技术特征：
技术总结
一种垂直存储器件包括：衬底，其具有单元阵列区域和与单元阵列区域相邻的连接区域；多个栅电极层，所述多个栅电极层堆叠在衬底的单元阵列区域和连接区域上，并在连接区域中形成台阶结构；第一金属线，其划分所述多个栅电极层并连接到衬底的单元阵列区域和连接区域；以及第二金属线，其划分所述多个栅电极层的一部分并连接到衬底的连接区域。基于衬底的上表面，第二金属线的下端部分的深度可以大于单元阵列区域中的第一金属线的下端部分的深度。
技术研发人员：李光镐;金光浩;曹升铉;柳志桓
受保护的技术使用者：三星电子株式会社
技术研发日：2018.07.19
技术公布日：2019.01.29