本发明涉及显示技术领域，尤其涉及显示基板及其制作方法、显示装置。
背景技术：
OLED(Organic LightEmitting Diode，有机发光二极管)又称为有机电致发光、有机电激光显示或有机发光半导体，OLED显示技术由于具有自发光、广视角、高对比度、低耗能及可薄型化等优点，越来越得到广泛的关注。
根据驱动方式的不同，OLED可分为PMOLED(Passive Matrix OLED，被动式驱动有机发光二极管)和AMOLED(Active Matrix OLED，主动式驱动有机发光二极管)两种。以在玻璃基板上设置的显示阵列(可包括多个阵列排布的显示单元)为例，PMOLED显示阵列的同一行显示单元的同一性质电极是共用的，并且同一列显示单元的同一性质电极也是共用的，通过对行列电极的控制使得其交叉点处的显示单元发光，PMOLED具有结构简单、驱动引线少、周边电路占用区域少等特性；而AMOLED显示阵列在每一个显示单元中配备具有开关功能的薄膜晶体管，并且连接薄膜晶体管的外围驱动电路和显示阵列整个系统集成在同一基板上，AMOLED具有响应速度块、高对比度、节能等特性。
目前基于OLED的柔性显示技术是在柔性基板上制作AMOLED显示阵列，但是，在经过多次弯折之后，弯折区域显示单元的寿命会降低。
技术实现要素：
本发明要解决的技术问题是OLED显示装置中，弯折区的AMOLED经弯折后由于薄膜晶体管的电性变化导致寿命降低的问题。
为解决上述问题，本发明提供了一种显示基板，包括衬底、设置于所述衬底上的显示区以及位于所述显示区外部的电源驱动单元，所述显示区包括弯折区域，其特征在于，所述弯折区域包括至少一个PMOLED，所述PMOLED包括在所述弯折区域的衬底上设置的第一OLED单元，所述PMOLED与所述电源驱动单元电连接。
可选的，所述衬底与所述第一OLED单元之间包括有机绝缘层，所述有机绝缘层包括有机材料。
可选的，所述显示区还包括非弯折区域，所述非弯折区域包括至少一个AMOLED，所述AMOLED包括在所述非弯折区域的衬底上设置的第二OLED单元，所述衬底与所述第二OLED单元之间包括薄膜晶体管，所述AMOLED与所述电源驱动单元电连接。
可选的，所述薄膜晶体管包括在所述非弯折区的衬底上设置的有源层、栅电极、源电极和漏电极，所述漏电极与所述第二OLED单元电连接。
可选的，所述弯折区的衬底与所述第一OLED单元之间包括栅金属层和源漏金属层，所述栅金属层与所述栅电极利用同一成膜工艺形成，所述源漏金属层与所述源电极和/或所述漏电极利用同一成膜工艺形成。
可选的，所述衬底与所述第一OLED单元之间包括有机绝缘层，所述有机绝缘层设置于所述栅金属层和所述源漏金属层之间。
本发明还提供了一种显示装置，包括上述显示基板。
本发明还提供了上述显示基板的制作方法，包括：在所述弯折区域的衬底上制作至少一个PMOLED，所述PMOLED包括在所述弯折区域的衬底上形成的第一OLED单元，并使所述PMOLED与显示基板的电源驱动单元连接。
可选的，所述显示区还包括非弯折区域，所述制作方法还包括在所述非弯折区域的衬底上制作至少一个AMOLED，并使所述AMOLED与所述电源驱动单元连接。
可选的，在所述弯折区域的衬底上制作PMOLED和在所述非弯折区域的衬底上制作AMOLED包括以下步骤：
在所述非弯折区域的衬底上形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括有源层、栅电极、源电极和漏电极，并且在所述弯折区域的衬底上形成栅金属层和源漏金属层，所述栅电极与所述栅金属层利用同一成膜工艺形成，所述源电极和所述漏电极与所述源漏金属层利用同一成膜工艺形成；形成平坦化层，所述平坦化层覆盖所述源电极、所述漏电极以及所述源漏金属层；以及在所述弯折区域的平坦化层表面形成所述第一OLED单元，以及在所述非弯折区域的平坦化层表面形成第二OLED单元，并且使得所述第二OLED单元与所述漏电极电连接。
本发明提供的显示基板，在衬底上的弯折区域设置至少一个PMOLED，所述PMOLED和显示基板的电源驱动单元电连接，从而弯折区域可不设置与OLED电连接的薄膜晶体管，可有效避免了薄膜晶体管受弯折所引起的电性变化对OLED发光性能的影响。
进一步的，在衬底与所述第一OLED单元之间设置有有机绝缘层，所述有机绝缘层包括有机材料，由于有机材料相对于无机材料来说，具有良好的应变弹性，可以提高弯折区域的耐弯折能力。
