于2017年3月13日提交至韩国知识产权局且发明名称为“有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法”的第10-2017-0030982号韩国专利申请以其整体通过引用并入本文。
一个或多个实施方式涉及有机发光显示装置和制造有机发光显示装置的方法。
背景技术：
有机发光显示装置是包括空穴注入电极、电子注入电极和形成在空穴注入电极与电子注入电极之间的有机发射层的自发射型显示装置；并且当从空穴注入电极注入的空穴和从电子注入电极注入的电子在有机发射层中重新结合时发射光。有机发光显示装置具有诸如功耗低、亮度高和响应快的优点，且因此作为下一代显示装置受到瞩目。
技术实现要素：
实施方式涉及有机发光显示装置，该有机发光显示装置包括衬底、第一第一电极、第一有机功能层、第一第二电极、第二第一电极、第二有机功能层、第二第二电极和自组装层，其中，第一第一电极位于衬底上，第一有机功能层位于第一第一电极上且包括第一发射层，第一第二电极位于第一有机功能层上，第二第一电极位于衬底上且与第一第一电极间隔开，第二有机功能层位于第二第一电极上且包括第二发射层，第二第二电极位于第二有机功能层上，自组装层位于第一有机功能层与第二有机功能层之间且包含氟。
从第一发射层发射的光的颜色可与从第二发射层发射的光的颜色不同。
第一有机功能层和第二有机功能层中的每个还可包括空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少之一。
有机发光显示装置还可包括像素限定层，像素限定层包括绝缘层并且覆盖第一第一电极的边缘和第二第一电极的边缘。
第一有机功能层的边缘部分和第二有机功能层的边缘部分可位于像素限定层的倾斜表面上。
自组装层可位于像素限定层上并且可围绕第一有机功能层和第二有机功能层。
自组装层可与第一有机功能层的端部和第二有机功能层的端部间隔开预设间隔。
自组装层可位于像素限定层下方并且可围绕第一第一电极和第二第一电极的外围。
自组装层可与第一第一电极的端部和第二第一电极的端部重叠。
自组装层可包括碳氟化合物基团(-cf3)。
第一第一电极和第二第一电极可包括导电氧化物。
第一第一电极和第二第一电极可包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、锌氧化物、铟氧化物、铟镓氧化物和锌铝氧化物中的至少之一。
有机发光显示装置还可包括一体地形成在第一第二电极和第二第二电极上的公共电极。
实施方式还涉及制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：在衬底上形成第一第一电极和第二第一电极使得第一第一电极和第二第一电极彼此间隔开；在第一第一电极和第二第一电极上形成包含氟的自组装层；在自组装层上顺序地形成第一剥离层和第一光刻胶；移除第一剥离层在与第一第一电极对应的区域中的部分和第一光刻胶在与第一第一电极对应的区域中的部分并使得自组装层保留；通过执行第一等离子热处理移除自组装层的位于第一第一电极上的部分，以及在第一第一电极上顺序地形成第一有机功能层和第一第二电极，其中，第一有机功能层包括第一发射层，以及剥离第一剥离层的剩余部分。
第一剥离层可具有从20wt％变动至60wt％的氟含量。
第一有机功能层和第一第二电极可通过淀积处理形成。
移除第一光刻胶的上述部分可包括执行光刻处理。
第一剥离层可通过使用包含氟的第一溶剂来进行蚀刻和移除。
自组装层可通过气相沉积方法来形成。
自组装层可包括可水解的反应基团和含氟官能团。
该方法还可包括在剥离第一剥离层的残留部分之后顺序地形成第二剥离层和第二光刻胶，移除第二剥离层在与第二第一电极对应的区域中的部分和第二光刻胶在与第二第一电极对应的区域中的部分并使得自组装层保留，通过执行第二等离子热处理移除自组装层的位于第二第一电极上的部分，在第二第一电极上顺序地形成第二有机功能层和第二第二电极，其中，第二有机功能层包括第二发射层，以及剥离第二剥离层的剩余部分。
该方法还可包括在第一第一电极与第二第一电极之间形成包括绝缘层的像素限定层。
自组装层可形成在像素限定层上。
自组装层可形成在像素限定层下方。
该方法还可包括在第一第二电极和第二第二电极上以一体形式形成公共电极。
实施方式还涉及制造有机发光显示装置的方法，该方法包括：在衬底上形成第一第一电极和第二第一电极使得第一第一电极和第二第一电极彼此间隔开；在第一第一电极和第二第一电极上形成第一自组装层；在第一自组装层上形成第一光刻胶；移除第一光刻胶在与第一第一电极对应的区域中的部分并使得第一自组装层保留，通过执行第一等离子热处理移除第一自组装层的位于第一第一电极上的部分，以及在第一第一电极上顺序地形成第一有机功能层和第一第二电极。第一有机功能层包括第一发射层，以及剥离第一光刻胶的剩余部分和第一自组装层的剩余部分。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施方式，特征将对本领域技术人员变得显而易见，在附图中：
图1示出根据实施方式的有机发光显示装置的剖视图；
图2示出根据图1中所示的实施方式的有机发光显示装置的一部分的平面图；
图3示出用于说明在根据图1中所示的实施方式的有机发光显示装置的衬底上形成多个阳极的剖视图；
图4示出用于说明在根据图1中所示的实施方式的有机发光显示装置中形成像素限定层的剖视图；
图5a至图5f示出用于说明形成根据图1中所示的实施方式的有机发光显示装置的第一单元过程的步骤的剖视图；
图6a至图6f示出用于说明形成根据图1中所示的实施方式的有机发光显示装置的第二单元过程的步骤的剖视图；
图7a至图7f示出用于说明形成根据图1中所示的实施方式的有机发光显示装置的第三单元过程的步骤的剖视图；
图8示出根据实施方式的有机发光显示装置的剖视图；
图9示出根据图8中所示的实施方式的有机发光显示装置的一部分的平面图；
图10示出用于说明在根据图8中所示的实施方式的有机发光显示装置的衬底上形成多个阳极和自组装单层的操作的剖视图；
图11示出用于说明在根据图8中所示的实施方式的有机发光显示装置中形成像素限定层的剖视图；
图12a至图12f示出用于说明形成根据图8中所示的实施方式的有机发光显示装置的第一单元过程的步骤的剖视图；
图13a至图13f示出用于说明形成根据图8中所示的实施方式的有机发光显示装置的第二单元过程的步骤的剖视图；
图14a至图14f示出用于说明形成根据图8中所示的实施方式的有机发光显示装置的第三单元过程的剖视图；
图15a至图15e示出用于说明形成根据实施方式的有机发光显示装置的第一单元过程的剖视图；
图16a至图16e示出用于说明形成根据实施方式的有机发光显示装置的第二单元过程的剖视图，该第二单元过程在图15a至图15e所示的第一单元过程之后；
