技术特征：
技术总结
本发明涉及信息存储的技术领域，更具体地，涉及一种低激活电压阻变器件的制备方法。其主要步骤为：1)对导电衬底进行表面清洗和预处理后待用；2)随后，在导电衬底上生长并热处理后得到介质层S1；3)配制介质层S2的前驱体溶液A2，并加入腐蚀剂得到混合前驱体溶液A3；4)将混合前驱体溶液A3旋涂在介质层S1上并热处理得到复合介质层S2(1)/S1；5)在复合介质层S2(1)/S1上蒸镀顶电极，完成制备。本发明易于实现，可重复性好，成本低廉，在较低的温度和常压条件下下即可制备出具有低激活电压的阻变器件。该发明为新型半导体存储器件的设计和性能优化提供了新途径，并且在半导体材料的电学改性、定向调控方面具有重要前景。
技术研发人员：段伟杰;裴艳丽;饶畅
受保护的技术使用者：中山大学
技术研发日：2018.04.27
技术公布日：2018.08.24