本发明提供的上述显示基板的制作方法，在弯折区域的衬底上制作至少一个PMOLED，所述PMOLED包括在所述衬底上形成的第一OLED单元，在弯折区域未形成容易受弯折影响的薄膜晶体管，可以有效提高显示寿命。
本发明提供的包括上述显示基板的显示装置，在显示区的弯折区域包括至少一个PMOLED，可以有效避免因薄膜晶体管受弯折引起的显示性能变化。
附图说明
图1是本发明实施例的显示基板显示区的平面示意图。
图2是图1中A-B方向上的剖面示意图。
图3是本发明实施例在弯折区域制作PMOLED和在非弯折区域制作AMOLED的流程示意图。
附图标记说明：
100-显示基板；101-衬底；10-弯折区域；20-非弯折区域；200-PMOLED；300-AMOLED；210-第一OLED单元；310-第二OLED单元；320-驱动电路；102-缓冲层；104-有源层；106-栅电极；106'-栅金属层；108a-源电极；108b-漏电极；108'-源漏金属层；105-栅极绝缘层；107-层间绝缘层；109-有机绝缘层；110-平坦化层；211-第一阳极；212-第一有机发光层；213-第一阴极；311-第二阳极；312-第二有机发光层；313-第二阴极；120-第一限定层；121-第一限定单元；122-隔离柱单元；130-第二限定层；131-第二限定单元；132-第三限定单元；140-封装层。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案、及优点更加清楚明白，以下参照附图并举实施例，对本发明的显示基板及其制作方法和显示装置作进一步详细说明。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
在说明书和权利要求书中的术语“第一”“第二”等用于在类似要素之间进行区分，且未必是用于描述特定次序或时间顺序。要理解，在适当情况下，如此使用的这些术语可替换，例如可使得本文所述的本发明实施例能够不同于本文所述的或所示的其他顺序来操作。类似的，如果本文所述的方法包括一系列步骤，且本文所呈现的这些步骤的顺序并非必须是可执行这些步骤的唯一顺序，且一些所述的步骤可被省略和/或一些本文未描述的其他步骤可被添加到该方法。图中本发明的实施例的构件若与其他图标中的构件相同，虽然在所有图中都可轻易辨认出这些构件，但为了使图标的说明更为清楚，本说明书不会将所有相同的构件的标号标于每一图中。
一种基于OLED的柔性显示技术是在柔性衬底上制作显示阵列，其中包括多个显示单元，每一个显示单元可包括一个或多个AMOLED，而AMOLED通过在衬底上形成的薄膜晶体管及驱动电路驱动OLED发光，从而实现对每一个显示单元的独立开关控制(即有源控制)。但是，利用上述方法形成的OLED显示基板在经弯折多次之后，弯折区域相较于非弯折区域，显示性能下降。发明人经研究发现，上述基于AMOLED显示阵列的显示基板在受弯折时，用于控制OLED显示单元的薄膜晶体管电性出现了不同程度的衰退。发明人进一步研究发现，由于薄膜晶体管包括在衬底上所形成的有源层、栅电极、源电极、漏电极以及用于使这些电极绝缘的无机层，而无机材料的拉伸弹性模量较大，即由于弯折所引起的应力较大，因而易导致断裂，尤其是有源层，由于其厚度较小，在由于弯折断裂之后，使得源电极和漏电极之间的导电沟道发生了改变，从而极大地影响了薄膜晶体管的电性，导致OLED显示单元的显示性能下降。
基于上述研究，本发明实施例提供一种显示基板及其形成方法和一种显示装置。
本实施例首先介绍一种显示基板。图1是本发明实施例的显示基板100显示区的平面示意图。本实施例中显示基板100包括衬底101，衬底101上设置有显示区，所述显示区包括弯折区域10(以虚线框表示)和非弯折区域20，在弯折区域10和非弯折区域20均设置有显示单元，这些显示单元具体可以包括一个或多个在衬底101上制作的显示阵列的像素，以进行图像显示。需要说明的是，虽然图1中主要示出了显示基板100显示区范围的弯折区域10和非弯折区域20，并且弯折区域10示意为显示基板100显示区的部分中间区域，但本领域技术人员应当理解，本实施例重点对弯折区域10的显示单元进行说明，显示基板100的弯折区域也可以包括非显示区的部分，并且，显示基板100的弯折区域10也可以包括显示区的两端区域。
