技术总结
本发明公开了一种含铌膜的超导量子芯片刻蚀方法，属于超导量子芯片领域。本发明解决了现有量子芯片铌膜刻蚀工艺中刻蚀速度快则产生过刻，基片破损严重，即使刻蚀速度慢也会产生薄膜边缘粗糙，有点状残留且难以去除的问题。本发明的方法包括以下步骤：(1)清理基片，得到干净的基片；(2)在片上镀铌膜，得到镀铌膜的基片；(3)对镀铌膜的基片上的铌膜进行曝光显影，得显影后的基片；(4)对基片进行刻蚀；(5)对刻蚀后的基片进行后处理，得到后处理后的基片；(6)对后处理后的基片去胶。本发明可以达到快速刻蚀铌膜的同时还能有效除去点状刻蚀残留物，同时还不产生过刻，达到刻蚀表面干净、图形边缘平整的效果。
技术研发人员：杨夏;朱美珍;
受保护的技术使用者：合肥本源量子计算科技有限责任公司;
技术研发日：2018.01.10
技术公布日：2018.06.29