用于形成应力降低装置的方法与流程

技术总结
本发明的实施例提供了一种形成应力降低装置的方法。该方法包括：在衬底上形成金属通孔；在所述衬底上沉积应力降低层；对所述应力降低层施加蚀刻工艺以在所述金属通孔上方形成沟槽；用导电材料填充所述沟槽以形成金属结构；以及在所述应力降低层和所述金属结构的上端形成蚀刻阻挡层，其中，所述金属结构的上端包括形成在所述应力降低层中的凸缘部分。

技术研发人员：吕盈缔;陈文昭;毛明瑞;蔡冠智
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2012.06.20
技术公布日：2018.06.19