技术特征：
技术总结
本发明公开了一种薄膜倒装LED芯片及其制作方法。其中，薄膜倒装LED芯片的制作方法包括，提供LED晶圆；在LED晶圆上形成第二钝化层和第一键合层；提供硅基底，在其上形成第二键合层；将第一键合层与第二键合层进行键合，形成LED半成品；对所述LED半成品进行刻蚀，形成刻蚀至第一电极表面的第一孔洞和刻蚀至第二电极表面的第二孔洞；在第一孔洞和第二孔洞内沉积一层金属，形成第一焊盘和第二焊盘；移除衬底。本发明的制作方法，操作简单，不仅提高芯片的外量子效率，同时使芯片电流分布均匀。
技术研发人员：王兵
受保护的技术使用者：佛山市国星半导体技术有限公司
技术研发日：2018.06.04
技术公布日：2018.08.31