本发明涉及芯片封装技术领域，更具体的说，涉及一种芯片的封装结构以及封装方法。
背景技术：
随着科学技术的不断进步，越来越多的电子设备广泛的应用于人们的日常生活以及工作当中，为人们的日常生活以及工作带来了巨大的便利，成为当今人们不可或缺的重要工具。电子设备实现各种功能的主要部件是芯片，为了保证芯片的可靠性、使用寿命以及避免外部因素损坏，芯片需要进行封装保护。
现有技术中，一般是直接采用封装胶对芯片进行封装，形成封装结构。这样，不便于芯片的封装结构和外部电路连接。
技术实现要素：
为了解决上述问题，本发明技术方案提供了一种芯片的封装结构以及封装方法，便于封装结构和外部电路连接。
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种芯片的封装结构，所述封装结构包括：
封装基板，所述封装基板相对的第一表面以及第二表面；贯穿所述第一表面以及所述第二表面的容纳孔；所述封装基板还具有互联电路；
绑定在所述第一表面的影像传感芯片，所述影像传感芯片覆盖在所述容纳孔位于所述第一表面的开口，所述影像传感芯片通过所述互联电路与外部电路连接；
设置在所述容纳孔内的处理芯片，所述处理芯片具有相对的正面和背面，其正面与所述影像传感芯片相对设置，其背面具有第一焊接凸起，所述第一焊接凸起用于连接所述外部电路；
固定在所述第一表面的盖板，所述盖板用于对所述影像传感芯片进行密封保护。
优选的，在上述封装结构中，所述互联电路包括：设置在所述第一表面的焊盘，设置在所述第二表面的第二焊接凸起，以及设置在所述封装基板内的布线电路，所述第二焊接凸起用于连接外部电路，所述焊盘通过所述布线电路与所述第二焊接凸起连接；
所述影像传感芯片与所述焊盘。
优选的，在上述封装结构中，所述影像传感芯片具有相对的正面和背面，其背面和所述处理芯片相对设置，其正面具有第一功能单元以及和第一功能单元连接的第一焊垫，所述第一焊垫与所述焊盘连接。
优选的，在上述封装结构中，所述第一焊垫与所述焊盘通过导线连接。
优选的，在上述封装结构中，所述影像传感芯片具有相对的正面和背面，其背面和所述处理芯片相对设置，其正面具有第一功能单元以及和第一功能单元连接的第一焊垫，其背面具有第三焊接凸起以及第一背面互联结构，所述第三焊接凸起通过所述第一背面互联结构与所述第一焊垫连接；
其中，所述第三焊接凸起与所述焊盘连接。
优选的，在上述封装结构中，所述第三焊接凸起与所述焊盘接触连接，或是，所述焊盘表面覆盖有导电层，所述导电层与所述焊盘连接，所述第三焊接凸起与所述导电层接触连接。
优选的，在上述封装结构中，所述处理芯片的正面具有第二功能单元以及和所述第二功能单元连接的第二焊垫，所述第二焊垫通过第二背面互联结构与所述第一焊接凸起连接。
优选的，在上述封装结构中，还包括：
覆盖所述第二表面的封装胶层；
其中，所述封装胶层填充所述处理芯片与所述容纳孔的间隙；所述封装胶层覆盖所述第一焊接凸起以及所述第二焊接凸起；所述封装胶层经过减薄露出所述第一焊接凸起以及所述第二焊接凸起。
优选的，在上述封装结构中，所述影像传感芯片和所述处理芯片通过胶层固定。
优选的，在上述封装结构中，所述盖板和所述封装基板之间具有支撑部件，所述支撑部件用于使得所述盖板与所述封装基板之间具有预设间距。
优选的，在上述封装结构中，所述封装基板具有位于所述第一表面和所述第二表面之间的导热层，所述导热层用于将热量从所述容纳孔的侧壁传输至所述封装基板的外侧面。
优选的，在上述封装结构中，所述处理芯片的正面与所述第一表面齐平。
优选的，在上述封装结构中，所述盖板的表面设置有滤光片和/或减反膜。
本发明还提供了一种芯片的封装方法，所述封装方法包括：
提供一封装基板，所述封装基板包括相对的第一表面以及第二表面；所述封装基板划分为多个芯片绑定区域，相邻两个芯片绑定区域之间具有切割沟道；所述芯片绑定区域包括：贯穿所述第一表面以及所述第二表面的容纳孔；所述封装基板还具有互联电路；
在所述芯片绑定区域绑定处理芯片以及影像传感芯片；所述影像传感芯片绑定在所述第一表面，且覆盖所述容纳孔位于所述第一表面的开口；所述处理芯片设置在所述容纳孔内；
在所述第一表面固定盖板，所述盖板用于对所述影像传感芯片进行密封保护；