图17a至图17e示出用于说明形成根据实施方式的有机发光显示装置的第三单元过程的剖视图，该第三单元过程在图16a至图16e所示的第二单元过程之后；
图18a至图18e示出用于说明形成根据比较示例的有机发光显示装置的第一单元过程的剖视图；
图19a至图19e示出用于说明根据比较示例的有机发光显示装置的第二单元过程的剖视图；
图20a至图20e示出用于说明根据比较示例的有机发光显示装置的第三单元过程的剖视图；以及
图21示出说明自组装单层的操作机制的视图。
具体实施方式
现将在下文中参照附图更充分地描述示例性实施方式；然而，它们可体现为不同的形式并且不应被解释为限于本文中所阐述的实施方式。更确切地，提供这些实施方式以使得本公开将是全面且完整的，并且将示例性实施例充分地传达给本领域技术人员。
在附图中，为清楚说明，层和区域的尺寸可能被放大。还将理解，当层或元件被称为位于另一层或衬底“上”时，其可以是直接位于该另一层或衬底上，或者也可存在介于其间的层。另外，将理解，当层被称为位于另一层的“下方”时，其可以是直接位于该另一层的下方，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。就这一点而言，除非另外提出，否则层或元件位于另一层或元件的“下方”的描述可解释为表示该层或元件比上述另一层或元件更接近衬底。此外，还将理解，当层被称为位于两个层“之间”时，其可以是该两个层之间的唯一的层，或者也可以存一个或多个介于其间的层。在说明书全文中，相同的附图标记表示相同的元件。
图1示出根据实施方式的有机发光显示装置1的剖视图，以及图2示出根据实施方式的有机发光显示装置1的一部分的平面图。
参照图1和图2，在有机发光显示装置1中，包括第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的多个阳极可以以彼此间隔开的关系位于衬底100上。
包括第一发射层至第三发射层的第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143可分别位于第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103上。包括导电材料的第一辅助阴极181、第二辅助阴极182和第三辅助阴极183可分别位于第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143上。一体形成的公共电极180可位于第一辅助阴极181、第二辅助阴极182和第三辅助阴极183上。(第一辅助阴极181、第二辅助阴极182和第三辅助阴极183也可被称为第一第二电极、第二第二电极和第三第二电极，从而不受极性的限制。例如，在某些实施例中，电极101、102和103可以是阴极，且电极180、181、182和183可以是阳极。)
包括绝缘材料的像素限定层110可覆盖第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的端部。像素限定层110可防止在第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的端部中的每个端部处的电场集中。
自组装单层150可位于像素限定层110上。自组装单层150可围绕第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143。自组装单层150可与第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143的端部间隔开预定距离d1。
自组装单层150可包括含氟官能团和可水解的反应基团。
含氟官能团可包括碳氟化合物(-cf3)。可水解的反应基团可包括硅树脂化合物。例如，自组装单层150可包括fots(1h,1h,2h,2h-全氟辛烷基三氯硅烷)、fdts(十七氟-1,1,2,2,-四氢癸基三氯硅烷)、fomms(cf3(cf2)5(ch2)2si(ch3)2cl)、fomds(cf3(cf2)5(ch2)2si(ch3)cl2)、fotes(cf3(cf2)5(ch2)2si(oc2h5)3)等。
自组装单层150可包括含甲基(-ch3)的疏水性官能团。例如，自组装单层150可包括十八烷基三氯硅烷(ots)、二氯二甲基硅烷(ddms)等。
相比于可水解的反应基团，含氟官能团可定位成距离第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103以及像素限定层110的表面更远。自组装单层150的含氟官能团相对于下文要描述的含氟的第一剥离层121(见图5a)可具有小的表面能差异。因此，第一剥离层121可均匀地形成在自组装单层150上，从而改善图案化精确度。此外，自组装单层150中所使用的术语“单层”不限于表示自组装单层150包括单分子。在本文中，术语“自组装层”可被使用为具有与术语“自组装单层”的含义相同的含义，以代替术语“自组装单层”。
参照图3至图7f，更详细地描述制造有机发光显示装置1的方法以及通过上述方法制造的有机发光显示装置1。
图3示出用于说明在有机发光显示装置1的衬底100上形成第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的剖视图。图4示出用于说明在有机发光显示装置1中形成像素限定层110的剖视图。图5a至图5f示出用于说明形成有机发光显示装置1的第一单元过程的剖视图。图6a至图6f示出用于说明有机发光显示装置1的第二单元过程的剖视图。图7a至图7f示出用于说明有机发光显示装置1的第三单元过程的剖视图。
参照图3，包括第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的多个阳极可形成在衬底100上。(第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103也可被称为第一第一电极、第二第一电极和第三第一电极，从而不受极性的限制。)
衬底100可包括适当的材料。例如，衬底100可包括玻璃或塑料。塑料的示例可包括具有极佳的耐热性和极佳的耐久性的材料，诸如聚酰亚胺、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚乙二醇对苯二甲酸酯、聚芳酯、聚碳酸酯、聚醚酰亚胺和聚醚砜。
衬底100上还可形成用于使衬底100的顶表面平坦并防止杂质渗透的缓冲层。例如，缓冲层可以是包括氮化硅、氧化硅和/或类似物的单个层或多个层。
