技术特征：
技术总结
提供一种方法，其能够评价由相对晶片外表面的外延反应或蚀刻反应而产生的晶片内表面的凹凸部是因沉积反应和蚀刻反应中的哪者而产生的。准备SOI晶片（S1），测定SOI晶片的SOI层的厚度（S2）。按照SOI层朝向基座侧的方式，将SOI晶片上下翻转并放置于基座上，进行外延反应或蚀刻反应（S3，S4）。将反应后的SOI晶片上下翻转成SOI层朝向上方的状态，测定SOI层的厚度（S5，S6）。通过求出反应前后的SOI层的厚度的差，来获得晶片内表面的沉积反应与蚀刻反应的面内分布（S7）。另外，根据已获得的面内分布，求出用于使该面内分布均匀化的外延生产的工艺条件，根据该工艺条件，在制品衬底上进行外延生长。
技术研发人员：大西理;荒井刚
受保护的技术使用者：信越半导体株式会社
技术研发日：2018.06.25
技术公布日：2019.01.15