本实施例中，弯折区域10和非弯折区域20设置的显示单元可根据驱动方式的不同进行区别，具体的，弯折区域10的每个显示单元包括一个被动式有机发光二极管(以下简称PMOLED 200)，而非弯折区域20的每个显示单元包括一个主动式有机发光二极管(以下简称AMOLED 300)。在另一实施例中，弯折区域10的部分显示单元包括PMOLED 200，并且还包括AMOLED 300。本实施例中所述的PMOLED 200和AMOLED 300，可用来表示显示基板100上设置的最小的用来显示图像的重复单位，并且，图1中，显示基板100的PMOLED 200和AMOLED 300在衬底101上为互相平行并且均匀分布的多行和多列分布，但在其他实施例中，PMOLED 200和AMOLED 300还可以以其他的规律性或非规律性排布在衬底101上，且形成的也可以是互相不平行的行列。
以下对PMOLED 200和AMOLED 300控制方法进行描述。
一方面，弯折区域10设置的PMOLED 200可包括第一OLED单元210，由于其属于被动(或无源)驱动，可直接由PMOLED驱动器对弯折区域10的PMOLED 200进行驱动。PMOLED驱动器可通过例如行扫描模块和列扫描模块直接与PMOLED 200的第一OLED单元210的电极连接，例如，行扫描模块可被构造为扫描信号施加到与PMOLED 200连接的阳极线(如图1中L1、L2、L3、L4...，粗线表示)，列扫描模块被构造为将数据信号施加到与PMOLED 200连接的阴极线(如图1中C1、C2、...)。
另一方面，非弯折区域20设置的AMOLED 300可包括第二OLED单元310以及用来驱动第二OLED单元310的驱动电路320，驱动电路320包括用于对第二OLED单元310进行关断控制的薄膜晶体管(TFT)。并且，第二OLED单元310及驱动电路320均可利用设置于显示基板100显示区外部的AMOLED驱动器进行控制，例如，AMOLED驱动器可包括扫描驱动器和数据驱动器，其中，扫描驱动器可被构造为扫描信号施加到与驱动电路320连接的扫描线(或称栅线，如图1中G1、G2、G3、G4...)，数据驱动器可被构造为将数据信号施加到与驱动电路320连接的数据线(如图1中D1、D2、D3、D4、...)。需要说明的是，图1中虽然示出了交叉的驱动线路，但是这些线条仅用于示意说明弯折区域10和非弯折区域20的显示单元排布以及对不同区域显示单元的控制方法，不能等同于实际中衬底101上显示区的平面图样。
本实施例中的驱动电路320，设置或形成于每一个AMOLED 300区域的衬底101上，并与同一AMOLED 300的第二OLED单元310连接，用于独立或与显示基板100的其他设置信号共同控制AMOLED 300内的第二OLED单元310发光，驱动电路320至少包括一个例如薄膜晶体管(TFT)的有源部件，在本发明另一实施例中，驱动电路320可以包括例如两个薄膜晶体管和一个电容(2T1C结构)，以便更好的控制AMOLED 300内的第二OLED单元310发光的关断以及亮度保持等特性，但本发明不限于此。
本实施例中，PMOLED驱动器和AMOLED驱动器可均属于显示基板100的电源控制单元的一部分，并且，PMOLED驱动器和AMOLED驱动器可以设置于显示基板100的显示区以外的区域，PMOLED驱动器和AMOLED驱动器可以以集成电路芯片的形式设置并可直接安装在其上设置有PMOLED300和AMOLED200的衬底101中，PMOLED驱动器和AMOLED驱动器可安装在柔性印刷电路膜上、可以以带载封装件(TCP)的形式附着或者直接形成在衬底101上。PMOLED驱动器和AMOLED驱动器可以分别单独定址控制某一个PMOLED 200和某一个AMOLED 300的位置，向对应设置在该位置的PMOLED 200或AMOLED 300输入驱动电流，使得第一OLED单元210或第二OLED单元310发光。
需要说明的是，如图1所示，本实施例中虽然第一OLED单元210和第二OLED单元310的发光面积(以方形阴影区表示)相同，但本领域技术人员应当理解，在一台显示基板100中，第一OLED单元210和第二OLED单元310的发光面积也可以不同。并且，对于图1中的多个PMOLED 200和多个AMOLED 300之间的间距例如小于100微米，但所述间距与制造设备的精度以及显示基板100的分辨率有关。对于多个第一OLED单元210和多个第二OLED单元310，其可以通过在制作中形成不同的有机发光材料从而具有不同的出光颜色。当设置于不同位置的第一OLED单元210和第二OLED单元310以各自独立或者依靠彩色滤光片(或色转换层)可发出RGB三基色的光，通过显示基板100的电源控制单元则可以实现彩色显示，本发明不限于此。