第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103可以是空穴注入电极并且可包括具有高功函数的材料。第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103可各自包括透明导电氧化物成分。例如，第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103可包括选自铟锡氧化物、铟锌氧化物、锌氧化物、铟氧化物、铟镓氧化物和锌铝氧化物中的至少之一。第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103可各自为包括诸如银(ag)、铝(al)、镁(mg)、锂(li)或钙(ga)的金属和/或合金的单个层或多个层。
第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103可分别与第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管电接触，第一薄膜晶体管至第三薄膜晶体管位于衬底100与第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103之间。
参照图4，围绕第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的边缘的像素限定层110可形成在衬底100上。
第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的端部可以是尖锐的。因此，当在形成第一辅助阴极181、第二辅助阴极182和第三辅助阴极183之后施加电流时，存在电场可能在第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的端部上集中的可能性，且因此在操作期间可能发生电气短路。然而，如图1和图4所示，当第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的端部被像素限定层110覆盖时，可防止电场集中在第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的端部处。
像素限定层110可以是包括例如通用聚合物(诸如聚甲基丙烯酸甲酯(pmma)或聚苯乙烯(ps))、具有苯基的聚合物衍生物、基于丙烯醛基的聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于对二甲苯的聚合物、基于乙烯醇的聚合物或者它们的混合物的有机绝缘层。
参照图5a，自组装单层150、第一剥离层121和第一光刻胶131顺序地形成在衬底100上，该衬底100上形成有第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103。
自组装单层150可通过使用涂覆方法、印刷方法、沉积方法等形成。如上所述，自组装单层150可包括含氟官能团和可水解的反应基团。例如，如上所述，自组装单层150可包括fots(1h,1h,2h,2h-全氟辛烷基三氯硅烷)、fdts(十七氟-1,1,2,2,-四氢癸基三氯硅烷)、fomms(cf3(cf2)5(ch2)2si(ch3)2cl)、fomds(cf3(cf2)5(ch2)2si(ch3)cl2)、fotes(cf3(cf2)5(ch2)2si(oc2h5)3)等。
第一剥离层121可包括含氟聚合物。包括在第一剥离层121中的含氟聚合物可包括具有从约20wt％变动至约60wt％的氟含量的聚合物。例如，包括在第一剥离层121中的含氟聚合物可包括来自以下共聚物中的至少之一：聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯、聚二氯二氟乙烯、氯三氟乙烯和二氯氟乙烯的共聚物；四氟乙烯和全氟烷基乙烯醚的共聚物；氯三氟乙烯和全氟烷基乙烯醚的共聚物；四氟乙烯和全氟烷基乙烯醚的共聚物。
第一剥离层121可通过使用涂覆方法、印刷方法、沉积方法等形成。当第一剥离层121通过使用涂覆方法或印刷方法形成时，可以依照要求执行固化和聚合，且然后可执行形成第一光刻胶131的过程。
图21示意性地示出当自组装单层150形成在第一阳极101上时自组装单层150可能工作的机制。
例如，当包括fots的自组装单层150沉积在包括铟锡氧化物的第一阳极101上时，自组装单层150的包括硅的可水解的反应基团可引起与第一阳极101的表面的羟基(-oh)的水解与缩合反应。自组装单层150可与第一阳极101表面共价结合。这种共价结合可增加自组装单层150的表面与第一阳极101的表面之间的粘合力。
当包括含氟聚合物的第一剥离层121形成在自组装单层150上时，与第一剥离层121紧密接触的自组装单层150的含氟官能团可相对于第一剥离层121具有小的表面能差异。因此，第一剥离层121可均匀地形成在自组装单层150上。
第一光刻胶131可形成在第一剥离层121上。如图5a中所示，位于与第一阳极101对应的位置处的第一光刻胶131可通过包括区域m11和区域m12的第一光掩模m1曝光，其中光l通过区域m11传输。
参照图5b，第一光刻胶131可被显影。第一光刻胶131可以是正性光刻胶或负性光刻胶。在本实施方式中，假定第一光刻胶131是正性光刻胶。在被显影的第一光刻胶131中，对应于第一阳极101的第一部分131-1可被移除且除了第一部分131-1以外的第二部分131-2可保留。
参照图5c，第一剥离层121可通过将第一光刻胶131的第一部分131-1的图案用作蚀刻掩模而被蚀刻。
第一剥离层121可包括含氟聚合物。因此，可将蚀刻含氟聚合物的溶剂用作蚀刻剂。
可将包括氟的第一溶剂用作蚀刻剂。第一溶剂可包括氢氟醚，氢氟醚是由于与其他材料的相互作用低而电化学稳定且由于全球增温潜势低和毒性低而环境上稳定的材料。
第一剥离层121的形成在与第一部分131-1对应的位置处(即，第一阳极101的上方)的部分可在蚀刻过程期间被蚀刻。第一剥离层121可通过包括氟的第一溶剂蚀刻，以形成位于第一光刻胶131的第一部分131-1的边界表面下方的第一底切轮廓uc1。
当第一剥离层121被蚀刻时，自组装单层150可良好地结合至第一阳极101的顶表面。例如，如上所述，包括在自组装单层150中的包括硅的反应基团与第一阳极101的表面之间可发生水解与缩合反应。由于自组装单层150与第一阳极101的表面之间的共价结合,粘合强度可增大。
此外，包括在自组装单层150中的包括硅的反应基团与像素限定层110的表面材料之间可发生水解与缩合反应，且因此能够增加自组装单层150的表面与像素限定层110的表面之间的粘合强度。当第一剥离层121被蚀刻时，自组装单层150可良好地结合至像素限定层110的顶表面。
