技术特征：
技术总结
本文中提供了碳化硅（SiC）装置的实施例。在一些实施例中，碳化硅（SiC）装置可以包括布置在SiC半导体层之上的栅电极，其中SiC半导体层包括：具有第一导电类型的漂移区域；布置在邻接于漂移区域的阱区域，其中阱区域具有第二导电类型；以及布置在邻接于阱区域的、具有第一导电类型的源区域，其中源区域包括源接触区域和收缩区域，其中收缩区域仅部分布置在栅电极之下，其中收缩区域中的薄片掺杂密度低于2.5x1014 cm‑2，并且其中收缩区域配置为在高于SiC装置的标称电流密度的电流密度耗尽以增加源区域的电阻。
技术研发人员：P.A.罗西;L.D.斯特瓦诺维奇;G.T.邓恩;A.V.博罗特尼科夫
受保护的技术使用者：通用电气公司
技术研发日：2017.02.23
技术公布日：2018.11.09