技术特征：
技术总结
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种斜面刻蚀装置及晶圆刻蚀方法。所述斜面刻蚀装置，用于刻蚀晶圆的边缘区域，包括：第一电极组件；第二电极组件，与所述第一电极组件相对设置，所述第二电极组件朝向所述第一电极组件的表面用于承载晶圆；旋转组件，连接所述第二电极组件，用于控制所述第二电极组件自转。本发明使得晶圆的整个边缘刻蚀效果均匀，确保了晶圆边缘形貌的均一性。
技术研发人员：戴绍龙;肖正梨;胡军
受保护的技术使用者：长江存储科技有限责任公司
技术研发日：2018.05.15
技术公布日：2018.10.16