参照图5d，自组装单层150的位于第一阳极101上的部分可通过在图5c中所示的结构上执行第一等离子热处理pt1来移除。
图21中所示的第一阳极101与自组装单层150之间的si-o键可通过第一等离子热处理pt1完全断裂。关于这一点，如果第一剥离层121在形成第一阳极101之后在不形成自组装单层150的情况下直接形成在第一阳极101上，且在随后的过程中被移除，则第一剥离层121的残渣可能残留在第一阳极101上，从而引起污染。然而，在本实施方式中，自组装单层150可形成在第一阳极101与第一剥离层121之间以防止第一剥离层121的残渣残留在第一阳极101上，从而防止有机发光显示装置1的劣化。
参照图5e，包括第一发射层的第一有机功能层141和第一辅助阴极181可顺序地形成在图5d中所示的结构上。
第一有机功能层141还可包括选自空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
第一有机功能层141可通过真空沉积方法形成。在沉积过程中，第一剥离层121和第一光刻胶131可起到掩模的作用。第一有机功能层141的一部分可形成在与第一部分131-1对应的位置处，即，第一阳极101的上方，并且第一有机功能层141的其他部分可形成在第一光刻胶131的第二部分131-2上。
与第一有机功能层141类似地，第一辅助阴极181也可通过使用真空沉积方法形成。在沉积过程中，第一剥离层121和第一光刻胶131可起到掩模的作用。第一辅助阴极181的一部分可形成为覆盖第一有机功能层141的顶表面，并且第一辅助阴极181的其他部分可形成在位于第一光刻胶131的除了第一部分131-1以外的第二部分131-2上的第一有机功能层141上。
第一辅助阴极181可包括与阴极180的材料相同的材料，阴极180是待在下文描述的公共电极。在某些实施方式中，第一辅助阴极181可包括与阴极180的材料不同的材料。第一辅助阴极181可起到屏障的作用，以保护第一有机功能层141免受在后续的剥离过程中使用的溶剂的影响。
参照图5f，可在图5e中所示的结构上执行剥离处理。
第一剥离层121可包括含氟聚合物。因此，在剥离过程中可使用包括氟的第二溶剂。可形成第一有机功能层141，且然后可执行剥离处理。因此，第二溶剂可包括与第一有机功能层141具有低反应性的材料。与第一溶剂类似，第二溶剂可包括氢氟醚。
当形成在第一光刻胶131的第二部分131-2(见图5e)下方的第一剥离层121被剥离时，第一有机功能层141和第一辅助阴极181的形成在第一光刻胶131的第二部分131-2上的部分可被移除。第一有机功能层141和第一辅助阴极181的形成在第一阳极101上方的部分可作为图案保留。
形成在像素限定层110上的自组装单层150不被移除。如上所述，由于包括在自组装单层150中的包括硅的反应基团与像素限定层110的表面材料之间的水解与缩合反应，自组装单层150的表面与像素限定层110的表面之间的粘合强度高。因此，当第一剥离层121被剥离时，自组装单层150可良好地结合至像素限定层110的顶表面。
在执行第一单元过程之后，可在第二阳极102所在的区域上执行形成第二有机功能层142的第二单元过程，第二有机功能层142可发射与由第一有机功能层141发射的光不同颜色的光。现将参照图6a至图6f描述第二单元过程。
参照图6a，第二剥离层122和第二光刻胶132可顺序地形成在图5f中所示的结构上。
第二剥离层122可包括含氟聚合物。第二剥离层122可包括与第一剥离层121的材料相同的材料，并且可通过使用涂覆方法、印刷方法或沉积方法形成。
第二光刻胶132可形成在第二剥离层122上。第二光刻胶132可通过包括区域m21和区域m22的第二光掩模m2曝光，其中光l通过区域m21传输，且区域m21位于与第二阳极102对应的位置处。
参照图6b，第二光刻胶132可被显影。在第二光刻胶132中，对应于第二阳极102的第一部分132-1可被移除，且除了第一部分132-1以外的第二部分132-2可保留。
参照图6c，第二剥离层122可通过将第二光刻胶132的第一部分132-1的图案用作蚀刻掩模进行蚀刻。
第二剥离层122包括含氟聚合物。因此，可将蚀刻含氟聚合物的溶剂用作蚀刻剂。例如，可将包括氟的第一溶剂用作蚀刻剂。第一溶剂可包括氢氟醚。
第二剥离层122的形成在与第一部分132-1对应的位置处(即，第二阳极102的上方)的部分可在蚀刻过程期间被蚀刻。第二剥离层122可通过包括氟的第一溶剂蚀刻，以形成位于第二光刻胶132的第一部分132-1的边界表面下方的第二底切轮廓uc2。
当第二剥离层122被蚀刻时，自组装单层150可良好地结合至第二阳极102的顶表面。此外，当第二剥离层122被蚀刻时，自组装单层150可良好地结合至像素限定层110的顶表面。
参照图6d，自组装单层150的位于第二阳极102上的部分可通过在图6c中所示的结构上执行第二等离子热处理pt2来移除。
第二阳极102与自组装单层150之间的si-o键可通过第二等离子热处理pt2完全断裂。因此，第二剥离层122的残渣可以不残留在第二阳极102上。
参照图6e，包括第二发射层的第二有机功能层142和第二辅助阴极182可顺序地形成在图6d中所示的结构上。
第二有机功能层142还可包括选自空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
第二有机功能层142可通过使用真空沉积方法形成。在沉积过程中，第二剥离层122和第二光刻胶132可起到掩模的作用。第二有机功能层142的一部分可形成在与第一部分132-1对应的位置处，即，第二阳极102的上方，并且第二有机功能层142的另一部分可形成在第二光刻胶132的第二部分132-2上。
与第二有机功能层142类似，第二辅助阴极182可通过使用真空沉积方法形成。在沉积过程中，第二剥离层122和第二光刻胶132可起到掩模的作用。第二辅助阴极182的一部分可形成为覆盖第二有机功能层142的顶表面，并且第二辅助阴极182的另一部分可形成在位于第二光刻胶132的第二部分132-2上的第二有机功能层142上。
第二辅助阴极182可包括与阴极180的材料相同的材料，阴极180也就是待在下文描述的公共电极。在某些实施方式中，第二辅助阴极182可包括与阴极180的材料不同的材料。第二辅助阴极182可起到屏障的作用，以保护第二有机功能层142免受在后续的剥离过程中使用的溶剂的影响。
参照图6f，可在图6e中所示的结构上执行剥离处理。
第二剥离层122包括含氟聚合物。因此，在剥离过程中可使用包括氟的第二溶剂。可形成第二有机功能层142，且然后可执行剥离处理。因此，第二溶剂可包括与第二有机功能层142具有低反应性的材料。与第一溶剂类似地，第二溶剂可包括氢氟醚。
