量。

优选地，参照图5，测量部300在承载头100相对于托架200配置于预先设置的基准高度SH的状态下，测量从托架200至卡环193的距离变化。

其中，所谓在承载头100相对于托架200配置于预先设置的基准高度SH 的状态下，测量从托架200至卡环193的距离变化，定义为在承载头100相对于托架200配置于始终相同的高度范围的状态下，每次进行借助于测量部 300的距离测量。

即，借助于测量部300的距离测量，每当处理互不相同的基板10时可以反复进行。可是，在根据互不相同的基板10的处理顺序，进行借助于测量部 300的距离测量期间，如果承载头100相对于托架200的基准高度SH每次不同，则存在难以准确测量从测量部300至卡环193的距离变化的问题。例如，对从测量部300至卡环193距离的第1次测量完成后，在经过对其他基板10 的研磨阶段后进行第2次测量时，追加发生卡环193的磨损，尽管至卡环193 的距离增加“A”，但如果以处于承载头100相对于托架200的基准高度降低“A”的状态(比第1次测量时降低“A”的状态)，进行第2次测量，那么存在使测量部300测量的结果与之前测量的结果(第1次测量结果)相同的问题。但是，在本实用新型中，借助于在每次测量时使承载头100相对于托架200的基准高度SH始终既定，可以获得提高借助于测量部300的测量准确度的有利效果。

另外，参照图4，测量部300可以构成为，在卡环193在承载头100上移动到最上端高度H1的状态下，测量从托架200至卡环193的距离变化。

其中，所谓卡环193在承载头100上移动到最上端高度的状态，定义为向卡环压力腔193C施加负压，在卡环193没有下垂的情况下，在卡环193可在承载头100上移动的区间(例如，H1、H2、H3)中，卡环193移动到最高区间H1的状态。

如上所述，借助于在卡环193在承载头100上移动至最上端高度的状态下测量从托架200至卡环193的距离变化，可以获得进一步提高借助于测量部300的测量准确度的有利效果。

即，在承载头100配置于空中的状态(从托架200隔开的状态)下，卡环193配置成因自重而向下方下垂的状态，此时，卡环193的下垂量(例如， H1、H2、H3)会因卡环193的磨损程度(自重差异)而异。可是，在按照互不相同的基板10的处理顺序，进行借助于测量部300的距离测量期间，如果卡环193的下垂量每次不同，则承载头100相对于托架200的基准高度(参照图5的SH)也每次不同，因此，存在难以准确测量从测量部300至卡环193 的距离变化的问题。但是，在本实用新型中，当卡环193在承载头100上移动至最上端高度H1的状态(没有卡环下垂的状态)下，测量部300进行距离测量，每次测量时可以始终一定地保持承载头100相对于托架200的基准高度，因而可以获得提高借助于测量部300的测量准确度的有利效果。

另外，基板处理装置包括控制部500，所述控制部500基于由磨损量感测部400感测的卡环193的磨损量，控制基板10的研磨。

更具体而言，控制部500构成为，如果磨损量感测部400感测的卡环193 的磨损量在允许范围以内，则使基板10的处理工序正常进行，如果卡环193 的磨损量超出允许范围，则中断基板10的处理工序。

如上所述，如果卡环193的磨损量增大到一定程度以上，则控制部500 中断基板10的处理工序，从而可以获得事先预防因卡环193的过度磨损而导致的装载及卸载时工序错误、研磨工序中的基板10脱离现象的有利效果。

图6及图7是用于说明本实用新型第二实施例的基板处理装置的图，图 8～图10是用于说明本实用新型第三实施例的基板处理装置的图。而且，对于与前述构成相同及相当于相同的部分，赋予相同或相当于相同的附图标记，省略对其的详细说明。

根据本实用新型的另一实施例，托架200'、200"中用于放置基板10的基板放置面和用于放置卡环193的卡环放置面可以以分离的结构提供。

参照图6及图7，本实用新型第二实施例的基板处理装置包括：承载头 100，其具备用于约束基板10的侧面的卡环193；托架200’，其用于放置基板 10；测量部300，其安装于托架200’，测量从托架200’至卡环193的距离变化；磨损量感测部400，其基于测量部300测量的距离变化，感测卡环193的磨损量；且托架200'包括：基板放置部210'，其用于放置基板10；卡环放置部230'，其配置于基板放置部210'的外周，用于放置卡环193。

基板放置部210'可以以可放置基板10的多种形态形成。作为一个示例，基板放置部210'可以构成为全面地支撑基板10的底面。

卡环放置部230'可以根据要求的条件及设计样式而以多种结构提供。作为一个示例，卡环放置部230'可以提供沿卡环193的圆周方向隔开地分离的多个。作为另一示例，卡环放置部230'可以沿卡环193的圆周方向，以连续的环形态提供。

优选地，卡环放置部230'可以配置在高于基板放置部210'的位置。根据情况，也可以是卡环放置部配置于与基板放置部相同的高度，或配置于低于基板放置部的位置。

另外，托架200'可以包括弹性支撑部240'，所述弹性支撑部240'支撑卡环放置部230'，使卡环放置部230'能够相对于基板放置部210'，沿上下方向弹性移动。

