一种晶体硅异质结太阳电池结构的制作方法

技术特征：

1.一种晶体硅异质结太阳电池结构，其特征在于：在制绒的n型晶体硅片的一面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜、ITiO薄膜，另一面依次沉积本征非晶硅基薄膜、掺杂非晶硅薄膜和除ITiO薄膜外的导电氧化物薄膜。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅异质结太阳电池结构，其特征在于：所述除ITiO薄膜外的导电氧化物薄膜为ITO薄膜或IWO薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种晶体硅异质结太阳电池结构，其特征在于：所述晶体硅异质结太阳电池的两面结构中的掺杂非晶硅薄膜分别为n型掺杂非晶硅薄膜和p重掺杂非晶硅薄膜。

4.根据权利要求1所述的一种晶体硅异质结太阳电池结构，其特征在于：所述ITiO薄膜的载流子迁移率为20～100cm²/Vs，电阻率为2*10^-4～10*10^-4Ωcm，透射率不低于88％。