当形成在第二光刻胶132的第二部分132-2(见图6e)下方的第二剥离层122被剥离时，第二有机功能层142和第二辅助阴极182的形成在第二光刻胶132的第二部分132-2上的部分可被移除。第二有机功能层142和第二辅助阴极182的形成在第二阳极102上方的部分可作为图案保留。
如上所述，自组装单层150与像素限定层110之间的粘合强度能足以使得形成在像素限定层110上的自组装单层150在第二剥离层122被剥离时不被移除。
在执行第二单元过程之后，可在第三阳极103所在区域上执行形成第三有机功能层143的第三单元过程，第三有机功能层143可发射与由第一有机功能层141和第二有机功能层142发射的光不同颜色的光。现将参照图7a至图7f描述第三单元过程。
参照图7a，第三剥离层123和第三光刻胶133可顺序地形成在图6f中所示的结构上。
第三剥离层123可包括含氟聚合物。第三剥离层123可包括与第一剥离层121和第二剥离层122的材料相同的材料，并且可通过使用涂覆方法、印刷方法或沉积方法形成。
第三光刻胶133可形成在第三剥离层123上。位于与第三阳极103对应的位置处的第三光刻胶133可通过包括区域m31和区域m32的第三光掩模m3曝光，其中光l通过区域m31传输。
参照图7b，第三光刻胶133可被显影。在第三光刻胶133中，对应于第三阳极103的第一部分133-1可被移除，且除了第一部分133-1以外的第二部分133-2可保留。
参照图7c，第三剥离层123可通过将第三光刻胶133的第一部分133-1的图案用作蚀刻掩模进行蚀刻。
第三剥离层123可包括含氟聚合物。因此，可将蚀刻含氟聚合物的溶剂用作蚀刻剂。例如，可将包括氟的第一溶剂用作蚀刻剂。第一溶剂可包括氢氟醚。
第三剥离层123的形成在与第一部分133-1对应的位置处(即，第三阳极103的上方)的部分可在蚀刻过程期间被蚀刻。第三剥离层123可通过包括氟的第一溶剂被蚀刻，以形成位于第三光刻胶133的第一部分133-1的边界表面下方的第三底切轮廓uc3。
当第三剥离层123被蚀刻时，自组装单层150可良好地结合至第三阳极103的顶表面。此外，当第三剥离层123被蚀刻时，自组装单层150可良好地结合至像素限定层110的顶表面。
参照图7d，自组装单层150的位于第三阳极103上的部分可通过在图7c中所示的结构上执行第三等离子热处理pt3来移除。
第三阳极103与自组装单层150之间的si-o键可通过第三等离子热pt3处理完全断裂。因此，第三剥离层123的残渣可以不残留在第三阳极103上。
参照图7e，包括第三发射层的第三有机功能层143和第三辅助阴极183可顺序地形成在图7d中所示的结构上。
第三有机功能层143还可包括选自空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
第三有机功能层143可通过使用真空沉积方法形成。在沉积过程中，第三剥离层123和第三光刻胶133可起到掩模的作用。第三有机功能层143的一部分可形成在与第一部分133-1对应的位置处，即，第三阳极103的上方，并且第三有机功能层143的另一部分可形成在第三光刻胶133的第二部分133-2上。
与第三有机功能层143类似，第三辅助阴极183可通过使用真空沉积方法形成。在沉积过程中，第三剥离层123和第三光刻胶133可起到掩模的作用。第三辅助阴极183的一部分可形成为覆盖第三有机功能层143的顶表面，并且第三辅助阴极183的另一部分可形成在位于第三光刻胶133的第二部分133-2上的第三有机功能层143上。
第三辅助阴极183可包括与阴极180的材料相同的材料，阴极180也就是待在下文描述的公共电极。在某些实施方式中，第三辅助阴极183可包括与阴极180的材料不同的材料。第三辅助阴极183可起到屏障的作用，以保护第三有机功能层143免受在后续的剥离过程中使用的溶剂的影响。
参照图7f，可在图7e中所示的结构上执行剥离处理。
第三剥离层123可包括含氟聚合物。因此，在剥离过程中可使用包括氟的第二溶剂。可形成第三有机功能层143，且然后执行剥离处理。因此，第二溶剂可包括与第三有机功能层143具有低反应性的材料。与第一溶剂类似，第二溶剂可包括氢氟醚。
当形成在第三光刻胶133的第二部分133-2(见图7e)下方的第三剥离层123被剥离时，第三有机功能层143和第三辅助阴极183的形成在第三光刻胶133的第二部分133-2上的部分可被移除，且第三有机功能层143和第三辅助阴极183的形成在第三阳极103上方的部分可作为图案保留。
如上所述，自组装单层150与像素限定层110之间的粘合强度能足以使得形成在像素限定层110上的自组装单层150在第三剥离层123被剥离时不被移除。
第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143可发射不同颜色的光。当由第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143发射的不同颜色的光被混合时，可形成白光。例如，第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143可分别发射红光、绿光和蓝光。例如，第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143可以是构成有机发光显示装置1的单位像素的子像素的元件。
图1中所示的有机发光显示装置1可表示一个单位像素。实施方式也可适用于包括与图1中所示的单位像素相同的多个单位像素的有机发光显示装置。例如，发射第一颜色的多个第一有机功能层141可通过使用第一单元过程同时形成为第一子像素。发射第二颜色的多个第二有机功能层142可通过使用第二单元过程同时形成为第二子像素。发射第三颜色的多个第三有机功能层143可通过使用第三单元过程同时形成为第三子像素。通过第一单元过程至第三单元过程，可实现全彩色。
在本实施方式中，当自组装单层150形成在阳极与剥离层之间，而不使剥离层直接形成在阳极上时，自组装单层150可防止剥离层的残留膜留在阳极上，且因此能够防止有机发光显示装置1的劣化。
在下文中，参照图18a至图20e描述根据比较示例的制造有机发光显示装置4的方法。
图18a至图18e示出用于说明根据比较示例的有机发光显示装置4的第一单元过程的剖视图。图19a至图19e示出用于说明根据比较示例的有机发光显示装置4的第二单元过程的剖视图。图20a至图20e示出用于说明根据比较示例的有机发光显示装置4的第三单元过程的剖视图。