基于所述切割沟道分割所述封装基板；
其中，所述影像传感芯片通过所述互联电路与外部电路连接；所述处理芯片具有相对的正面和背面，其正面与所述影像传感芯片相对设置，其背面具有第一焊接凸起，所述第一焊接凸起用于连接所述外部电路；
优选的，在上述封装方法中，所述互联电路包括：设置在所述第一表面的焊盘，设置在所述第二表面的第二焊接凸起，以及设置在所述封装基板内的布线电路，所述第二焊接凸起用于连接外部电路，所述焊盘通过所述布线电路与所述第二焊接凸起连接；
所述在所述芯片绑定区域绑定处理芯片以及影像传感芯片包括：将所述影像传感芯片与所述焊盘连接。
优选的，在上述封装方法中，所述影像传感芯片具有相对的正面和背面，其背面和所述处理芯片相对设置，其正面具有第一功能单元以及和第一功能单元连接的第一焊垫；
所述在所述芯片绑定区域绑定处理芯片以及影像传感芯片包括：将所述第一焊垫与所述焊盘通过导线连接。
优选的，在上述封装方法中，所述影像传感芯片具有相对的正面和背面，其背面和所述处理芯片相对设置，其正面具有第一功能单元以及和第一功能单元连接的第一焊垫，其背面具有第三焊接凸起以及第一背面互联结构，所述第三焊接凸起通过所述第一背面互联结构与所述第一焊垫连接；
所述在所述芯片绑定区域绑定处理芯片以及影像传感芯片包括：将所述第三焊接凸起与所述焊盘接触连接，或是，在所述焊盘表面形成导电层，所述导电层与所述焊盘连接，将所述第三焊接凸起与所述导电层接触连接。
优选的，在上述封装方法中，还包括：
在切割之前，形成覆盖所述第二表面的封装胶层；所述封装胶层填充所述影像传感芯片与所述容纳孔的间隙；所述封装胶层覆盖所述第一焊接凸起以及所述第二焊接凸起；
对所述封装胶层进行减薄，露出所述第一焊接凸起以及所述第二焊接凸起。
优选的，在上述封装方法中，所述在所述芯片绑定区域绑定处理芯片以及影像传感芯片包括：
将所述处理芯片与所述影像传感芯片相对固定；
在所述第一表面绑定所述影像传感芯片，所述影像传感芯片覆盖所述容纳孔在所述第一表面的开口，所述处理芯片位于所述容纳孔内。
优选的，在上述封装方法中，所述在所述芯片绑定区域绑定处理芯片以及影像传感芯片包括：
在所述容纳孔内固定所述处理芯片；
在所述第一表面绑定所述影像传感芯片，所述影像传感芯片覆盖所述容纳孔在所述第一表面的开口。
通过上述描述可知，本发明技术方案所述芯片的封装结构和封装方法中，通过封装基板对处理芯片和影像传感芯片进行封装，影像传感芯片绑定在封装基板的第一表面，将处理芯片设置在封装基板的容纳孔内，所述影像传感芯片通过所述互联电路与外部电路连接，所述处理芯片通过其背面具有的第一焊接凸起与外部电路连接，一方面，将所述处理芯片和所述影像传感芯片相对设置，降低了封装结构的面积，另一方面，通过封装基板中的互联电路实现影像传感芯片和外部电路的连接，便于电路互联，便于进一步提高芯片的集成度。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的一种芯片的封装结构的示意图；
图2为本发明实施例提供的另一种芯片的封装结构的示意图；
图3为本发明实施例提供的又一种芯片的封装结构的示意图；
图4-图12为本发明实施例提供的一种芯片的封装方法的流程示意图；
图13-图16为本发明实施例提供的另一种芯片的封装方法的流程示意图；
图17-图19为本发明实施例提供的又一种芯片的封装方法的流程示意图；
图20-图22为本发明实施例提供的一种芯片的制作方法的流程图；
图23-图30为本发明实施例提供的另一种芯片的制作方法的流程图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
如背景技术所述，一般是直接采用封装胶对芯片进行封装，形成封装结构。这样，不便于芯片的封装结构和外部电路连接。而且对于多芯片封装结构，如当同时需要封装两个芯片时，一般是直接在电路板上的不同区域分别绑定两个芯片，导致电路板的面积较大。
特地的，随着芯片集成度的不断提高，芯片的尺寸越来越小，芯片上的焊垫的数量以及密度越来越大，直接通过芯片表面焊垫和外部电路连接的工艺难度较大。
