技术特征：
技术总结
本发明提供了一种异质结肖特基二极管元件，其包括缓冲层、至少一通道层、至少一阻障层以及肖特基金属层。缓冲层配置于基板上。至少一通道层配置于缓冲层上。至少一阻障层配置于至少一通道层上。此外，多个条状开口配置为穿过至少一阻障层与至少一通道层。肖特基金属层配置于至少一阻障层上、横跨条状开口并填入条状开口中。本发明的异质结肖特基二极管元件为三维结构，其可增加肖特基金属层与二维电子气的接触面积，以减少传输阻值，并降低起始电压。
技术研发人员：蔡镕泽;林恒光
受保护的技术使用者：新唐科技股份有限公司
技术研发日：2018.06.21
技术公布日：2019.02.05