作为弹性支撑部240'，可以使用通常的弹簧。根据情况，也可以利用空气压力或液压替代弹簧，使卡环与卡环放置部因接触而导致的冲击力衰减。

如上所述，通过使卡环放置部230'被弹性支撑部240'弹性支撑，当卡环 193接触卡环放置部230'时，卡环放置部230'可以相对于基板放置部210'进行弹性移动，因此，可以使卡环193与卡环放置部230'因接触而导致的冲击力衰减。另外，这种结构在卡环193与卡环放置部230'接触时，使卡环放置部 230'可以对弹性支撑部240'进行弹性压缩并向下部方向移动预定区间，从而可以在隔膜192与基板10进一步接近地配置的状态下，实现基板10的装载。

测量部300可以根据要求的条件及设计样式，安装于基板放置部210'，或安装于卡环放置部230'。

作为一个示例，参照图6及图7，测量部300可以安装于基板放置部210'。更具体而言，在卡环放置部230'形成有感测孔232a'，测量部300以配置于感测孔232a'的下部的方式安装于基板放置部210'。

测量部300可以通过感测孔232a'，测量至卡环193的距离，磨损量感测部400可以基于测量部300测量的结果(距离变化)，感测卡环193的磨损量。

作为另一示例，参照图8及图9，测量部300可以安装于卡环放置部230'。更具体而言，在卡环放置部230'的上面形成有容纳槽232b'，测量部300安装于所述容纳槽232b'的内部。

测量部300可以测量从容纳槽232b'至卡环193的距离，磨损量感测部400 可以基于测量部300测量的结果(距离变化)，感测卡环193的磨损量。

参照图10，测量部300可以沿着托架的圆周方向隔开地配备多个。下面列举沿着托架的圆周方向隔开地具备3个测量部300的示例进行说明。根据情况，可以使用4个以上的测量部，本实用新型并不因测量部的个数及配置间隔而所限制或限定。

如上所述，借助于利用多个测量部300而感测卡环193的磨损，可以获得提高感测准确度及可靠性的有利效果。

另外，参照图8～图10，基板处理装置可以包括平坦度感测部600，所述平坦度感测部600基于多个测量部300感测的结果，感测卡环193的平坦度。

平坦度感测部600基于多个测量部300分别感测的距离变化，感测卡环 193的磨损是整体上均一地发生，还是发生了磨损偏差。

如上所述，借助于在测量卡环193的磨损量的同时一同感测卡环193的平坦度(磨损偏差)，可以更准确地感测卡环193的磨损状态，容易地进行更换周期管理。进一步地，借助于平坦度感测部600的平坦度感测，可以基于为了感测卡环193的磨损量而预先配备的测量部300测量的信号进行感测，因而不需要追加配备用于平坦度感测的传感器等，因而可以获得简化结构及处理过程的有利效果。

图11及图12是用于说明本实用新型第四实施例的基板处理装置的图。而且，对于与前述构成相同及相当于相同的部分，赋予相同或相当于相同的附图标记，省略对其的详细说明。

参照图11及图12，本实用新型第四实施例的基板处理装置包括：承载头 100，其具备用于约束基板10的侧面的卡环193；托架200"，其用于放置基板10；测量部300，其安装于托架200"，测量从托架200"至卡环193的距离变化；磨损量感测部400，其基于测量部300测量的距离变化，感测卡环193 的磨损量；且托架200"包括：托置板210"，其从基板10的底面隔开地配置；边缘放置部230"，其配置于托置板210"的上面，支撑基板10的底面边缘；弹性支撑部240"，其相对于托置板210"能上下移动地弹性支撑边缘放置部230"。

此时，在边缘放置部230"形成有感测孔212，测量部300以配置于感测孔212的下部的方式安装于托置板210"。

测量部300可以通过感测孔212，测量至卡环193的距离，磨损量感测部400可以基于测量部300测量的结果(距离变化)，感测卡环193的磨损量。

如上所述，基板10借助于边缘放置部230"，只有底面边缘区域被部分地支撑，因而可以使托架200"与基板10的接触面积最小化，借助于使异物在托架200"与基板10之间残留实现最小化，可以使因托架200"与基板10的接触面积增加而导致的基板10损伤实现最小化。

另外，借助于使边缘放置部230"被弹性支撑部240"弹性支撑，当卡环193 接触边缘放置部230"时，边缘放置部230"可以相对于托置板210"进行弹性移动，因此，可以使因卡环193与边缘放置部230"接触而导致的冲击力衰减。

另外，参照图11，本实用新型的基板处理装置可以包括警报发生部700，当感测到所述磨损量感测部400所感测的所述卡环193的磨损量超过预先确定的设置范围时，所述警报发生部700发出警报信号。

其中，所谓警报信号，可以包括借助于通常的音响装置的听觉警报信号及借助于通常的警报灯的视觉警报信号中至少一种，此外还可以利用可以让使用者认知卡环193的磨损量过度发生的情况的其他不同的多种警报信号。

如上所述，参照本实用新型的优选实施例进行了说明，但只要是相应技术领域的熟练的从业人员便会理解，在不超出本实用新型的权利要求书记载的本实用新型的思想及领域的范围内，可以多样地修订及变更本实用新型。