为解决上述问题，本发明技术方案所述芯片的封装结构和封装方法中，通过封装基板对处理芯片和影像传感芯片进行封装，影像传感芯片绑定在封装基板的第一表面，将处理芯片设置在封装基板的容纳孔内，所述影像传感芯片通过所述互联电路与外部电路连接，所述处理芯片通过其背面具有的第一焊接凸起与外部电路连接，一方面，将所述处理芯片和所述影像传感芯片相对设置，降低了封装结构的面积，另一方面，通过封装基板中的互联电路实现影像传感芯片和外部电路的连接，便于电路互联，便于进一步提高芯片的集成度。
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
参考图1，图1为本发明实施例提供的一种芯片的封装结构的示意图，该封装结构包括：封装基板11，所述封装基板11相对的第一表面以及第二表面；贯穿所述第一表面以及所述第二表面的容纳孔111；所述封装基板11还具有互联电路；绑定在所述第一表面的影像传感芯片12，所述影像传感芯片12覆盖在所述容纳孔111位于所述第一表面的开口，所述影像传感芯片12通过所述互联电路与外部电路连接；设置在所述容纳孔111内的处理芯片13，所述处理芯片13具有相对的正面和背面，其正面与所述影像传感芯片12相对设置，其背面具有第一焊接凸起131，所述第一焊接凸起131用于连接所述外部电路；固定在所述第一表面的盖板14，所述盖板14用于对所述影像传感芯片12进行密封保护。
所述封装结构中，将影像传感芯片12和处理芯片13相对层叠设置，降低了封装面积。且通过所述封装基板11对两芯片进行封装保护，增加了机械强度，另通过互联电路将影像传感芯片12和外部电路连接，同时通过处理芯片13背面的第一焊接凸起131和外部电路连接，避免了由于两个芯片层叠设置导致的和外部电路互联的工艺难度较大的问题，更加便于客户端实现封装结构和外部电路的连接。这是由于随着芯片集成度的提高，芯片正面尺寸越来越小，而正面预留焊垫的空间也越来少，焊垫数量越来越多，这样如果两个芯片直接层叠封装通过，直接通过芯片焊垫和外部电路连接，工艺难度较大，不便于客户端进行电路互联。而本申请技术方案中，将一个芯片和封装基板中的互联电路连接，将另一个芯片通过背面的第一焊接凸起和外部电路连接，从而便于客户端进行封装结构和外部电路的连接。
如图1所示，所述互联电路包括：设置在所述第一表面的焊盘112，设置在所述第二表面的第二焊接凸起113，以及设置在所述封装基板11内的布线电路114，所述第二焊接凸起113用于连接外部电路，所述焊盘112通过所述布线电路114与所述第二焊接凸起113连接；所述影像传感芯片12与所述焊盘112。
所述影像传感芯片12具有相对的正面和背面，其背面和所述处理芯片13相对设置，其正面具有第一功能单元122以及和第一功能单元122连接的第一焊垫121，所述第一焊垫121与所述焊盘112连接。可选的，所述第一焊垫121与所述焊盘112通过导线15连接。
所述处理芯片13的正面具有第二功能单元132以及和所述第二功能单元132连接的第二焊垫133，所述第二焊垫133通过第二背面互联结构与所述第一焊接凸起131连接。
可选的，所述封装结构还包括：覆盖所述第二表面的封装胶层17。其中，所述封装胶层17填充所述处理芯片13与所述容纳孔111的间隙；所述封装胶层17覆盖所述第一焊接凸起131以及所述第二焊接凸起113；所述封装胶层17经过减薄露出所述第一焊接凸131起以及所述第二焊接凸起113。通过所述封装胶层17将所述处理芯片13固定在所述容纳孔111内。所述封装基板11的机械强度大于所述处理芯片13的机械强度，这样可以对处理芯片13进行更大程度的减薄处理，以降低封装结构的厚度。封装胶层17还覆盖第二表面，这样可以进一步增强封装结构的机械强度，且复用第一焊接凸起131和第二焊接凸起113的高度，无需额外增加封装结构的厚度。
在图1所示封装结构中，所述影像传感芯片12的背面为平面结构，其正面的第一焊垫121通过导线15和焊盘112连接。此时，所述影像传感芯片12和所述处理芯片13可以通过胶层固定，图1中未示出该胶层。
