技术总结
本发明公开了一种二维AlN材料及其制备方法与应用，包括以下步骤：（1）衬底以及其晶向的选取；（2）对衬底进行表面清洁处理；（3）石墨烯层转移至衬底层上；（4）衬底退火处理；（5）采用MOCVD工艺通入H2打开石墨烯层并钝化衬底表面；（6）采用MOCVD工艺生长二维AlN层。本发明的制备方法具有工艺简单、省时高效的优点。同时本发明制备的二维AlN材料可广泛应用于HEMT器件、深紫外探测器或深紫外LED等领域。
技术研发人员：王文樑;李国强;郑昱林;
受保护的技术使用者：华南理工大学;
技术研发日：2018.03.21
技术公布日：2018.07.24