一种大功率垂直结构LED外延结构及其制备方法与流程

技术特征：

技术总结
本发明公开了大功率垂直结构LED外延结构，包括生长在Si衬底上的预铺Al层、AlN缓冲层、AlGaN缓冲层、u型GaN层、第一石墨烯层、n型GaN层、多量子阱、p型GaN层、第二石墨烯层，所述第一石墨烯层和第二石墨烯层采用气相沉积而成。该LED外延结构具有较佳的光电性能，应用广泛。

技术研发人员：李国强
受保护的技术使用者：河源市众拓光电科技有限公司
技术研发日：2018.04.24
技术公布日：2018.11.13