技术特征：
技术总结
本发明属于半导体制造技术领域，涉及一种高频硅电容器的制造方法，先在衬底上刻蚀多个沟槽，利用原子沉积技术，形成HfO2介质层，在HfO2介质层表面淀积多晶硅，刻蚀形成通孔，淀积绝缘层，刻蚀形成金属接触孔，溅射金属，形成电极；本发明方法采用最新的原子沉积技术制作HfO2介质层，使得硅电容器的频率特性优于传统的电容器，可靠性较高，同时电容器的容量精度大大提高，提高了产品的成品率。
技术研发人员：肖志强;陈杰;高向东;王涛
受保护的技术使用者：无锡中微晶园电子有限公司
技术研发日：2018.07.16
技术公布日：2018.12.14