参照图18a，包括含氟聚合物的第一剥离层121形成在衬底100上，衬底100上形成有第一阳极101至第三阳极103以及覆盖第一阳极101至第三阳极103的端部的像素限定层110，且第一光刻胶131形成在第一剥离层121上。位于与第一阳极101对应的位置处的第一光刻胶131通过包括区域m11和区域m12的第一光掩模m1曝光，其中光l通过区域m11传输。
参照图18b，第一光刻胶131被图案化。被曝光并显影的第一光刻胶131在与第一阳极101对应的第一部分131-1处被移除且在除了第一部分131-1以外的第二部分131-2处保留。
参照图18c，第一剥离层121通过将图18b的第一光刻胶131的图案用作蚀刻掩模并使用包括氟的第一溶剂(未示出)而被蚀刻。在刻蚀处理期间，第一剥离层121的形成在与第一部分131-1对应的位置处(即，位于第一阳极101上)的部分被蚀刻。第一剥离层121被蚀刻以形成位于第一光刻胶131的第一部分131-1的边界表面下方的第一底切轮廓uc1。当第一剥离层121在执行蚀刻处理之后被剥掉时，第一剥离层121的不合需要的残渣可能残留在第一阳极101上。
参照图18d，第一有机功能层141和第一辅助阴极181顺序地形成在图18c的结构上。
参照图18e，执行第一剥离处理，使得第一剥离层121的剩余部分完全地被移除，且其结果，第一有机功能层141和第一辅助阴极181作为第一阳极101上的图案被保留。
在完成第一单元过程之后，在第二阳极102所在的区域处执行第二单元过程。
参照图19a，第二剥离层122和第二光刻胶132顺序地形成在图18e的结构上。
参照图19b，第二光刻胶132被图案化。被曝光并显影的第二光刻胶132被图案化为在与第二阳极102对应的第一部分132-1处被移除，且在除了第一部分132-1以外的第二部分132-2处被保留。
参照图19c，第二剥离层122通过将图19b的第二光刻胶132的图案用作蚀刻掩模并使用包括氟的第一溶剂(未示出)进行蚀刻。在刻蚀处理期间，第二剥离层122的形成在与第一部分132-1对应的位置处(即，位于第二阳极102上)的部分被蚀刻。第二剥离层122被蚀刻以形成位于第二光刻胶132的第一部分132-1的边界表面下方的第二底切轮廓uc2。当第二剥离层122在执行蚀刻处理之后被剥掉时，第二剥离层122的不合需要的残渣可能残留在第二阳极102。
参照图19d，第二有机功能层142和第二辅助阴极182顺序地形成在图19c的结构上。
参照图19e，执行第二剥离处理，使得第二剥离层122的剩余部分完全地被移除，且其结果，第二有机功能层142和第二辅助阴极182作为第二阳极102上的图案被保留。
在完成第二单元过程之后，在第三阳极103所在的区域上执行第三单元过程。
参照图20a，第三剥离层123和第三光刻胶133顺序地形成在图19e的结构上。
参照图20b，第三光刻胶133被图案化。被曝光并显影的第三光刻胶133被图案化为在与第三阳极103对应的第一部分133-1处被移除，且在除了第一部分133-1以外的第二部分133-2处被保留。
参照图20c，第三剥离层123通过将图20b的第三光刻胶133的图案用作蚀刻掩模并使用包括氟的第一溶剂(未示出)进行蚀刻。在刻蚀处理期间，第三剥离层123的形成在与第一部分133-1对应的位置处(即，位于第三阳极103上)的部分被蚀刻。第三剥离层123被蚀刻为形成位于第三光刻胶133的第一部分133-1的边界表面下方的第三底切轮廓uc3。当第三剥离层123在执行蚀刻处理之后被剥掉时，第三剥离层123的不合需要的残渣可能残留在第三阳极103上。
参照图20d，第三有机功能层143和第三辅助阴极183顺序地形成在图20c的结构上。
参照图20e，执行第三剥离处理，使得第三剥离层123的剩余部分完全地被移除，且其结果，第三有机功能层143和第三辅助阴极183作为第三阳极103上的图案保留。
也就是说，根据比较示例，当剥离层直接形成在阳极上且然后被图案化时，可能不能防止剥离层的残留膜残留在阳极上。
在下文中，参照图8至图14f，公开了根据实施方式的有机发光显示装置2以及制造有机发光显示装置2的方法。
图8示出根据实施方式的有机发光显示装置2的剖视图，以及图9示出根据实施方式的有机发光显示装置2的一部分的平面图。
参照图8和图9，可设置包括在衬底100上彼此间隔开的第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的多个阳极。分别包括第一发射层至第三发射层的第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143可分别位于第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103上。包括导电材料的第一辅助阴极181、第二辅助阴极182和第三辅助阴极183可分别位于第一有机功能层141、第二有机功能层142和第三有机功能层143上。一体形成的公共电极180可位于第一辅助阴极181、第二辅助阴极182和第三辅助阴极183上。
在根据实施方式的有机发光显示装置2中，自组装单层150可围绕第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103，并且像素限定层110可形成在自组装单层150上。例如，自组装单层150的部分可位于像素限定层110的下方。在该实施方式中，自组装单层150可与第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的端部重叠预定厚度d2。在下文中，可能省略该实施方式的与图1中所示的上述实施方式的描述相同的描述。
参照图10，包括第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的多个阳极可形成在衬底100上，并且自组装单层150可形成在多个阳极上方。
参照图11，像素限定层110可形成为围绕第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的边缘。在这种情况下，像素限定层110的端部可与自组装单层150的端部重叠。自组装单层150可包括含氟官能团和可水解的反应基团。
参照图12a，第一剥离层121与第一光刻胶131可顺序地形成在图11中所示的结构上。
第一剥离层121可包括含氟聚合物并且可通过使用涂覆方法、印刷方法或沉积方法形成。第一光刻胶131可形成在第一剥离层121上。位于与第一阳极101对应的位置处的第一光刻胶131可通过包括区域m11和区域m12的第一光掩模m1曝光，其中光l通过区域m11传输。
与第一剥离层121紧密接触的自组装单层150的含氟官能团可相对于第一剥离层121具有小的表面能差异，且因此第一剥离层121可均匀地形成在自组装单层150上。
