1.一种导电框架，用于串联半导体芯片，所述导电框架包括第一导电框架、第二导电框架和第三导电框架，所述第一导电框架、所述第二导电框架和所述第三导电框架相互绝缘间隔排列，其特征在于：
所述第一导电框架包括第一芯片区和由所述第一芯片区延伸出的第一引脚；
所述第二导电框架包括第二芯片区、由所述第二芯片区延伸出的第二引脚以及第一固线区，所述第一固线区位于所述第二芯片区背离所述第二引脚的一侧，所述第二芯片区与所述第一固线区之间具有凹陷结构，所述凹陷结构能够容纳所述第二芯片区及/或所述第一固线区焊接作业时多余的焊料；
所述第三导电框架包括第二固线区和由第二固线区延伸出的第三引脚。
2.根据权利要求1所述的导电框架，其特征在于，所述凹陷结构为V形凹槽、U形凹槽、矩形凹槽中的任意一种。
3.根据权利要求1所述的导电框架，其特征在于，还包括用于机械连接的通孔，所述通孔位于所述导电框架的一端。
4.根据权利要求3所述的导电框架，其特征在于，所述第一导电框架和第二导电框架的端部相对的一侧分别开设半圆形的缺口，所述缺口围成所述通孔。
5.根据权利要求1所述的导电框架，其特征在于，所述第二固线区的宽度大于所述第三引脚的宽度。
6.一种功率半导体串联结构，包括第一半导体芯片、第二半导体芯片、以及如权利要求1-5任一项所述的导电框架，所述第一半导体芯片电连接地贴附于所述第一芯片区并与所述第一固线区电连接，所述第二半导体芯片电连接地贴附于所述第二芯片区并与所述第二固线区电连接。
7.根据权利要求6所述的功率半导体串联结构，其特征在于，所述第一半导体芯片的第一极贴附于所述第一芯片区，第二极与所述第二导电框架上的第一固线区电连接；所述第二半导体芯片与所述第一半导体芯片的第一极极性相同的一极贴附于所述第二芯片区，另一极与所述第三导电框架上的第二固线区电连接。
8.根据权利要求6所述的功率半导体串联结构，其特征在于，所述半导体芯片通过焊接的方式贴附于所述导电框架。
9.根据权利要求6所述的功率半导体串联结构，其特征在于，所述第一半导体芯片通过金属导线与所述第一固线区电连接；及/或，所述第二半导体芯片通过金属导线与所述第二固线区电连接。
10.根据权利要求9所述的功率半导体串联结构，其特征在于，所述金属导线为铜线或铝线。