一种USB-Type-C线缆的制作方法

本实用新型涉及数据线技术领域，特别涉及一种USB-Type-C线缆。

背景技术：

现有的USB TYPE-C数据线线缆中,其结构都是采用白绿芯线配对生产,总绞加屏蔽结构,其线材特性阻抗、延迟差、衰减等各项参数稳定的一般。需要一种确保线材特性阻抗，延迟差，衰减等各项参数稳定，且杜绝外界干扰，防止传输信号失真的USB-Type C线缆。

技术实现要素：

本实用新型主要解决的技术问题是提供一种USB-Type-C线缆，该一种USB-Type-C线缆，确保线材特性阻抗、延迟差、衰减等各项参数稳定，且杜绝外界干扰，防止传输信号失。

为了解决上述问题，本实用新型提供一种USB-Type-C线缆，包括外皮、两条数据线、电源线、两条接地线，所述数据线设有芯线，芯线外部设有绝缘体层，绝缘体层外部设有第一缠绕层，第一缠绕层外部设有第二缠绕层；所述外皮的截面为长方形，所述两条数据线、电源线、两个接地线在外皮内。

进一步地说，所述数据线采用双同轴双层隔离技术。

进一步地说，所述缠绕层是用镀锡铜材质。

进一步地说，所述芯线采用CP配对工艺技术。

进一步地说，所述芯线采用PP+EVA(100：5)混合材料，钻石模制做芯线芯线(21)，中心度达到95％以上。

进一步地说，所述电源线采用22AWG。

使用时，由于芯线采用CP配对工艺技术，各项工艺严格控制一致，确保线材特性阻抗，延迟差，衰减等各项参数稳定的一致性；数据线设有芯线、绝缘体层、第一缠绕层、第二缠绕层的结构，屏蔽率达到200％以上，从而更有效的杜绝外界干扰，防止传输信号失真，确保性能更佳。

本实用新型的有益效果在于：保障线材特性阻抗、延迟差、衰减等各项参数稳定的一致性，且杜绝外界干扰，防止传输信号失真，确保性能更佳。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，而描述中的附图是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来说，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他附图。

图1是本实用新型缆线的剖面示意图。

图2是本实用新型缆线的结构示意图。

下面结合实施例，并参照附图，对本实用新型目的的实现、功能特点及优点作进一步说明。

具体实施方式

为了使实用新型的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。

实施例一

参阅附图1图2所示，所述一种USB-Type-C线缆，包括外皮1、两条数据线2、电源线3、两条接地线4，所述数据线2设有芯线21，芯线21外部设有绝缘体层22，绝缘体层22外部设有第一缠绕层23，第一缠绕层23外部设有第二缠绕层24；所述外皮1的截面为长方形，所述两条数据线2、电源线3、两个接地线4在外皮1内。

具体说：由于芯线21采用CP配对工艺技术，各项工艺严格控制一致，确保线材特性阻抗，延迟差，衰减等各项参数稳定的一致性；数据线2设有芯线21、绝缘体层22、第一缠绕层23、第二缠绕层24的结构，屏蔽率达到200％以上，从而更有效的杜绝外界干扰，防止传输信号失真，确保性能更佳。

参阅附图1图2所示，所述数据线2采用双同轴双层隔离技术；双同轴双层隔离技术具体意思是两条同轴线分别用S向Z向两层隔离,能更好的保证线材屏蔽效果。

参阅附图1图2所示，所述缠绕层24是用镀锡铜材质。

参阅附图1图2所示，所述芯线21采用CP配对工艺技术；CP配对工艺技术具体意思是指芯线所用导体为同一批次,同一机台,同一生产工艺,绝缘用同一机台,同一生产工艺。

参阅附图1图2所示，所述芯线21采用PP+EVA(100：5)混合材料，钻石模制做芯线21，中心度达到95％以上。

参阅附图1图2所示，所述电源线3采用22AWG。

以上实施例仅用以说明本实用新型的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本实用新型进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换，而这些修改或替换，并不使相应技术方案的本质脱离本实用新型各实施例技术方案的精神和范围。