半导体封装工艺及半导体封装体的制作方法

文档序号:16093325发布日期:2018-11-27 23:16阅读:来源:国知局

技术特征:

1.一种裸片,其包括:

晶圆单元,具有第一表面及与所述第一表面相对的第二表面;

支撑层,其平铺于所述第一表面上,且具有交错分布的若干胶孔;以及

胶材层,其涂布于所述支撑层上且经所述若干胶孔贴附于所述第一表面上。

2.根据权利要求1所述的裸片,其中所述交错分布的若干胶孔为网状结构、玻璃珠状结构或纤维状结构。

3.根据权利要求1所述的裸片,其中所述支撑层为金属网或者高分子材料网。

4.根据权利要求3所述的裸片,其中所述金属网或者高分子材料网的厚度为20μm-50μm。

5.一种在晶圆背面刷胶的方法,其包含:

提供具有相对的第一表面和第二表面的晶圆,且所述晶圆具有沿切割道分布的若干晶圆单元;

在所述第一表面上平铺支撑层,所述支撑层具有交错分布的若干胶孔;

在所述支撑层上涂布胶材层,所述胶材层经所述若干胶孔贴附于所述第一表面上;

固化所述胶材层,从而将所述支撑层固定在所述晶圆和所述胶材层之间;以及

沿切割道切割所述晶圆、所述支撑层以及所述胶材层得到分离的裸片。

6.根据权利要求5所述的在晶圆背面刷胶的方法,其中所述方法还包括在固化所述胶材层之后,在所述胶材层的表面贴附蓝膜。

7.根据权利要求5所述的在晶圆背面刷胶的方法,其中所述支撑层至少平铺于整个所述晶圆的所述第一表面。

8.根据权利要求5所述的在晶圆背面刷胶的方法,其中所述交错分布的若干胶孔为网状结构、玻璃珠状结构或纤维状结构。

9.根据权利要求10所述的在晶圆背面刷胶的方法,其中所述支撑层为金属网或者高分子材料网。

10.根据权利要求11所述的在晶圆背面刷胶的方法,其中所述金属网或者高分子材料网的厚度为20μm-50μm。

11.一种半导体封装体,其包含如权利要求1-4所述的裸片。

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