可见光通信用LED微阵列器件的制作方法

本实用新型属于LED微显示器件技术领域，涉及到可见光通信用LED微阵列器件。

背景技术：

LED微阵列器件是一种在同一芯片上集成的高密度微小尺寸的发光二极管二维阵列，该器件除具有LED器件固有的光电转换效率高、响应速度快、波长固定、寿命长、耗能低等特点外，作为一种微型阵列器件，还具有高分辨率、高对比度和高集成度的优点，在微显示以及微照明领域具有很广阔的应用前景。

技术实现要素：

本实用新型为了克服现有技术的缺陷，设计了可见光通信用LED微阵列器件，焊料无法再沾到正极板和负极板的侧壁上，使LED微阵列器件整体更加整洁美观，省去了清除焊料的过程，省时省力。

本实用新型所采取的具体技术方案是：可见光通信用LED微阵列器件，包括正极板、负极板、设置在正极板和负极板上方的LED微阵列，LED微阵列包括设置在衬底上的LED微像素阵列，所有LED微像素的p电极都与正极板焊接固定，所有LED微像素的n型氮化镓层连为一体形成为共阴极，共阴极的边缘处设置有n电极，n电极与负极板焊接固定，关键是：所述的正极板和负极板沿左右方向设置，正极板左侧和负极板右侧的下端都设置有斜面，正极板和负极板的下端面都沿前后方向开设有一组凹槽，每个凹槽都是沿左右方向设置，每个凹槽内都填充有焊料层，所有焊料层的下端相连形成为一体式结构使焊料层下端面凸出在正极板下端面的下方。

所述的焊料层上端面与斜面的上端齐平，斜面的上端到正极板上端面之间的距离为h，正极板的竖直高度为H，h与H之比为(1/4-1/2)：1。

所述的正极板上的斜面与正极板下端面之间的夹角为α，负极板上的斜面与负极板下端面之间的夹角与α相等，α为120°-150°。

所述的正极板、负极板和LED微阵列之间的空腔内设置有松香层，松香层下端面位于焊料层下端面和正极板下端面之间，松香层形成为正极板与负极板之间的绝缘层。

所述的LED微阵列还包括阵列刻蚀在衬底上的一组凹槽、填充在凹槽中的透明薄膜层，透明薄膜层的折射率为3.6、对蓝光或绿光的透过率为98％，LED微像素与凹槽一一对应设置，相邻LED微像素之间设置有绝缘层，LED微像素包括依次沉积在衬底上的n型氮化镓层、发光层、p型氮化镓层、反射层，p电极设置在反射层上。

本实用新型的有益效果是：当将LED微阵列器件焊接到线路板上时，按压LED微阵列器件的同时，将烙铁放在正极板或负极板上，烙铁的热量在正极板或负极板上由上向下传递，使位于凹槽内的焊料层熔化，正极板或负极板下方多余的焊料熔化后会流向斜面下方，当斜面下方出现焊料堆积时，说明焊料已全部熔化，焊接已到位，将烙铁移开即可，及时作出判断，将烙铁移开，使多余的焊料隐藏在斜面下方，焊料无法再沾到正极板和负极板的侧壁上，使得LED微阵列器件整体更加整洁美观。

附图说明

图1为本实用新型的结构示意图。

图2为图1中正极板的左视图。

附图中，1代表正极板，2代表负极板，3代表斜面，4代表焊料层，5代表松香层，6代表衬底，7代表p电极，8代表n型氮化镓层，9代表n电极，10代表透明薄膜层，11代表绝缘层，12代表发光层，13代表p型氮化镓层，14代表反射层。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本实用新型做详细说明：

具体实施例，如图1和图2所示，可见光通信用LED微阵列器件，包括正极板1、负极板2、设置在正极板1和负极板2上方的LED微阵列，LED微阵列包括设置在衬底6上的LED微像素阵列，所有LED微像素的p电极7都与正极板1焊接固定，所有LED微像素的n型氮化镓层8连为一体形成为共阴极，共阴极的边缘处设置有n电极9，n电极9与负极板2焊接固定，所述的正极板1和负极板2沿左右方向设置，正极板1左侧和负极板2右侧的下端都设置有斜面3，正极板1和负极板2的下端面都沿前后方向开设有一组凹槽，每个凹槽都是沿左右方向设置，每个凹槽内都填充有焊料层4，所有焊料层4的下端相连形成为一体式结构使焊料层4下端面凸出在正极板1下端面的下方。

当将LED微阵列器件焊接到线路板上时，按压LED微阵列器件的同时，将烙铁放在正极板1或负极板2上，烙铁的热量在正极板1或负极板2上由上向下传递，使位于凹槽内的焊料层4熔化，在按压力的作用下，正极板1或负极板2下方多余的焊料熔化后会流向斜面3下方，当斜面3下方出现焊料堆积时，说明焊料已全部熔化，焊接已到位，将烙铁移开即可，及时作出判断，将烙铁移开，使多余的焊料隐藏在斜面3下方，焊料无法再沾到正极板1和负极板2的侧壁上，使得LED微阵列器件整体更加整洁美观。

LED微阵列还包括阵列刻蚀在衬底6上的一组凹槽、填充在凹槽中的透明薄膜层10，衬底6为蓝宝石，透明薄膜层10的折射率为3.6、对蓝光或绿光的透过率为98％，LED微像素与凹槽一一对应设置，相邻LED微像素之间设置有绝缘层11，LED微像素包括依次沉积在衬底6上的n型氮化镓层8、发光层12、p型氮化镓层13、反射层14，p电极7设置在反射层14上。利用透明薄膜层10实现了发光层12光源的更好汇聚，解决了光进入低折射率蓝宝石衬底后会发散的问题。当部分光向下到达反射层14后，会被反射回来，最终通过蓝宝石衬底射出，减少了LED微像素之间出光的干扰，提高了LED微阵列器件的分辨率。

作为对本实用新型的进一步改进，焊料层4上端面与斜面3的上端齐平，斜面3的上端到正极板1上端面之间的距离为h，正极板1的竖直高度为H，h与H之比为(1/4-1/2)：1且优选为1/3：1，使斜面3下方具有足够大的容纳空间，确保焊料无法沾到正极板1和负极板2的侧壁上。

作为对本实用新型的进一步改进，正极板1上的斜面3与正极板1下端面之间的夹角为α，负极板2上的斜面3与负极板2下端面之间的夹角与α相等，α为120°-150°且优选为146°，使正极板1下端面与左侧壁之间、负极板2下端面与右侧壁之间都具有足够大的水平间距，避免焊料凸出到正极板1左侧壁和负极板2右侧壁之外，整体更加整洁美观。

作为对本实用新型的进一步改进，正极板1、负极板2和LED微阵列之间的空腔内设置有松香层5，松香层5下端面位于焊料层4下端面和正极板1下端面之间，松香层5形成为正极板1与负极板2之间的绝缘层。当正极板1和负极板2下方的焊料都向中间流动时，焊料的热量会使松香层5熔化，松香隔在两侧的焊料之间，可以有效防止正极板1和负极板2短路，可以降低废品率，节约成本。