基于微米二氧化硅制备硅碳负极材料的方法与流程

文档序号:15314053发布日期:2018-08-31 22:33阅读:1513来源:国知局

本发明属于硅碳负极材料制备领域,具体涉及一种基于微米二氧化硅制备硅碳负极材料的方法。



背景技术:

硅基材料是非常具有潜力的高性能锂离子电池负极材料,具有迄今已知最高的理论比容量(4200mah/g)和较低的嵌锂电位(0.1vvs.li/li+),并且资源丰富,环境友好。但是硅负极在脱嵌锂过程中伴随巨大的体积变化(高达300%),会导致硅颗粒破碎、粉化,使电极材料失去电活性,表现为极差的循环稳定性;此外,硅本身的电导率不高,倍率特性较差,这严重影响了硅材料作为锂离子电池负极材料的应用。硅碳复合材料作为缓解上述问题的有效途径,得到了广泛的研究。于晓磊(锂离子电池用高性能硅碳复合负极材料的制备与性能研究,上海交通大学硕士论文,2013)利用纳米硅粉和介孔二氧化硅(sba-15)两种不同的硅源,制备了球形多孔的硅/石墨烯@碳(si/gns@c)复合材料,但是其中的包碳方法为化学气相沉积法,该方法不易工业化推广应用;陶华超等人(镁热还原法制备多孔硅碳复合负极材料,《硅酸盐学报》2013年08期)以介孔sio2为硅源直接镁热还原制备得到硅碳材料,由于纳米级sio2的制备大多依赖生物质硅源或者正硅酸乙酯(teos)水解制得,且形成的颗粒容易团聚,导致制备成本高,镁热反应效果不理想。



技术实现要素:

为了克服现有技术的不足,本发明提供了基于微米二氧化硅制备硅碳负极材料的方法,具有成本低、易工业化生产,制备的产品体积膨胀小、导电性强的优点。

为了达到上述目的,本发明采取的技术方案为:

基于微米二氧化硅制备硅碳负极材料的方法,包括以下步骤:

步骤一:按照二氧化硅:碳源:水=(30~80):(5~15):(60~120)的质量比,分别量取粒径50~100um的二氧化硅、碳源和水配制成浆液,利用砂磨机湿法研磨4~5h,再冷冻干燥得到纳米级的sio2;

步骤二:将步骤一所得物进行高温碳化,得到sio2@c材料,然后按照sio2@c:mg:nacl质量比为1:1:1~1:1:10的比例,在600~750℃条件下镁热还原,之后酸洗、洗涤、干燥制得si@c纳米颗粒;

步骤三:将步骤二制得的si@c纳米颗粒与氧化石墨烯溶液超声混匀后,通过喷雾热裂解技术进行包覆还原,制得si@c@g材料。

进一步的,所述碳源为葡萄糖、酚醛树脂、聚乙烯吡咯烷酮、聚丙烯腈之一。

进一步的,步骤一冷冻干燥的温度为-45℃。

进一步的,步骤二的高温碳化在450~700℃下进行,碳化2~4h。

进一步的,步骤二所述的酸洗、洗涤过程为:利用2mol/l盐酸酸洗除去杂质,再用5%的氢氟酸洗涤30min,除去未反应的sio2,最后再用去离子水、乙醇洗涤至中性。

进一步的,步骤三所述的包覆还原的过程为:利用超声形成喷雾,实现造粒功能,再将制得的球状颗粒以h2/ar混合气为载气,通入600~800℃的立式管式炉进行包覆还原作业,最后通过静电场收集得到干燥的si@c@g材料。

本发明的有益效果:

本发明利用微米级sio2为原料,通过湿法研磨制备材料,成本低廉,操作简单,还能克服依赖生物质硅源或者正硅酸乙酯teos水解制得的纳米级的sio2容易团聚、导致制备成本高、后期镁热反应效果不理想的问题;而通过冷冻干燥技术,可以维持样品原貌,更具有商业化前景。

选取有机高分子碳源,碳化后可得到三维多孔结构包覆的多孔sio2@c材料,通过控制助熔剂nacl的量,控制sic的生成,有利于充放电过程中的维持材料的结构稳定性,同时,高分子碳源有助于缓冲体积膨胀。

利用喷雾热裂解将si@c与石墨烯复合,进行二次包覆。在超声喷雾过程中,可以有效的实现造粒功能,得到颗粒均匀的球状颗粒;而氧化石墨烯在载气ar/h2气体的还原作用下,生成石墨烯,包覆在si@c材料表面,增强材料的导电性和离子传输能力,更好的改善硅基材料导电性能差的劣势,得到性能优良的硅碳复合材料。

附图说明

图1是砂磨后的粒径分布图;

图2是不同nacl添加量下镁热后的x射线衍射图;

图3是si@c喷雾干燥后的粒径放大图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本发明做进一步说明。

实施例1

称取sio230g,聚乙烯吡咯烷酮5g以及水120ml于砂磨机中,湿法研磨4h,分离后,置于冰箱冷冻,在冷干机里中-45℃条件下冷冻干燥两天两夜。

将冷干后的产物置于管式炉中,在惰性气氛里450℃条件下煅烧4h,得到sio2@c材料,然后按照sio2@c:mg:nacl的质量比为1:1:1的比例,在惰性气氛中,650℃条件下镁热还原4h,在2m的盐酸溶液里洗涤8h,除去镁热反应副产物;将酸洗后的溶液加入质量分数为5%的氢氟酸溶液中洗涤0.5h,除去未完全反应的sio2,用去离子水和乙醇溶液洗涤,过滤至中性后,置于真空烘箱中,80℃条件下真空干燥12h,得到si@c复合材料。