图2是图1中A-B方向上的剖面示意图。具体的，图2示出了A-B方向的一个PMOLED 200和一个AMOLED 300的垂直于衬底101表面方向的剖面示意图。以下结合图1和图2对显示基板100及其制作方法做详细的说明。本领域技术人员应当理解，显示基板100上可设置有多个相同或类似的PMOLED 200和AMOLED 300，通过在衬底101上形成或设置包括至少一个PMOLED 200的弯折区域和包括至少一个AMOLED 300的非弯折区域，将复数个PMOLED 200和AMOLED 300的区域作为显示区，最终可以形成显示基板100。根据下面对一个PMOLED 200和一个AMOLED 300的描述，关于本发明的显示基板100将更加清楚。
如图2所示，显示基板100包括衬底101、设置于衬底101上的显示区，显示区包括弯折区域10和非弯折区域20，在弯折区域10包括PMOLED 200，在非弯折区域20包括AMOLED 300。
本实施例中，衬底101是柔性衬底，可包括塑性材料，塑性材料可以是从以下材料构成的组中选择的有机材料：聚醚砜(PES)、聚丙烯酸酯(PAR)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚萘二甲基乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚酰亚胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、三乙酸纤维素(TAC)以及乙酸丙酸纤维素(CAP)，他们均是绝缘的有机材料。
缓冲层102可设置在或形成在衬底101上。缓冲层102可在衬底101的上部处提供平坦的表面，并可阻挡穿过衬底101的外来物质或湿气渗透。在某些实施例中，缓冲层102可包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氧化钛或氮化钛的无机材料和/或诸如聚酰亚胺、聚酯或亚克力的有机材料，并可包括上述多种材料的堆叠体或者可利用上述多种材料的堆叠体形成。由于无机材料形成的缓冲层102受弯折时容易断裂，为了避免所产生的裂纹延伸影响显示基板的可靠性，优选方式中，可以仅在非弯折区域20设置或形成缓冲层102，而在弯折区域10不设置或形成缓冲层102。当缓冲层102包括有机材料时，可以在弯折区域10和非弯折区域20都设置或形成缓冲层102。
利用半导体薄膜工艺，可以在非弯折区域20形成AMOLED 300的驱动电路320，其中的薄膜晶体管可包括有源层104、栅电极106、源电极108a和漏电极108b。
下文中，将描述其中有源层104、栅电极106、源电极108a和漏电极108b顺序的设置或形成的作为顶栅极型的薄膜晶体管。然而，本发明不限于此，也可采用诸如底栅极型的各种类型的薄膜晶体管。
有源层104可包括半导体材料，例如非晶硅或多晶硅，然而，本发明不限于此，有源层104可包括各种材料，在某些实施例中，有源层可包括有机半导体材料等。
在某些实施例中，有源层可包括氧化物半导体材料，例如，有源层可包括从诸如锌、铟、镓、锡、镉和锗的12族金属元素、13族金属元素和14族金属元素及其组合中选择的材料的氧化物。
栅极绝缘层105可设置在或形成在有源层104上。栅极绝缘层105使栅电极106与有源层104绝缘。栅极绝缘层105可以是包括诸如氧化硅和/或氮化硅的无极材料的单层或者多层。
栅电极106可设置在或形成在栅极绝缘层105上。栅电极106可连接到AMOLED 300的栅极线，其中，经由所述栅极线向薄膜晶体管施加导通/截止信号。
栅电极106可包括相对低电阻的金属材料。栅电极106可设置为或形成为包括例如铝、铂、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨和铜中的至少一种的单层或多层。
层间绝缘层107可设置在或形成在栅电极106上。层间绝缘层107使源电极108a和漏电极108b中的每个与栅电极106绝缘。层间绝缘层107可设置为或形成为包括无机材料的单层或多层。在优选实施例中，例如，无机材料可以是金属氧化物或金属氮化物。在其他实施例中，无机材料可包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽、氧化铪或氧化锆等。
