技术特征：
技术总结
本发明公开了一种非晶金属VI族化合物半导体薄膜与薄膜晶体管，所述的非晶金属VI族化合物半导体的化学通式为ZnMV或ZnAMV，其中M=In或Sn，A=Al或Ga或Zr或Hf或Ti或Mg或Si或Ge或Nb或Be或Ca或Sr或Ba或Sc或Y或V或Ta或Cr或Mo或W或Re或Ni或Cu或Ag或Au，V=S或Se或Te。非晶金属VI族化合物半导体薄膜具有非晶态结构，室温下禁带宽度0.5~4.5 eV，薄膜厚度10~100 nm。以上述薄膜为沟道层制备薄膜晶体管，具有显著的场效应特性，开关电流比在105量级，场效应迁移率可达27~35 cm2/Vs。
技术研发人员：吕建国;陆波静
受保护的技术使用者：浙江大学
技术研发日：2018.06.26
技术公布日：2018.12.11