本实用新型涉及晶圆加工技术领域，尤其涉及一种晶圆连续清洗装置。
背景技术：
在集成电路制造领域，在某些工艺步骤之后，通常会在晶圆表面留下污染物，这些污染物对产品后续工艺的影响非常大。因此，在半导体器件制造过程中，最频繁的工艺步骤就是晶圆清洗，以去除附着在晶圆表面的污染物。目前，晶圆的清洗通常采用旋转型机台来完成，在晶圆旋转的同时，从晶圆上方将去离子水排放到晶圆上，晶圆上污染物不易被清除彻底，特别是颗粒物，且为单片式清洗制程，清洗效率低。
技术实现要素：
本实用新型的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种功能可靠，且能使晶圆连续清洗的晶圆连续清洗装置。该晶圆连续清洗装置包括：
设有清洗装置的清洗室；
清洗装置包括清洗喷头，清洗喷头设置在清洗室的顶部和底部，清洗喷头与供液装置通过管路相连；
晶圆连续传送机构，其穿越清洗室并循环运动。
将晶圆放置在晶圆连续传送机构上，并通过清洗室顶部和底部设置的清洗喷头进行清洗，这样一来，改变了传统单片清洗模式，晶圆可以进行批量、集中清洗，不但提高了清洗效率，且在一定程度上节约了清洗液的使用量。
作为本实用新型的进一步改进，晶圆连续传送机构包括机架，以及设置在机架上同步转动的传送托辊。
晶圆连续传送机构由机架及其上设置的同步转动的传送托辊等组成，晶圆传送可靠，且结构形式简单，制作成本低。
作为本实用新型的进一步改进，各传送托辊的轴端部设置有齿轮，各齿轮通过链条驱动。
齿轮、链条相配合驱动形式结构简单，传动可靠，且便于进行故障诊断及解决。
作为本实用新型的进一步改进，晶圆连续清洗装置还包括有擦拭装置，擦拭装置包括上擦拭托辊和下擦拭托辊，下擦拭托辊稍低于传送托辊，上擦拭托辊对应的布置在下擦拭托辊的正上方，两者形成的间隙稍小于晶圆厚度，擦拭托辊上包裹有弹性透水性材料。
通过清洗喷头将清洗液喷射到晶圆上，可以将晶圆表面大部分污染物清除，但依然会存在一些顽固污渍。在原来基础上，增设了擦拭托辊，且上、下擦拭托辊形成的间隙稍小于晶圆厚度，可以使得擦拭托辊上包裹的弹性透水性材料紧压在晶圆表面上，提高颗粒物去除能力，清洗效果大大增强。
作为本实用新型的进一步改进，弹性透水性材料为海绵。
作为本实用新型的进一步改进，擦拭装置包括有多组上擦拭托辊和下擦拭托辊。
多组上擦拭托辊和下擦拭托辊相互配合，可以多次对晶圆表面进行加压擦拭，保证清洗效果。
作为本实用新型的进一步改进，供液装置的管路上设置有加热装置。
通过加热装置对清洗液进行加热，使得其具有更高的分子动能，可以有效破坏污染物与晶圆表面的粘附性，加大清洗的力度，提高颗粒物去除效率，达到极佳的清洗效果。
作为本实用新型的进一步改进，晶圆连续清洗装置还包括废液收集装置及废液处理装置。
晶圆清洗过程中会产生大量废液，如不经处理直接排放，会对环境造成极其严重的污染。通过设置的废液收集装置对废液进行收集，而后通过废液处理装置进行处理，从而避免了上述污染情况的发生。
作为本实用新型的进一步改进，供液装置与废液处理装置相连。
通过供液装置与废液处理装置相连，使得净化后的清洗液(如去离子水)得到二次利用，降低了清洗液的使用量，大大降低了生产成本。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本实用新型晶圆连续清洗装置一种实施方式的结构示意图。
图2是本实用新型晶圆连续清洗装置中晶圆通过擦拭装置的示意图。
1-清洗装置；2-清洗室；3-晶圆连续传送机构；31-机架；32-传送托辊；33-齿轮；4-晶圆；5-擦拭装置；51-上擦拭托辊；52-下擦拭托辊；53-弹性透水性材料。
具体实施方式
下面结合具体实施例，对本实用新型的内容做进一步的详细说明：
为了达到本实用新型的目的，图1示出了本实用新型晶圆连续清洗装置一种实施方式的结构示意图。图2示出了本实用新型晶圆连续清洗装置中晶圆通过擦拭装置的示意图。该晶圆连续清洗装置由清洗装置1、清洗室2、晶圆连续传送机构3、擦拭装置5等几部分组成，其中清洗装置1设置在清洗室2的顶部及底部均由设置，其包括多个清洗喷头，各清洗喷头与供液装置通过管路相连。晶圆连续传送机构 3穿越清洗室2并做循环运动。晶圆连续传送机构3包括机架31，以及设置在机架上同步转动的一系列传送托辊32，在各传送托辊32的一端均设置有齿轮33并通过链条同步驱动。将晶圆4放置在传送托辊32上，在其传送过程中，通过清洗室2顶部和底部设置的清洗喷头进行清洗。通过清洗喷头将清洗液喷射到晶圆4上，可以将晶圆4 表面大部分污染物清除，但依然会存在一些顽固污渍。为了更进一步提高清洗效果，晶圆连续清洗装置还设置有多组擦拭装置5，擦拭装置5包括上擦拭托辊51和下擦拭托辊52，下擦拭托52辊稍低于传送托辊32，上擦拭托辊51对应的布置在下擦拭托辊52的正上方，两者形成的间隙稍小于晶圆4厚度，且擦拭托辊51、52上包裹有弹性透水性材料53，优选海绵。可以使得擦拭托辊51、52上包裹的弹性透水性材料53紧压在晶圆4表面上，提高颗粒物去除能力，清洗效果大大增强。这样一来，改变了传统单片清洗模式，晶圆4可以进行批量、集中清洗，不但提高了清洗效率，且在一定程度上节约了清洗液的使用量。
作为该晶圆连续清洗装置的进一步改进，与清洗喷头相连的供液装置的管路上设置有加热装置。通过加热装置对清洗液进行加热，使得其具有更高的分子动能，可以有效破坏污染物与晶圆表面的粘附性，加大清洗的力度，提高颗粒物去除效率，达到极佳的清洗效果。为了减少废液排放，避免污染环境情况发生，该晶圆连续清洗装置设置有废液收集装置及废液处理装置。进一步的，通过使供液装置与废液处理装置相连，使得净化后的清洗液(如去离子水)得到二次利用，降低了清洗液的使用量，大大降低了生产成本。
对所公开的实施例的所述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本实用新型。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本实用新型的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本实用新型将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。