本实用新型涉及电子设备技术领域，具体涉及一种高可靠性贴片功率器件。
背景技术：
现有的MOS封装产品常常采用铝线焊接的连接方式连接芯片与引脚，但是铝线焊接时焊线的线弧高度较高，在产品总的厚度一定的情况下此种焊接方式会导致功率器件顶部塑封体的厚度较小，进而导致产品的抗压强度不够、可靠性差，而为了增加提高抗压强度则必然导致功率器件的厚度较大，并导致器件的应用范围受到限制；同时采用铝线焊接还会因为铝线的线径较大，对芯片有一定的应力损伤。
公开号为CN202042471U的中国实用新型专利公开了一种铜铝引线结构的功率器件，其塑封体内含有半导体芯片，固定在散热板上，塑封成一个整体，设有多根外引线，从内部延伸到外部，形成功率器件的多个极，其特征是：承载电流大的外引线，通过铝引线连接到半导体芯片上，承载电流小的外引线，通过铜引线连接至半导体芯片。
技术实现要素：
针对现有技术中存在的抗压强度低、可靠性差的缺陷，本实用新型公开了一种高可靠性贴片功率器件，采用本实用新型不但能够有效提高功率器件的抗压强度和可靠性，同时还能够有效改善功率器件的散热效率。
本实用新型通过以下技术方案实现上述目的：
一种高可靠性贴片功率器件，包括芯片载台，所述芯片载台上设置有芯片，其特征在于：芯片载台上还设置有源极引脚和栅极引脚，所述源极引脚和栅极引脚均通过多条铜线与芯片相连。
所述源极引脚与芯片之间的铜线为5-10条，铜线直径为2mm。
所述栅极引脚与芯片之间的铜线为2-4条，铜线的直径为2mm。
所述铜线之间通过绝缘树脂相互分离。
与现有技术相比，本实用新型具有以下有益效果：
1、本实用新型的芯片载台上设置有芯片，本实用新型通过多条铜线实现源极引脚与芯片、栅极引脚和芯片之间的连接；本实用新型与传统的采用铝线作为连接导线的连接方式相比，铜线的导热系数更低，其连接处受到热胀冷缩效应的不良影响更低，因此其连接处的结构更加稳定；同时由于铜线优良的导电性，因此铜线的线径可以更小，一方面降低了铜线与芯片的连接处的应力，因此芯片受到的应力损伤更低，另一方面由于铜线的体积更小，因此其散热面积更大，提高了产品的散热能力，且铜线的焊接弧度更小，从而在产品厚度确定的情况下可以获得更大的顶部塑封体厚度，提高产品的抗高压能力，进而提高产品的可靠性。
2、本实用新型的源极引脚与芯片之间连接有5-10条铜线，且铜线的直径为2mm，栅极引脚与芯片之间连接有2-4条铜线，且铜线的直径为2mm，使用者可以通过调节铜线的数量来控制产品的导通电阻，使功率器件能够更好的适用各种使用场合，同时其散热性、抗压能力也能够得到更好的保证，提高产品的适应能力和可靠性。
3、本实用新型的相邻铜线之间通过绝缘树脂相互分离，一方面避免铜线之间发生碰线导致产品发热量的异常升高，另一方面避免不同引脚之间的连接线发生碰线而相互干扰，提高器件的可靠性和稳定性。
附图说明
图1为本实用新型结构示意图；
附图标记：1、芯片载台，2、芯片，3、源极引脚，4、栅极引脚，5、铜线。
具体实施方式
下面将通过具体实施例对本实用新型作进一步说明：
实施例1
本实施例作为本实用新型的最佳实施例，其公开了一种高可靠性贴片功率器件，包括芯片载台，所述芯片载台上固定设置有芯片，并通过塑封体将芯片载台和芯片封装为一个整体，所述芯片载台上设置有源极引脚和栅极引脚，所述源极引脚与芯片之间设置有5条铜线连接，且铜线的直径为2mm；所述栅极引脚与芯片之间也通过铜线连接，且铜线的直径为2mm；所述相邻铜线之间通过绝缘树脂相互分离。
实施例2
本实施例作为本实用新型的又一较佳实施例，其公开了一种高可靠性贴片功率器件，包括芯片载台、芯片和塑封体，所述芯片与源极引脚之间通过10根铜线相连，所述栅极引脚与芯片之间通过4根铜线相连。
本实用新型通过铜线实现源极引脚与芯片、栅极引脚与芯片之间的连接，与传统的采用铝线连接的方式相比，由于铜线的热膨胀系数小于铝线，因此铜线连接处受到热胀冷缩的影响要小，其连接处更加可靠、稳定，同时由于铜线的导线性由于铝线，因此铜线的线径可以更细，不但其对芯片的应力伤害更小，铜线的连接弧度也更小，在产品厚度确定的条件下，顶部塑封体的厚度更大，因此能够获得更大的抗压强度，进一步提高了产品的可靠性，提高产品的质量。