技术特征：
技术总结
本发明提出一种碳化硅晶片及其定位边加工方法。所述碳化硅晶片具有第一平口与第二平口。第一平口的两端与碳化硅晶片的边缘衔接处分别为第一R角，且第一R角的半径为1mm～10mm。第二平口的两端与碳化硅晶片的边缘衔接处分别为第二R角，且第二R角的半径为1mm～10mm。由于平口两端与碳化硅晶片的边缘衔接处设有最佳半径范围的R角，所以能提高晶片加工量率与品质。
技术研发人员：温禅儒;黄慰国;李依晴;谢启祥
受保护的技术使用者：环球晶圆股份有限公司
技术研发日：2018.01.12
技术公布日：2018.12.18