为了增加封装结构的散热性能，所述封装基板11具有位于所述第一表面和所述第二表面之间的导热层，图1中未示出该导热层，所述导热层用于将热量从所述容纳孔111的侧壁传输至所述封装基板11的外侧面。也就是说，所述封装基板11为层叠结构，导热层位于第一表面和第二表面之间。导热层可以为陶瓷材料或是与所述互联电路绝缘的金属层。所述导热层用于将热量从所述容纳孔111的侧壁传输至所述封装基板11的外侧面。这样，一方面，两个芯片工作时散发的热量可以在纵向上传输，通过处理芯片13的背面散热到封装结构的外部，另一方面，可以通过所述导热层在横向上传输，通过封装基板11的外侧面散热到封装结构的外部，故所述封装结构具有较好的散热性能。采用导热性良好的封装胶层17，以增大横向和纵向的散热速度。
本发明实施例所述封装结构中，适合于影像传感芯片12的尺寸大于于处理芯片13的尺寸的封装方式。影像传感芯片12完全覆盖容纳孔111。
所述处理芯片13的正面与所述第一表面齐平，以便于所述处理芯片13在所述容纳孔111内封装，而且能够保证第一表面的平整性，以便于绑定影像传感芯片12。
所述盖板14的表面设置有滤光片和/或减反膜。所述盖板14可以透过预设波段的光波。所述影像传感芯片12用于感测所述光波，基于所述光波形成图像信息。当所述影像传感芯片12用于感测可见光时，所述盖板14为透明盖板，用于透过可见光。当所述影像传感芯片12用于感测红外光时，所述盖板14用于透过红外光。所述盖板14通过胶层和封装基板11固定。所述盖板14和所述封装基板11之间具有支撑部件18，以使得盖板14和封装基板11之间具有预设间距。所述支撑部件18可以为粘结固定所述盖板14和所述封装基板11的胶层，所述支撑部件18也可以是单独的结构件，两侧分别设置胶层和盖板14以及封装基板11粘结固定。所述盖板14可以为透镜，通过设置支撑部件18的厚度可以调节所述间距，进而调节盖板14相对于所述影像传感芯片12的距离，调节影像传感芯片12的焦距。为了提高预设波段的光波的透过率，降低可以在所述盖板14的表面设置减反膜，和/或，为了降低其他波段光波的干扰，可以在所述盖板14的表面设置滤光片，用于滤除所述其他波段的光波，以提高成像质量。所述间距还用于适配所述导线15。
如上述盖板14和封装基板11之间具有预设间距，可以利用该间距产生的空间在所述封装结构中集成外挂元件。所述外挂元件包括电阻、电容以及电感等。当所述封装结构中集成有外挂元件时，所述第一表面还设置有用于绑定所述外挂元件的焊盘，所述焊盘通过布线电路114和对应的第二焊接凸起113连接，以便于和外部电路连接。
参考图2，图2为本发明实施例提供的另一种芯片的封装结构的示意图，图2与图1所示实施方式不同在于影像传感芯片12的背面结构不同，且影像传感芯片12与封装基板11的连接方式不同。具体的，
所述影像传感芯片12具有相对的正面和背面，其背面和所述处理芯片相对设置，其正面具有第一功能单元122以及和第一功能单元122连接的第一焊垫121，其背面具有第三焊接凸起123以及第一背面互联结构，所述第三焊接凸123起通过所述第一背面互联结构与所述第一焊垫121连接；其中，所述第三焊接凸起123与所述焊盘112连接。在图2所示方式中，所述焊盘112表面覆盖有导电层16，所述导电层16与所述焊盘112连接，所述第三焊接凸起123与所述导电层112接触连接。可以根据需求设计导电层16的图案形状，以便于和第三焊接凸起123连接。
参考图3，图3为本发明实施例提供的又一种芯片的封装结构的示意图，图3与图2所示实施方式不同在影像传感芯片12与封装基板11的连接方式不同，具体的，图3所示方式中，所述第三焊接凸起123与所述焊盘112接触连接，如二者可以直接焊接，或是通过导电胶粘结固定。
通过上述描述可知，本发明实施例所述封装结构和封装方法中，通过封装基板11对处理芯片13和影像传感芯片12进行封装，影像传感芯片12绑定在封装基板11的第一表面，将处理芯片13设置在封装基板11的容纳孔111内，所述影像传感芯片12通过所述互联电路与外部电路连接，所述处理芯片13通过其背面具有的第一焊接凸起131与外部电路连接，一方面，将所述处理芯片13和所述影像传感芯片12相对设置，降低了封装结构的面积，另一方面，通过封装基板11中的互联电路实现影像传感芯片12和外部电路的连接，通过处理芯片13背面的第一焊接凸起131和外部电路连接，便于两芯片层叠设置时的电路互联，便于进一步提高芯片的集成度。
