技术总结
一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括器件区，器件区的类型包括NMOS区和PMOS区中的一种或两种，相同类型的器件区用于形成不同阈值电压的器件；在基底上形成栅极结构；在栅极结构两侧的基底内形成凹槽，在相同类型的器件区中，沿垂直于栅极结构侧壁的方向，不同阈值电压对应的凹槽侧壁至相邻栅极结构侧壁的最小距离不同；在多个凹槽内形成源漏掺杂层。本发明通过调节相同类型器件区中各凹槽侧壁至相邻栅极结构侧壁的最小距离的方式，不仅易于分别调节各器件的阈值电压，且还能减小形成功函数层的工艺对器件性能和良率所产生的不良影响，避免任一器件的阈值电压调节对其他器件产生交叉影响。
技术研发人员：于书坤
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
技术研发日：2018.06.22
技术公布日：2019.12.31