技术特征：
技术总结
本发明涉及一种新型红外探测器BIB用硅外延片的制造方法，选择重掺As的N型抛光片，电阻率≤0.004Ω.cm，不背封衬底。为减少背面自掺杂影响，采取了包硅工艺。通过HCl原位高温抛光，以去除表面杂质和缺陷，改善衬底表面质量。通过大流量高温吹除工艺，减少衬底自掺杂。使用两步外延法，低阻吸收层和本征层分开生长，两步之间大流量H2降温吹除；本征层外延装片前大流量气腐腔体，外延时低速低温生长。本发明通过控制自掺杂，吸收层与衬底过渡区陡直，本征阻挡层有较宽平区，满足了BIB器件设计的要求。
技术研发人员：张峰;王银海;杨帆;孙健;骆红
受保护的技术使用者：南京国盛电子有限公司
技术研发日：2018.03.23
技术公布日：2018.11.06