1.一种发光二极管芯片，所述发光二极管芯片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、多量子阱层、P型半导体层、钝化层、P型电极和N型电极；所述缓冲层、所述N型半导体层、所述多量子阱层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上，所述P型半导体层上设有延伸至所述N型半导体层的凹槽，所述N型电极设置在所述凹槽内的N型半导体层上，所述P型电极设置在所述P型半导体层上，所述钝化层设置在所述P型半导体层上除所述P型电极的设置区域之外的区域上、以及所述凹槽内除所述N型电极的设置区域之外的区域上；
其特征在于，所述钝化层的组成物质包括碳单质和硅单质，所述碳单质包括金刚石和石墨，所述碳单质的原子个数占所述钝化层的原子个数的90％以上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述金刚石的原子个数为所述碳单质的原子个数的40％～70％。
3.根据权利要求2所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述硅单质的原子个数占所述钝化层的原子个数的5％～10％。
4.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述钝化层的厚度为50μm～500μm。
5.根据权利要求1～3任一项所述的发光二极管芯片，其特征在于，所述发光二极管芯片还包括散热基座，所述钝化层通过胶体固定在所述散热基座上。
6.一种发光二极管芯片的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：
在衬底上依次层叠缓冲层、N型半导体层、多量子阱层和P型半导体层；
在所述P型半导体层上开设延伸至所述N型半导体层的凹槽；
在所述凹槽内的N型半导体层上设置N型电极，在所述P型半导体层上设置P型电极；
采用脉冲激光沉积技术在所述P型半导体层上除所述P型电极的设置区域之外的区域上、以及所述凹槽内除所述N型电极的设置区域之外的区域上形成钝化层，所述钝化层的组成物质包括碳单质和硅单质，所述碳单质包括金刚石和石墨，所述碳单质的原子个数占所述钝化层的原子个数的90％以上。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述采用脉冲激光沉积技术在所述P型半导体层上除所述P型电极的设置区域之外的区域上、以及所述凹槽内除所述N型电极的设置区域之外的区域上形成钝化层，包括：
提供一设有石墨靶的真空室；
将所述衬底放入所述真空室内，对所述真空室进行抽真空；
向所述真空室内通入氢气，控制真空室内的温度为200℃～600℃，压力为10Pa～150Pa；
采用激光对所述石墨靶进行溅射，在所述P型半导体层上除所述P型电极的设置区域之外的区域上、以及所述凹槽内除所述N型电极的设置区域之外的区域上形成钝化层。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述石墨靶中掺有硅单质，所述硅单质的原子个数占所述石墨靶的原子个数的5％～10％。
9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述制备方法还包括：
当向所述真空室内通入氢气时，以10sccm～200sccm的流量向所述真空室内通入含硅元素的气体。
10.根据权利要求7～9任一项所述的制备方法，其特征在于，所述石墨靶与所述衬底之间的距离为4.5cm～6.5cm。