参照图12b，第一光刻胶131可被显影。在被显影的第一光刻胶131中，对应于第一阳极101的第一部分131-1可被移除且除了第一部分131-1以外的第二部分131-2可被保留。
参照图12c，第一剥离层121可通过将第一光刻胶131的第一部分131-1的图案用作蚀刻掩模进行蚀刻。在刻蚀处理期间，第一剥离层121的形成在与第一部分131-1对应的位置处(即，位于第一阳极101的上方)的部分可被蚀刻。第一剥离层121可通过包括氟的第一溶剂被蚀刻，以形成位于第一光刻胶131的第一部分131-1的边界表面下方的第一底切轮廓uc1。
当第一剥离层121被蚀刻时，自组装单层150可良好地结合至第一阳极101的顶表面。
参照图12d，自组装单层150的位于第一阳极101上的部分可通过在图12c中所示的结构上执行第一等离子热处理pt1来移除。
图21中所示的第一阳极101与自组装单层150之间的si-o键可通过第一等离子热处理pt1完全断裂。
参照图12e，包括第一发射层的第一有机功能层141和第一辅助阴极181顺序地形成在图12d中所示的结构上。第一有机功能层141的一部分可形成在与第一部分131-1对应的位置处，即，第一阳极101的上方，并且第一有机功能层141的另一部分可形成在第一光刻胶131的第二部分131-2上。第一辅助阴极181的一部分可形成为覆盖第一有机功能层141的顶表面，并且第一辅助阴极181的另一部分可形成在位于第一光刻胶131的除了第一部分131-1以外的第二部分131-2上的第一有机功能层141上。
参照图12f，可在图12e中所示的结构上执行剥离处理。当形成在第一光刻胶131的第二部分131-2(见图12e)下方的第一剥离层121被剥离时，第一有机功能层141和第一辅助阴极181的形成在第一光刻胶131的第二部分131-2上的部分可被移除，且第一有机功能层141和第一辅助阴极181的形成在第一阳极101上方的部分可作为图案保留。
在执行第一单元过程之后，可在第二阳极102所在区域上执行形成第二有机功能层142的第二单元过程，第二有机功能层142发射与由第一有机功能层141发射的光的颜色不同颜色的光。现将参照图13a至图13f描述第二单元过程。
参照图13a，第二剥离层122和第二光刻胶132可顺序地形成在图12f中所示的结构上。位于与第二阳极102对应的位置处的第二光刻胶132可通过包括区域m21和区域m22的第二光掩模m2曝光，其中光l通过区域m21传输。
与第二剥离层122紧密接触的自组装单层150的含氟官能团可相对于第二剥离层122具有小的表面能差异，且因此第二剥离层122可均匀地形成在自组装单层150上。
参照图13b，第二光刻胶132可被显影。在第二光刻胶132中，对应于第二阳极102的第一部分132-1被移除，且除了第一部分132-1以外的第二部分132-2可被保留。
参照图13c，第二剥离层122可通过将第二光刻胶132的第一部分132-1的图案用作蚀刻掩模进行蚀刻。第二剥离层122的形成在与第一部分132-1对应的位置处(即，第二阳极102的上方)的部分可在蚀刻过程期间被蚀刻。第二剥离层122可通过包括氟的第一溶剂被蚀刻，以形成位于第二光刻胶132的第一部分132-1的边界表面下方的第二底切轮廓uc2。当第二剥离层122被蚀刻时，自组装单层150可良好地结合至第二阳极102的顶表面。
参照图13d，自组装单层150的位于第二阳极102上的部分可通过在图13c中所示的结构上执行第二等离子热处理pt2来移除。第二阳极102与自组装单层150之间的si-o键可通过第二等离子热处理pt2完全断裂。
参照图13e，包括第二发射层的第二有机功能层142和第二辅助阴极182可顺序地形成在图13d中所示的结构上。第二有机功能层142的一部分可形成在与第一部分132-1对应的位置处，即，第二阳极102的上方，并且第二有机功能层142的其它部分可形成在第二光刻胶132的第二部分132-2上。第二辅助阴极182的一部分可形成为覆盖第二有机功能层142的顶表面，并且第二辅助阴极182的其它部分可形成在位于第二光刻胶132的除了第一部分132-1以外的第二部分132-2上的第二有机功能层142上。
参照图13f，可在图13e中所示的结构上执行剥离处理。当形成在第二光刻胶132的第二部分132-2下方的第二剥离层122被剥离时，第二有机功能层142和第二辅助阴极182的形成在第二光刻胶132的第二部分132-2上方的部分可被移除，且第二有机功能层142和第二辅助阴极182的形成在第二阳极102上方的部分可作为图案保留。
在执行第二单元过程之后，可在第三阳极103所在区域上执行形成第三有机功能层143的第三单元过程，第三有机功能层143发射与由第一有机功能层141和第二有机功能层142发射的光的颜色不同颜色的光。现将参照图14a至图14f描述第三单元过程。
参照图14a，第三剥离层123和第三光刻胶133可顺序地形成在图13f中所示的结构上。位于与第三阳极103对应的位置处的第三光刻胶133可通过包括区域m31和m32的第三光掩模m3曝光，其中光l通过区域m31传输。
与第三剥离层123紧密接触的自组装单层150的含氟官能团可相对于第三剥离层123具有小的表面能差异，且因此第三剥离层123可均匀地形成在自组装单层150上。
参照图14b，第三光刻胶133可被显影。在第三光刻胶133中，对应于第三阳极103的第一部分133-1可被移除，且除了第一部分133-1以外的第二部分133-2可被保留。
参照图14c，第三剥离层123可通过将第三光刻胶133的第一部分133-1的图案用作蚀刻掩模进行蚀刻。第三剥离层123的形成在与第一部分133-1对应的位置处(即，第三阳极103的上方)的部分可在蚀刻过程期间被蚀刻。第三剥离层123可通过包括氟的第一溶剂被蚀刻，以形成位于第三光刻胶133的第一部分133-1的边界表面下方的第三底切轮廓uc3。当第三剥离层123被蚀刻时，自组装单层150可良好地结合至第三阳极103的顶表面。
参照图14d，自组装单层150的位于第三阳极103上的部分可通过在图14c中所示的结构上执行第三等离子热处理pt3来移除。第三阳极103与自组装单层150之间的si-o键可通过第三等离子热处理pt3完全断裂。
参照图14e，包括第三发射层的第三有机功能层143和第三辅助阴极183可顺序地形成在图14d中所示的结构上。第三有机功能层143的一部分可形成在与第一部分133-1对应的位置处，即，第三阳极103的上方，并且第三有机功能层143的另一部分可形成在第三光刻胶133的第二部分133-2上。第三辅助阴极183的一部分可形成为覆盖第三有机功能层143的顶表面，并且第三辅助阴极183的另一部分可形成在位于第三光刻胶133的除了第一部分133-1以外的第二部分133-2上的第三有机功能层143上。
