技术特征：
技术总结
一种GaAs基外延片的固态扩锌方法，在GaAs外延片上设置ZnO薄膜作为锌源进行锌扩散。所述的ZnO薄膜是通过溅射方式设置在所述GaAs外延片上的。所述锌扩散所处的温度为450‑550℃，锌扩散的的气氛为惰性气体，优选的，所述惰性气体为氮气。本发明的锌扩散源为ZnO薄膜，固态源，扩散过程的重复性及一致性较好。本发明采用溅射方法制备ZnO薄膜时，会在外延层表面形成一个损伤层，在进行锌扩散时，锌原子可以顺着这些损伤缺陷很容易进入外延层。本发明使用MOCVD反应室进行锌扩散，热传递方式为热传导，使外延片温度变化很快，整个外延片的温度均匀性很好，从而使扩散的均匀性及一致性很好。
技术研发人员：朱振;张新;徐现刚
受保护的技术使用者：潍坊华光光电子有限公司
技术研发日：2018.06.27
技术公布日：2018.11.23