技术总结
本公开涉及一种磁阻元件（1），包括：具有第一存储磁致伸缩的存储层（21）；具有第一感测磁致伸缩的感测层（23）；在存储和感测层（21，23）之间并且与存储和感测层（21，23）接触的阻挡层（22）；其中磁阻元件（1）还包括补偿铁磁层（25），所述补偿铁磁层（25）具有与第一存储磁致伸缩和/或感测磁致伸缩不同的第二磁致伸缩，并且适于补偿第一存储磁致伸缩和/或第一感测磁致伸缩，使得通过调整补偿铁磁层（25）的厚度，存储层（21）和/或感测层（23）的净磁致伸缩在‑10 ppm et +10 ppm之间可调整或者比‑10 ppm更为负。本公开涉及还涉及包括磁阻元件的磁性设备。
技术研发人员：S.邦迪尔拉
受保护的技术使用者：克罗科斯科技公司
技术研发日：2017.03.06
技术公布日：2018.10.23