源电极108a和漏电极108b可设置在或形成在层间绝缘层107上。源电极108a和漏电极108b可设置为或形成为包括铝、铂、钯、银、镁、金、镍、钕、铱、铬、锂、钙、钼、钛、钨和铜中的至少一种的单层或多层。源电极108a和漏电极108b可利用同一图形化工艺形成，并且通过设置于层间绝缘层107和栅极绝缘层105的接触孔电连接到有源层104的源区和漏区。
本实施例中，非弯折区域20的衬底101上设置或形成上述薄膜晶体管，而在弯折区域10的衬底101上，由于要设置或形成的是PMOLED 200，所以可通过例如刻蚀的方法，不设置或形成上述薄膜晶体管，尤其是由于利用无机材料形成的有源层104、栅极绝缘层105及层间绝缘层107其耐弯折能力较差，受弯折时容易断裂，因此，优选实施例中，在弯折区域10的衬底101上，可以利用与非弯折区域20的栅电极106、源电极108a和漏电极108b同一成膜工艺和同一图形化工艺在弯折区域10设置或形成栅金属层106'、源漏金属层108'，从而有利于AMOLED 300之间以及AMOLED 300与电源驱动单元之间的电连接，栅金属层106'和源漏金属层108'可以利用与薄膜晶体管的栅电极106、源电极108a及漏电极108b相同的图案及工艺设置或形成，即对于栅金属层106'和源漏金属层108'，可以利用显示区全部设置或形成AMOLED 300的光罩进行制作。但是，需要说明的是，设置于弯折区域10的栅金属层106'和源漏金属层108'并不用于驱动PMOLED200，因而在另外一实施例中，在弯折区域10可以不设置栅金属层106'和源漏金属层108'，AMOLED 300与电源驱动单元之间可以设计为绕过弯折区10进行电连接。
进一步的，优选实施例中，在栅金属层106'与源漏金属层108'之间，还设置或形成有机绝缘层109，有机绝缘层109使得弯折区域10的源漏金属层108'与源漏金属层108'绝缘，当然，在弯折区域10不设置或形成栅金属层106'和源漏金属层108'时，也可以在衬底101上设置或形成有机绝缘层109从而增加弯折区域10的耐弯折性能。有机绝缘层109包括有机材料，例如聚马来酸酐氨基苯乙烯(PASMa)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)等高分子材料中的一种或多种，但不限于此，有机绝缘层109还可包括具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或者它们的混合物等，有机绝缘层109可以包括各种具有良好应变弹性的有机材料。有机绝缘层109可通过例如旋涂或者喷墨打印(IJP)等工艺形成。
在另一实施例中，也可以在弯折区域10的PMOLED 200区域设置或形成设定厚度的无机材料层(可以包括与栅极绝缘层105或层间绝缘层107相同的材料)以改善弯折区域10的栅金属层106'和源漏金属层108'的附着力，以及改善栅金属层106'与源漏金属层108'与其他区域的电连接性。
在形成上述源电极108a、漏电极108b及源漏金属层108'之后，可在其上方形成平坦化层110，平坦化层110可设置为或形成为覆盖非弯折区域20的薄膜晶体管以及弯折区域10的源漏金属层108'，平坦化层110还可以覆盖其余设置有薄膜晶体管的衬底101表面，从而解决了由于薄膜晶体管、有机绝缘层109、层间绝缘层108等导致的水平差(台阶差)，平坦化层110还可以填充弯折区域10和非弯折区域20可能存在的间隙。平坦化层110可设置为或形成为包括有机材料的单层或多层。有机材料可包括诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)或聚苯乙烯(PS)的通用聚合物、具有酚基的聚合物衍生物、丙烯酸类聚合物、酰亚胺类聚合物、芳醚类聚合物、酰胺类聚合物、氟类聚合物、对二甲苯类聚合物、乙烯醇类聚合物或者它们的混合物等，可选择地，平坦化层110可通过无机绝缘层和有机绝缘层的复合的堆叠体设置或形成。
在形成平坦化层110之后，可以在显示区的弯折区域10和非弯折区域20分别形成第一OLED单元210和第二OLED单元310，以分别构成PMOLED 200和AMOLED 300。本实施例中，第一OLED单元210和第二OLED单元310的阳极和阴极均由同一成膜工艺和同一图形化工艺形成，而其中的有机发光层也可以通过相同的掩模工艺形成，利用有机发光层的沉积位置不同，第一OLED单元210和第二OLED单元310可以是具有不同发光颜色的有机发光二极管(OLED)。
