1.一种光电器件，包括光电器件衬底和形成在光电器件衬底上的光电元件，其中，
光电器件衬底包括：
光电器件的衬底基部；和
通过外延形成在光电器件的衬底基部上的硅单晶层；
其中，光电元件形成在光电器件衬底的硅单晶层上。
2.根据权利要求1所述的光电器件，还包括形成在光电元件上的氮化硅层。
3.根据权利要求2所述的光电器件，还包括氧化硅层。
4.根据权利要求1所述的光电器件，其中，衬底基部是半导体。
5.根据权利要求4所述的光电器件，其中，衬底基部是硅多晶。
6.根据权利要求4所述的光电器件，其中，衬底基部是硅单晶。
7.根据权利要求1所述的光电器件，其中，硅单晶层厚度为5-200um。
8.根据权利要求1所述的光电器件，其中，硅单晶层的电阻率在200-1000欧姆/厘米范围内。