本发明属于H01L 27/00类半导体器件技术领域，具体涉及一种集成了周边RC snubber结构的碳化硅SBD器件元胞结构。
背景技术：
SiC作为近十几年来迅速发展的宽禁带半导体材料，与其它半导体材料，比如Si，GaN及GaAs相比，SiC材料具有宽禁带、高热导率、高载流子饱和迁移率、高功率密度等优点。SiC可以热氧化生成二氧化硅，使得SiC MOSFET及SBD等功率器件和电路的实现成为可能。自20世纪90年代以来，SiC MOSFET和SBD等功率器件已在开关稳压电源、高频加热、汽车电子以及功率放大器等方面取得了广泛的应用。
目前，碳化硅肖特基二极管(Schottky barrier diodes，以下简称SBD)器件，主要应用于各种高频开关电源中。在器件工作过程中会承受高频的电压尖峰，有时需要在电路设计中匹配合适的RC snubber元器件，以改善输出电压电流的纹波，以及避免引起器件的可靠性问题及电路的振荡。在比较紧凑的设计中，RC snubber元器件的匹配会占用电路面积，同时离散元器件自身的分立封装和相互间的连线寄生电感在高频时也会引起更多的电路寄生参数。本发明主要针对这一问题，提出一种在SBD器件中直接集成RC snubber结构，吸收缓和高频尖峰，抑制电路中的EMI，使电路系统更加紧凑和可靠。
技术实现要素：
针对现有技术中存在的问题，本发明的目的在于提供一种集成了周边RC snubber结构的碳化硅SBD器件元胞结构，其通过在碳化硅SBD器件元胞中集成RC snubber结构，能在一个紧凑的封装中直接吸收SBD开关过程中的高频电压尖峰，增强SBD器件的耐压能力和抗干扰能力，增强器件可靠性，减少电路设计中需要匹配的snubber元件。
为实现上述目的，本发明采用以下技术方案：
一种集成了周边RC snubber结构的碳化硅SBD器件元胞结构，所述元胞结构的JTE区外围和划片道之间设置了多个深沟槽结构，所述深沟槽结构内依次填充高介电常数介质和多晶硅/致密性孔洞填充特性好的金属，并从所述多晶硅/致密性孔洞填充特性好的金属上用金属引出RC电极。
进一步，所述深沟槽结构由ICP，RIE或激光烧孔工艺制作而成。
进一步，所述高介电常数介质为SiO2、SiNx、Al2O3、AlN、HfO2、MgO、Sc2O3、Ga2O3、AlHFOx、HFSiON中的一种或任意几种。
进一步，所述致密性孔洞填充特性好的金属为钨或钛。
本发明具有以下有益技术效果：
本申请通过在碳化硅SBD器件元胞中集成了周边RC snubber结构，该器件结构JTE区外围和划片道之间构造了多个深沟槽结构，深沟槽中依次填充高介电常数介质和多晶硅/致密性孔洞填充特性好的金属，形成RC结构，并从多晶硅/致密性孔洞填充特性好的金属上用金属引出RC电极。器件工作时，RC电极可以直接和SBD阳极相连，也可以单独引出匹配其他离散元件。本申请通过在碳化硅SBD器件元胞中集成RC snubber结构，能在一个紧凑的封装中直接吸收SBD开关过程中的高频电压尖峰，增强SBD器件的耐压能力和抗干扰能力，增强器件可靠性，减少电路设计中需要匹配的snubber离散元件。
附图说明
图1为本发明的集成了周边RC snubber结构的碳化硅SBD器件结构示意图。
具体实施方式
下面，参考附图，对本发明进行更全面的说明，附图中示出了本发明的示例性实施例。然而，本发明可以体现为多种不同形式，并不应理解为局限于这里叙述的示例性实施例。而是，提供这些实施例，从而使本发明全面和完整，并将本发明的范围完全地传达给本领域的普通技术人员。
如图1所示，本发明提供了一种集成了周边RC snubber结构的碳化硅SBD器件元胞结构，所述元胞结构的JTE区外围和划片道1之间设置了多个深沟槽结构2，所述深沟槽结构2内依次填充高介电常数介质和多晶硅/致密性孔洞填充特性好的金属3，并从所述多晶硅/致密性孔洞填充特性好的金属上用金属引出RC电极4。
深沟槽结构2由ICP，RIE或激光烧孔工艺制作而成。高介电常数介质为SiO2、SiNx、Al2O3、AlN、HfO2、MgO、Sc2O3、Ga2O3、AlHFOx、HFSiON中的一种或任意几种。致密性孔洞填充特性好的金属为钨或钛。
器件工作时，RC电极可以直接和SBD阳极相连，也可以单独引出匹配其他离散元件。本申请通过在碳化硅SBD器件元胞中集成RC snubber结构，能在一个紧凑的封装中直接吸收SBD开关过程中的高频电压尖峰，增强SBD器件的耐压能力和抗干扰能力，增强器件可靠性，减少电路设计中需要匹配的snubber元件。
上面所述只是为了说明本发明，应该理解为本发明并不局限于以上实施例，符合本发明思想的各种变通形式均在本发明的保护范围之内。