双色单光子源结构的制备方法及制备的结构与流程

技术总结
本发明提供了一种双色单光子源结构的制备方法，包括有以下步骤：S1.在半导体衬底上生长并制备纳米线单量子点结构；S2.对纳米线单量子点结构进行部分平整化，露出纳米线顶端的应力小岛；S3.使用机械剥离法制作二维薄膜，并将二维薄膜转移至应力小岛上，完成制备。

技术研发人员：喻颖;李彦;吴泽儒;陈晓添;余思远
受保护的技术使用者：中山大学
技术研发日：2018.01.03
技术公布日：2018.08.03