具体的，第一OLED单元210可包括依次在弯折区域10的平坦化层110表面依次设置或形成的第一阳极211、第一有机发光层212和第一阴极213，而第二OLED单元310可包括依次在非弯折区域20的平坦化层110表面依次设置或形成的第二阳极311、第二有机发光层312和第二阴极313，其中，第二阳极311通过设置于平坦化层110的接触孔与薄膜晶体管的漏电极108b电连接。
第一阳极211和第二阳极311可通过同一图形化工艺形成，第一阳极211和第二阳极311可包含金属或透明导电氧化物(例如ITO，即铟锡氧化物)，本实施例中，显示基板100可以是朝向衬底101向显示基板100外部出光的底发射型。在底发射型显示设备中，第一阳极211和第二阳极311包括透明材料或者由透明材料形成。在另一实施例中，显示基板100可以是沿与衬底101远离的方向出光的顶发射型，在顶发射型显示设备中，第一阳极211和第二阳极311由不透明材料形成，可包括诸如金属的非透明材料。
本实施例中，设置于的弯折区域10的同一行的PMOLED 200的第一阳极211互相电连接，而同一列的PMOLED 200的第一阴极213互相电连接，在另一实施例中，弯折区域10的PMOLED 200可设置或形成为第一阳极211均互相电连接，而对应的第一阴极213均为电绝缘；在非弯折区域20，多个AMOLED 300的第二阳极311可设置或形成为电绝缘并且多个AMOLED 300的第二阴极313电连接。
弯折区域10可包括设置或形成于第一阳极211之后的第一限定层120(pillar)，第一限定层120设置或形成于多个第一OLED单元210之间，第一限定层120可利用其侧壁限定第一有机发光层212的沉积范围，即第一限定层120通过其所容纳(或包围)的区域限定了第一OLED单元210的发光区。第一限定层120可包括在设置有第一阳极211的衬底101的表面叠加的一层或多层，本实施例中，第一限定层120包括在设置有第一阳极211的弯折区域依次设置或形成的第一限定单元121和隔离柱单元122。第一限定层120可包括吸收至少一部分光的材料、光反射材料或光散射材料，还可以包括对可见光(例如波长在380～750nm范围内的光)是半透明或不透明的材料，或者第一限定层120可包括诸如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化钛、氧化钽或氧化锌的无机氧化物或者无机氮化物的无机绝缘材料，还可包括如黑色矩阵材料的不透明材料。但本发明不局限于此。在某些实施例中，第一限定层120也包括对可见光是半透明或者不透明的材料，以避免不同的第一OLED单元210发出的光线互相影响。
非弯折区域20可包括设置或形成于第二阳极311之后的第二限定层130(pillar)，第二限定层130设置或形成于多个第二OLED单元310之间，第二限定层130可利用其侧壁限定第二有机发光层312的沉积范围，即第二限定层130通过其所容纳(或包围)的区域限定了第二OLED单元310的发光区。本实施例中，第二限定层130包括在设置有第二阳极311的非弯折区域20依次设置或形成的第二限定单元131和第三限定单元132。本实施例中，第二OLED单元310的第二阴极313可以互相电连接，作为多个AMOLED 300的共同电极，AMOLED驱动器通过控制该共同电极以及对应AMOLED 300的控制电路320从而对每一个AMOLED 300的发光进行控制。
本实施例中，第一限定单元121可设置或形成为覆盖设置有第一阳极211的衬底101的正梯形结构，第二限定单元131和第三限定单元132可设置或形成为覆盖设置有第二阳极311的衬底101的正梯形结构，以及，第一限定单元121、第二限定单元131和第三限定单元132可包括相同的材料，并且第一限定单元121和第二限定单元131可通过同一图形化工艺形成。
由于第一OLED单元210属于PMOLED 200，通过PMOLED驱动器选址并控制发光，为了便于多个PMOLED 200可独立控制，本实施例中，多个第一OLED单元210的第一阳极211电连接，因此，在第一限定单元121远离衬底101的表面叠加设置或形成的隔离柱单元122为倒梯形结构，以使互相电连接的第一阳极211对应的第一阴极213电绝缘。
