技术特征：
技术总结
本发明公开了一种晶体硅太阳能电池的扩散工艺，包括以下步骤：S1.扩散炉预热并通氮气；S2.进舟，保持扩散炉的温度在750～780℃，同时通氮气；S3.通氧气、氮气，氧气与硅片表面的硅反应生成一层二氧化硅层；S4.第一次沉积三氯氧磷；S5.第二次沉积三氯氧磷，磷源浓度较步骤S4提高；S6.升温扩散推进；S7.高温下，第三次沉积三氯氧磷；S8.高温推进结深；S9.降温退火；S10.退舟。本发明沉积磷时，先低浓度后高浓度升温，采用递增渐变式进行扩散，有利于提高电池片的电性能，减小扩散极差。
技术研发人员：励小伟;梁海;赖儒丹
受保护的技术使用者：浙江启鑫新能源科技股份有限公司
技术研发日：2018.07.02
技术公布日：2018.12.28