氧化物半导体层及其制造方法、以及氧化物半导体的前驱体、半导体元件及电子装置与流程

文档序号:16049392发布日期:2018-11-24 11:09阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明的课题在于提供一种能够减少裂纹的生成且具有优异的电特性及稳定性的氧化物半导体层、及具有该氧化物半导体层的半导体元件与电子装置。本发明的解决手段在于提供一种氧化物半导体层的制造方法,包含以下工序:前驱体层的形成工序,其将氧化物半导体的前驱体在基板上或其上方形成为层状,其中该氧化物半导体的前驱体是将被氧化时成为氧化物半导体的金属的化合物分散在含有粘合剂的溶液中而成的,所述粘合剂包含脂肪族聚碳酸酯;及烧成工序,其在使该粘合剂的90wt%以上分解的第1温度将该前驱体层加热之后,在比该第1温度更高、而且为前述金属与氧键合、且差示热分析法(DTA)的放热峰值即第2温度(以X表示的温度)以上的温度烧成该前驱体层。

技术研发人员:井上聪;下田达也;川北知纪;藤本信贵;西冈圣司
受保护的技术使用者:国立大学法人北陆先端科学技术大学院大学;住友精化株式会社
技术研发日:2014.07.04
技术公布日:2018.11.23
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