基于上述实施例，本发明另一实施例还提供了一种芯片的封装方法，用于制作上述实施例所述封装结构，所述封装方法如图4-图12所示，图4-图12为本发明实施例提供的一种封装方法的流程示意图，该封装方法包括：
步骤S11：如图4所示，提供一封装基板11。
所述封装基板11包括相对的第一表面以及第二表面；所述封装基板划分为多个芯片绑定区域，相邻两个芯片绑定区域之间具有切割沟道100；所述芯片绑定区域100包括：贯穿所述第一表面以及所述第二表面的容纳孔111；所述封装基板还具有互联电路。
所述互联电路包括：设置在所述第一表面的焊盘112，设置在所述第二表面的第二焊接凸起113，以及设置在所述封装基板内的布线电路114，所述第二焊接凸起113用于连接外部电路，所述焊盘112通过所述布线电路114与所述第二焊接凸起113连接。
步骤S12：如图5-图10所示，在所述芯片绑定区域绑定处理芯片13以及影像传感芯片12。
所述影像传感芯片12绑定在所述第一表面，且覆盖所述容纳孔111位于所述第一表面的开口；所述处理芯片13设置在所述容纳孔111内。
其中，所述影像传感芯片12通过所述互联电路与外部电路连接；所述处理芯片13具有相对的正面和背面，其正面与所述影像传感芯片12相对设置，其背面具有第一焊接凸起131，所述第一焊接凸起131用于连接所述外部电路。
该步骤中，所述在所述芯片绑定区域绑定处理芯片13以及影像传感芯片13包括：首先如图5-图8所示，在所述容纳孔111内固定所述处理芯片13；然后，如图9和图10所示，在所述第一表面绑定所述影像传感芯片12，所述影像传感芯片12覆盖所述容纳孔111在所述第一表面的开口。如图5和图6所示，在容纳孔111内放置处理芯片13时，可以将封装基板11倒置，使得其第二表面朝上设置，第一表面具有粘结层，在容纳孔111内放置处理芯片13，通过粘结层固定。
该步骤中，所述在所述芯片绑定区域绑定处理芯片13以及影像传感芯片12包括：将所述影像传感芯片12与所述焊盘112连接。所述影像传感芯片12具有相对的正面和背面，其背面和所述处理芯片13相对设置，其正面具有第一功能单元132以及和第一功能单元132连接的第一焊垫133。所述在所述芯片绑定区域绑定处理芯片13以及影像传感芯片12包括：将所述第一焊垫133与所述焊盘112通过导线15连接。
所述封装方法还包括：如图7所示，在切割之前，形成覆盖所述第二表面的封装胶层17；所述封装胶层17填充所述影像传感芯片13与所述容纳孔111的间隙；所述封装胶层17覆盖所述第一焊接凸131起以及所述第二焊接凸起113；再如图8所示，对所述封装胶层17进行减薄，露出所述第一焊接凸起131以及所述第二焊接凸起113。减薄过程消除部分所述第一焊接凸起131以及所述第二焊接凸起113，以保证充分露出所述第一焊接凸起131以及所述第二焊接凸起113。而后绑定影像传感芯片12，如图9所示，将封装基板11正向放置，第一表面朝上，去除粘结层，再如图10所示，在第一表面绑定影像传感芯片12，通过导线15连接第一焊垫121和焊盘112。
步骤S13：如图11所示，在所述第一表面固定盖板14，所述盖板14用于对所述影像传感芯片12进行密封保护。
步骤S14：如图12所示，基于所述切割沟道100分割所述封装基板11，最终形成如图1所示的封装结构。
参考图13-图16，图13-图16为本发明实施例提供的另一种芯片的封装方法的流程示意图，用于制作如图2所示封装结构。此时，所述影像传感芯片12具有相对的正面和背面，其背面和所述处理芯片13相对设置，其正面具有第一功能单元122以及和第一功能单元122连接的第一焊垫121，其背面具有第三焊接凸起123以及第一背面互联结构，所述第三焊接凸起123通过所述第一背面互联结构与所述第一焊垫121连接。
该方法中，所述在所述芯片绑定区域绑定处理芯片13以及影像传感芯片12包括：如图13所示，在所述焊盘112表面形成有导电层16，所述导电层16与所述焊盘112连接，如图14所示，将所述第三焊接凸起123与所述导电层16接触连接，二者可以焊接连接，或是通过导电胶连接。之后，如图15所示，固定盖板14，再如图16所示，进行切割后，形成如图2所示的封装结构。
