技术特征：
技术总结
用于在集成电路封装衬底上提供与表面水平微凸块的有效连接的技术和机制。在实施例中，以各种方式对不同的金属进行电镀以形成微凸块，所述微凸块穿过衬底的表面水平电介质延伸到包括铜的种子层。微凸块包括镍和锡，其中镍有助于减轻种子层铜的吸收。在另一个实施例中，微凸块具有锡的质量分数或镍的质量分数，其在沿着微凸块的高度的各个区域中是不同的。
技术研发人员：R·贾因;K·O·李;A·E·舒克曼;S·S·卓
受保护的技术使用者：英特尔公司
技术研发日：2017.08.14
技术公布日：2019.04.02