第一有机发光层212可设置或形成在第一限定层120所限定的开口区域，并且第一有机发光层212覆盖设置于第一限定层120所限定的开口区域的第一阳极211。另外，第二有机发光层312可设置或形成在第二限定层130所限定的开口区域，并且第二有机发光层312覆盖设置于第二限定层130所限定的开口区域的第二阳极311。位于不同显示单元的多个第一有机发光层212和第二有机发光层312可以包括相同或者不同的材料，例如多个第一有机发光层212和多个第二有机发光层312可均包括主体材料(host)及掺杂材料(dopant)。并且，在第一有机发光层212和第二有机发光层312沉积之前或者之后，还可以在衬底101上的显示区沉积其他有机功能层，以优化第一OLED单元210和第二OLED单元310的发光性能。第一有机发光层212、第二有机发光层312及其他有机功能层可采用本领域公知的方法和结构形成，并且可以根据需要选择优化发光性能的结构和方法，例如第一有机发光层212、第二有机发光层312也可包括量子阱结构。
第一阴极213和第二阴极313可分别设置或形成于第一有机发光层212和第二有机发光层312的上方，第一阴极213和第二阴极313可包括如铝(Al)、镁(Mg)、钙(Ca)等单质金属或者金属合金，第一阴极213和第二阴极313可利用同一掩模工艺(例如开放式的掩模)沉积，对于弯折区域10，不同第一OLED单元210之间的第一阴极213被隔离柱单元122断开，有利于不同的第一OLED单元210分别被控制发光。在某些实施例中，第一阴极213和第二阴极313也可包括设定厚度的电子注入层(例如氟化锂，LiF)。
在形成第一阴极213和第二阴极313之后，可以继续在其表面设置或形成封装层，利用封装层可将设置或形成有PMOLED 200和AMOLED 300的显示区保护起来，减小外界水汽和氧气对PMOLED 200和AMOLED 300的不利影响。优选实施例中，封装层是薄膜封装层，具体可以包括有机膜层或者无机膜层，或者有机膜层与无机膜层的叠层结构，封装层的厚度优选在200nm～20μm之间，可根据所选择的膜层结构以及实际的需要进行调整。
综上所描述，在衬底101上显示区的弯折区域10设置或形成了PMOLED 200，其包括设置或形成于平坦化层110表面的第一OLED单元210，并且，在衬底101上显示区的非弯折区域20设置或形成了AMOLED 300，其包括设置或形成于平坦化层110表面的第二OLED单元310。其中，第一OLED单元210包括在平坦化层110表面依次设置或形成的第一阳极211、有机发光层212及第一阴极213，第二OLED单元310包括在平坦化层110表面依次设置或形成的第二阳极311、有机发光层312及第二阴极313。PMOLED 200与电源驱动单元的PMOLED驱动器电连接，并且AMOLED 300与电源驱动单元的AMOLED驱动器电连接，从而PMOLED 200和AMOLED 300均与显示基板100的电源驱动单元连接。
可参照上述对显示基板100的描述，下面介绍本实施例的显示基板100的制作方法。本实施例的显示基板100的制作方法包括：
在弯折区域10的衬底101上制作至少一个PMOLED 200，在非弯折区域20的衬底101上制作至少一个AMOLED 300，并使所述PMOLED 200和所述AMOLED300均与显示基板100的电源驱动单元连接。
图3是本发明实施例在弯折区域10制作PMOLED 200和在非弯折区域20制作AMOLED 300的流程示意图。如图3所示，在弯折区域10制作PMOLED 200和在非弯折区域20制作AMOLED 300可包括如下步骤：
S1：在非弯折区域20的衬底101上形成薄膜晶体管，薄膜晶体管包括有源层104、栅电极106、源电极108a和漏电极108b，并且在弯折区域10的衬底101上形成栅金属层106'和源漏金属层108'，栅电极106与栅金属层106'利用同一成膜工艺形成，源电极108a、漏电极108b与源漏金属层108'利用同一成膜工艺形成；
S2：形成平坦化层110，平坦化层110覆盖源电极108a、漏电极108b以及源漏金属层108'；以及
S3：在弯折区域10的平坦化层110表面形成第一OLED单元210，以及在非弯折区域20的平坦化层110表面形成第二OLED单元310，并且使得第二OLED单元310与漏电极108b电连接。