参照图14f，可在图14e中所示的结构上执行剥离处理。当形成在第三光刻胶133的第二部分133-2下方的第三剥离层123被剥离时，第三有机功能层143和第三辅助阴极183的形成在第三光刻胶133的第二部分133-2上的部分可被移除，且第三有机功能层143和第三辅助阴极183的形成在第三阳极103上方的部分可作为图案保留。
在下文中，将参照图15a至图17e简要描述根据实施方式的制造有机发光显示装置3的方法。
本实施方式与先前的实施方式的不同之处在于，自组装单层用作剥离层，而不是独立地使用剥离层和自组装单层。
图15a至图15e示出用于说明根据实施方式的有机发光显示装置3的第一单元过程的剖视图。
参照图15a，第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103可形成在衬底100上，且限定多个像素的像素限定层110可形成为覆盖第一阳极101、第二阳极102和第三阳极103的端部。在形成像素限定层110之后，可形成第一自组装单层151。第一光刻胶131可形成在第一自组装单层151上。
第一自组装单层151可包括可水解的反应基团和含氟官能团。在本实施方式中，如上所述，第一光刻胶131可形成在第一自组装单层151上。第一光刻胶131可包括但是不必须包括含氟聚合物。因此，本实施方式的第一自组装单层151不像上述实施方式中那样必须包括含氟官能团。例如，第一自组装单层151还可包括十八烷基三氯硅烷(ots)、二氯二甲基硅烷(ddms)、四乙氧基硅烷(teos)等。
位于与第一阳极101对应的位置处的第一光刻胶131可通过包括区域m11和m12的第一光掩模m1曝光，其中光l通过区域m11传输。与第一光刻胶131紧密接触的第一自组装单层151的含氟官能团可使用相对于包含在第一光刻胶131中的感光材料具有小的表面能差异的材料。
参照图15b，第一光刻胶131可被显影。在被显影的第一光刻胶131中，对应于第一阳极101的第一部分131-1可被移除且除了第一部分131-1以外的第二部分131-2可保留。
参照图15c，第一自组装单层151的位于第一阳极101上的部分可通过在图15b中所示的结构上执行第一等离子热处理pt1来移除。第一阳极101与第一自组装单层151之间的si-o键可通过第一等离子热处理pt1完全断裂。
参照图15d，包括第一发射层的第一有机功能层141和第一辅助阴极181可顺序地形成在图15c中所示的结构上。第一有机功能层141的一部分可形成在与第一部分131-1对应的位置处，即，第一阳极101的上方，并且第一有机功能层141的另一部分可形成在第一光刻胶131的第二部分131-2上。第一辅助阴极181的一部分可形成为覆盖第一有机功能层141的顶表面，并且第一辅助阴极181的另一部分可形成在位于第一光刻胶131的除了第一部分131-1以外的第二部分131-2上的第一有机功能层141上。
参照图15e，可在图15d中所示的结构上执行剥离处理。当第一光刻胶131被剥离时，第一有机功能层141和第一辅助阴极181的形成在第一光刻胶131的第二部分131-2上方的部分可被移除，且第一有机功能层141和第一辅助阴极181的形成在第一阳极101的上方的部分可作为图案被保留。位于像素限定层110与第一光刻胶131之间的第一自组装单层151也可被移除。
图16a至图16e示出用于说明根据该实施方式的有机发光显示装置3的第二单元过程的剖视图。
参照图16a，第二自组装单层152和第二光刻胶132可顺序地形成在图15e中所示的结构上。位于与第二阳极102对应的位置处的第二光刻胶132可通过包括区域m21和区域m22的第二光掩模m2曝光，其中光l通过区域m21传输。与第二光刻胶132紧密接触的第二自组装单层152的官能团可使用相对于包含在第二光刻胶132中的感光材料具有小的表面能差异的材料。
参照图16b，第二光刻胶132可被显影。在被显影的第二光刻胶132中，对应于第二阳极102的第一部分132-1可被移除，且除了第一部分132-1以外的第二部分132-2可保留。
参照图16c，第二自组装单层152的位于第二阳极102上的部分可通过在图16b中所示的结构上执行第二等离子热处理pt2来移除。第二阳极102与第二自组装单层152之间的si-o键可通过第二等离子热处理pt2完全断裂。
参照图16d，包括第二发射层的第二有机功能层142和第二辅助阴极182可顺序地形成在图16c中所示的结构上。第二有机功能层142的一部分可形成在与第一部分132-1对应的位置处，即，第二阳极102的上方，并且第二有机功能层142的另一部分可形成在第二光刻胶132的第二部分132-2上。第二辅助阴极182的一部分可形成为覆盖第二有机功能层142的顶表面，并且第二辅助阴极182的另一部分可形成在位于第二光刻胶132的除了第一部分132-1以外的第二部分132-2上的第二有机功能层142上。
参照图16e，可在图16d中所示的结构上执行剥离处理。当第二光刻胶132被剥离时，第二有机功能层142和第二辅助阴极182的形成在第二光刻胶132的第二部分132-2上方的部分可被移除，且第二有机功能层142和第二辅助阴极182的形成在第二阳极102上方的部分可作为图案保留。位于像素限定层110与第二光刻胶132之间的第二自组装单层152也可被移除。
图17a至图17e示出用于说明根据该实施方式的有机发光显示装置3的第三单元过程的剖视图。
第三单元过程与参照图16a至图16e描述的第二单元过程类似，区别在于，形成第三自组装单层153并最终移除第三自组装单层153，且因此将不重复第三单元过程的详细描述。
虽然未在图中示出，但是以上描述的有机发光显示装置还可包括用于密封有机发射层的密封构件。密封构件可包括玻璃衬底、金属箔、混合有无机层和有机层的薄膜封装层等。
通过总结和回顾，实施方式提供具有增大的分辨率且减少的缺陷和成本的有机发光显示装置。实施方式还提供制造有机发光显示器的方法。
根据如上所述的一个或多个实施方式，在不使用精细金属掩模(fmm)的情况下形成发射层。因此，可形成高分辨率显示面板。
自组装单层可形成在阳极与剥离层之间。因此，自组装单层能够防止剥离层的残渣残留在阳极上。因此，能够改善根据实施方式的有机发光显示装置的质量。
本文已公开了示例性实施方式，并且虽然使用了专用术语，但是术语应仅以一般性和描述性的意义使用和解释，且并不出于限制的目的。在某些情况下，如将对本申请提交时的本领域普通技术人员显而易见的，除非另外明确地指示，否则结合特定实施方式描述的特征、特性和/或元件可单独使用或者可与结合其他实施方式描述的特征、特性和/或元件结合使用。因此，将由本领域技术人员理解的是，在不脱离如所附权利要求中阐述的本发明的精神和范围的情况下，可做出形式和细节上的各种改变。