发光二极管的保护膜的沉积方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明是有关于一种发光二极管的保护膜沉积方法，上述保护膜沉积方法包含于基板的发光二极管的上部通过原子层沉积制程沉积第一保护膜的步骤；以及于上述第一保护膜的上部通过化学气相沉积制程沉积至少一个追加保护膜的步骤。

技术研发人员：李洪宰;金宗焕;沈愚泌;李愚嗔;尹星然;李敦熙
受保护的技术使用者：TES股份有限公司
技术研发日：2017.05.16
技术公布日：2019.01.04