本实施例中，在制作有源层104之前，可以在衬底101表面先制作一层缓冲层102，缓冲层102只覆盖非弯折区域20的衬底101表面，弯折区域10可不形成缓冲层102，这是由于缓冲层102中的无机材料(若有)受弯折时容易断裂，虽然对弯折区域10的PMOLED 200影响不大，但是所产生的裂纹延伸会影响显示基板100的可靠性；在非弯折区域20制作栅极绝缘层105以使得有源层104与栅电极106绝缘，并且在栅电极106和源电极108a、漏电极108b之间制作层间绝缘层107以使栅电极106和源电极108a、漏电极108b绝缘，优选方案中，在弯折区域20还制作有机绝缘层109，有机绝缘层109可使栅金属层106'和源漏金属层108'绝缘，其中，有机绝缘层109包括有机材料，有机绝缘层109可以增加显示基板100的耐弯折性能。
步骤S3中，在弯折区域10和非弯折区域20分别制作第一OLED单元210和第二OLED单元310可包括如下步骤：
在弯折区域10的平坦化层110表面制作第一阳极211，以形成多个第一OLED单元210的阳极，并且在非弯折区域20的平坦化层110表面制作第二阳极311，以形成多个第二OLED单元310的阳极，第一阳极211和第二演技311可以利用同一成膜工艺形成，并且，制作第一阳极211和第二阳极311之前，可在非弯折区域20的平坦化层110中形成接触孔，使得第二阳极311与薄膜晶体管的漏电极108b电连接；
在形成有第一阳极211的弯折区域10制作第一限定层120，并且形成有第二阳极311的非弯折区域10制作第二限定层130，第一限定层120和第二限定层130分别用于限定第一OLED单元210和第二OLED单元310的出光范围；第一限定层120可包括依次叠加的第一限定单元121和隔离柱单元122，第二限定层130可包括依次叠加的第二限定单元131和第三限定单元132，其中，第一限定单元121、第二限定单元131和第三限定单元132垂直于衬底101的截面为正梯形，而隔离柱单元122垂直于衬底101的截面为倒梯形。在另外一实施例中，第二限定层130也可仅包括第二限定单元131。
在弯折区域10由第一限定层120限定的区域制作第一有机发光层212，并且在非弯折区域20由第二限定层130限定的区域制作第二有机发光层312，其中，第一有机发光层212形成于第一阳极211表面，第二有机发光层312形成于第二阳极311表面；以及
在第一有机发光层212表面制作第一阴极213，并且在第二有机发光层312表面制作第二阴极313。
上述第一有机发光层212、第二有机发光层312、第一阴极213和第二阴极313可以利用真空热蒸镀工艺制作。经过上述步骤所形成的第一OLED单元210和第二OLED单元310的各层材料及结构可以利用本领域公知的方法，并且后续可在形成有多个第一OLED单元210和多个第二OLED单元310的衬底101上制作封装层，封装层的结构和形成方法也可以利用本领域公知的结构和方法，此处均不再赘述。
在形成第一OLED单元210和第二OLED单元310之后，即形成了位于显示区弯折区域10的PMOLED 200以及位于显示区非弯折区域20的AMOLED 300，其中，AMOLED 300包括在衬底101上形成的薄膜晶体管，依照上述方法，在弯折区域10可形成至少一个PMOLED 200，以及在非弯折区域20形成至少一个AMOLED 300，从而得到本实施例所描述的显示基板100。
本实施例还包括一种显示装置，包括上述显示基板100，该显示装置例如是柔性显示器、弯曲显示器、柔性面板、可弯折显示屏或者包括有弯曲显示屏的电子设备，显示基板100包括该显示装置的显示区，该显示区包括弯折区域10，在弯折区域10包括至少一个PMOLED 200(即无源驱动的有机发光二极管)，PMOLED 200包括在弯折区域10的衬底101上设置的第一OLED单元210，PMOLED 200与显示基板100的电源驱动单元电连接。从而，由于PMOLED 200的显示性能不受薄膜晶体管的控制，在薄膜晶体管由于受弯折而产生电性变化(例如开关特性的变化)时，弯折区域10的PMOLED 200的显示性能不受薄膜晶体管的影响，从而有利于弯折区域10的显示基板100显示性能的稳定，可以提高弯折工作模式下显示装置的显示寿命。
可以理解的是，以上实施例仅用以描述本发明的技术方案而非限制，对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。