将si@c复合材料和氧化石墨烯按照质量比为10:1称取,加入到20ml水中,超声15min,使之充分分散在水溶液中。利用喷雾热裂解装置,将混合液喷雾到管式炉中,在800℃的h2/ar混合载气的还原作用下,还原制得si@c@g颗粒,通过静电场作用进行收集。

实施例2

称取sio240g,聚乙烯吡咯烷酮10g以及水120ml与砂磨机中,湿法研磨4h,分离后,置于冰箱冷冻,在冷干机里中-45℃条件下冷冻干燥两天两夜。

将冷干后的产物置于管式炉中,在惰性气氛里450℃条件下煅烧4h,得到sio2@c材料,然后按照sio2@c:mg:nacl的质量比为1:1:1的比例,在惰性气氛中,650℃条件下镁热还原4h,在2m的盐酸溶液里洗涤8h,除去镁热反应副产物;将酸洗后的溶液加入质量分数为5%的氢氟酸溶液中洗涤0.5h,除去未完全反应的sio2,用去离子水和乙醇溶液洗涤,过滤至中性后,置于真空烘箱中,80℃条件下真空干燥12h,得到si@c复合材料。

将si@c复合材料和氧化石墨烯按照质量比为10:1称取,加入到20ml水中,超声15min,使之充分分散在水溶液中。利用喷雾热裂解装置,将混合液喷雾到管式炉中,在800℃的h2/ar混合载气的还原作用下,还原制得si@c@g颗粒,通过静电场作用进行收集。

实施例3

称取sio260g,聚乙烯吡咯烷酮5g以及水120ml与砂磨机中,湿法研磨4h,分离后,置于冰箱冷冻,在冷干机里中-45℃条件下冷冻干燥两天两夜。

将冷干后的产物置于管式炉中,在惰性气氛里500℃条件下煅烧4h,得到sio2@c材料,然后按照sio2@c:mg:nacl的质量比为1:1:3的比例,在惰性气氛中,650℃条件下镁热还原4h,在2m的盐酸溶液里洗涤8h,除去镁热反应副产物;将酸洗后的溶液加入质量分数为5%的氢氟酸溶液中洗涤0.5h,除去未完全反应的sio2,用去离子水和乙醇溶液洗涤,过滤至中性后,置于真空烘箱中,80℃条件下真空干燥12h,得到si@c复合材料。

将si@c复合材料和氧化石墨烯按照质量比为10:1称取,加入到20ml水中,超声15min,使之充分分散在水溶液中。利用喷雾热裂解装置,将混合液喷雾到管式炉中,在800℃的h2/ar混合载气的还原作用下,还原制得si@c@g颗粒,通过静电场作用进行收集。

实施例4

称取sio280g,聚乙烯吡咯烷酮5g以及水100ml与砂磨机中,湿法研磨5h,分离后,置于冰箱冷冻,在冷干机里中-45℃条件下冷冻干燥两天两夜。

将冷干后的产物置于管式炉中,在惰性气氛里500℃条件下煅烧3h,得到sio2@c材料,然后按照sio2@c:mg:nacl的质量比为1:1:5的比例,在惰性气氛中,700℃条件下镁热还原4h,在2m的盐酸溶液里洗涤8h,除去镁热反应副产物;将酸洗后的溶液加入质量分数为5%的氢氟酸溶液中洗涤0.5h,除去未完全反应的sio2,用去离子水和乙醇溶液洗涤,过滤至中性后,置于真空烘箱中,80℃条件下真空干燥12h,得到si@c复合材料。

将si@c复合材料和氧化石墨烯按照质量比为10:1称取,加入到20ml水中,超声15min,使之充分分散在水溶液中。利用喷雾热裂解装置,将混合液喷雾到管式炉中,在800℃的h2/ar混合载气的还原作用下,还原制得si@c@g颗粒,通过静电场作用进行收集。

实施例5

称取sio260g,聚乙烯吡咯烷酮5g以及水100ml与砂磨机中,湿法研磨4h,分离后,置于冰箱冷冻,在冷干机里中-45℃条件下冷冻干燥两天两夜。

将冷干后的产物置于管式炉中,在惰性气氛里450℃条件下煅烧4h,得到sio2@c材料,然后按照sio2@c:mg:nacl的质量比为1:1:10的比例,在惰性气氛中,700℃条件下镁热还原4h,在2m的盐酸溶液里洗涤8h,除去镁热反应副产物;将酸洗后的溶液加入质量分数为5%的氢氟酸溶液中洗涤0.5h,除去未完全反应的sio2,用去离子水和乙醇溶液洗涤,过滤至中性后,置于真空烘箱中,80℃条件下真空干燥12h,得到si@c复合材料。

将si@c复合材料和氧化石墨烯按照质量比为10:1称取,加入到20ml水中,超声15min,使之充分分散在水溶液中。利用喷雾热裂解装置,将混合液喷雾到管式炉中,在700℃的h2/ar混合载气的还原作用下,还原制得si@c@g颗粒,通过静电场作用进行收集。

图1是砂磨后的粒径分布图,选取了实施例4中砂磨5h后的颗粒进行粒径测试,结果表明,砂磨可以使微米级sio2的平均粒径分布在200nm左右,具有较好的研磨效果。

图2是不同nacl添加量下镁热后的x射线衍射图,该图表明,nacl的添加量会影响sic的生成,nacl加量的增加,有利于sic的减少。

图3是si@c喷雾干燥后的粒径放大图,可以看出,形成了蓬松的球形材料,因而有利于缓解材料的体积膨胀。

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