技术特征：
技术总结
本发明提供具有接触沟槽的半导体装置及其制造方法，半导体装置具备：半导体基板；设置在半导体基板的上表面侧的第一导电型的漂移区；设置在漂移区的上方的第二导电型的基区；设置在基区的上方的第一导电型的源区；从源区的上端侧贯通源区和基区而设置的2个以上的沟槽部；在相邻的沟槽部之间与源区邻接地设置的接触沟槽；设置在接触沟槽的下方的第二导电型的接触层，接触层的掺杂浓度的峰位置比源区的下端浅。
技术研发人员：内藤达也
受保护的技术使用者：富士电机株式会社
技术研发日：2017.09.14
技术公布日：2018.11.09