参考图17-图19，图17-图19为本发明实施例提供的又一种芯片的封装方法的流程示意图，用于制作如图3所示封装结构。该方法与图2对应封装方法不同在于，如图17所示，将所述第三焊接凸起123与所述焊盘112接触连接，二者可以直接焊接或是通过导电胶连接。之后，如图18所示，固定盖板14，再如图19所示，进行切割后，形成如图3所示的封装结构。
在上述制作方法中，均是先在容纳孔111内固定处理芯片3，然后在第一表面绑定影像传感芯片12。
其他实施方式中，所述在所述芯片绑定区域绑定处理芯片13以及影像传感芯片12包括：首先，将所述处理芯片13与所述影像传感芯片12相对固定；然后，在所述第一表面绑定所述影像传感芯片12，所述影像传感芯片12覆盖所述容纳孔111在所述第一表面的开口，所述处理芯片12位于所述容纳孔内。具体过程和上述方法类似，在此不在进行图示说明。
其他实施方式中，所述在所述芯片绑定区域绑定处理芯片13以及影像传感芯片12包括：首先，在所述容纳孔111内固定所述处理芯片13；然后，在所述第一表面绑定所述影像传感芯片12，所述影像传感芯片12覆盖所述容纳孔111在所述第一表面的开口。具体过程和上述方法类似，在此不在进行图示说明。
参考图20-图22，图20-图22为本发明实施例提供的一种芯片的制作方法的流程图，该方法包括：
首先，如图20和图21所示，提供一晶圆43，图21为图20在PP’方向的切面图。晶圆43具有多个芯片单元42，相邻芯片单元42之间具有切割沟道41，一个芯片单元用于形成一个芯片。芯片单元具有相对的正面和背面，正面具有功能单元421以及焊垫422。可选的，所述晶圆43的表面还具有保护层400，保护层400覆盖功能单元421，对应焊垫422的区域具有开口以便于和封装基板绑定。
然后，如图22所示，基于所述切割沟道41分割所述晶圆，形成多个单粒的芯片。图1所示封装结构中，所述影像传感芯片12的制作方法可以采用图20-图22所述方法制备。
参考图23-图30，图23-图30为本发明实施例提供的另一种芯片的制作方法的流程图，该方法包括：
首先，如图23和图24所示，提供一晶圆53，图24为图23在QQ’方向的切面图。晶圆53具有多个芯片单元52，相邻芯片单元52之间具有切割沟道51，一个芯片单元用于形成一个芯片。芯片单元具有相对的正面和背面，正面具有功能单元521以及焊垫522。可选的，所述晶圆53的表面还具有保护层500，保护层500覆盖功能单元521以及焊垫522。
然后，如图25所示，将晶圆53倒置，正面朝下，通过粘结层61固定承载板62表面。
再如图26-图29所示，在芯片单元的背面形成背面互联结构，背面互联结构包括：再布线层72。背面互联结构形成方法包括：如图26所示，在晶圆背面形成开口70，开口70露出正面的焊垫5,22，如图27所示，在晶圆背面形成绝缘层71，绝缘层71覆盖开口70侧壁，且露出开口70底部的焊垫522，如图28所示，在绝缘层71表面形成再布线层72，如图29所示，在再布线层72表面形成阻焊层73，阻焊层73具有开口，用于设置焊接凸起74。
最后，如图30所示，切割晶圆形成多个单粒芯片。该制作方法可以用于制如图具有背面互联结构的芯片，如图1-图3中的处理芯片，以及图2和图3中的影像传感芯片。
通过上述描述可知，本发明实施例所述封装方法中，通过封装基板11对两个芯片同时进行封装，工艺简单，制作成本较低。而且通过所述封装基板11可以增强处理芯片13的机械强度，可以对处理芯片13进行较大程度的减薄处理，降低封装结构的厚度。处理芯片13直接通过第一焊接凸起131外部电路连接，影像传感芯片12通过封装基板11上的互联电路和外部电路连接，便于电路互联。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的封装方法而言，由于其与实施例公开的封装结构相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见封装结构对应部分说明即可。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。