一种污染后的全氟磺酸质子膜的清洗方法与流程
本发明属于环境污染与治理技术领域，具体涉及一种污染后的全氟磺酸质子膜的清洗方法。
背景技术
在质子膜交换燃料电池(protonexchangemembranefuelcell，pemfc)中，质子交换膜起着传导质子、用作电极反应介质和催化剂载体、隔离阴极和阳极反应物的作用，是整个电池的心脏。由于全氟磺酸树脂分子的碳-氟键键长短、键能高、可极化度小,使分子具有优良的热稳定性、化学稳定性等优点，且分子支链上的亲水性磺酸基团能够吸附水分子，具有优良的离子传导特性。因此，全氟磺酸膜成为现代pemfc最主要的也是唯一商业化的膜材料，得到了广泛的应用。但是在实际应用中，系统长时间运行膜表面将形成生物膜，导致膜污染，整个系统产电性能发生恶化。一方面质子交换膜中带负电荷的磺酸盐基团的结合位点相比于质子更容易被其他阳离子替代，另外磺酸基和有机污染物可能与水中离子形成分子架桥，导致微生物粘附和生物膜形成的加剧。膜污染将阻碍质子在质子交换膜中传导，导致微生物燃料电池电流降低、内阻增大、系统性能恶化。现阶段对全氟磺酸质子膜的利用几乎都是一次性的，没有较为经济高效的二次利用方法，目前为止，尚未发现有关清洗污染后全氟磺酸质子膜的相关报道。因此，改善其使用性能，对其进行清洗再生二次利用，降低成本，延长使用寿命具有非常重要的意义。
对于全氟磺酸质子膜来说，质子电导率是衡量全氟磺酸质子膜的关键性能。全氟磺酸质子膜的质子电导率越高，燃料电池的产电性能越好。因此，提高污染后的全氟磺酸质子膜的电导率是本发明的重点。在讨论全氟磺酸质子交换膜电导率的时候，一般来说就是讨论质子交换膜内的亲水离子簇对于电导率的影响，较高的质子浓度、含水率和较大的离子通道都有利于提高膜的电导率。随着离子交换容量(iec)值的增大，全氟磺酸质子膜内亲水磺酸基团数目增多，亲水的离子簇和离子通道体积增大，从而使得溶胀率和含水率增加，全氟磺酸质子膜的电导率提高。但是，膜的iec、吸水率和溶胀率越大，机械强度和选择透过性就越低。因此，膜的iec、吸水率和溶胀率不能太高也不能太低，一般而言，iec控制在0.9mmol/g～1.25mmol/g左右，吸水率保持在15％～25％之间，从而使膜在干湿转换中尺寸变化较小，保证电池性能的稳定。在清洗全氟磺酸质子膜时必然发生溶涨，变化幅度高达10％～20％，导致膜的尺寸稳定性将变差。因此，膜的溶胀率变化需控制在10％以内。同时，为了保证在高的电流密度下，降低电池内阻，一般电导率要达到100ms/m数量级，并且其值越高越好。
技术实现要素：
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术的不足，提供了一种污染后的全氟磺酸质子膜的清洗方法。该方法采用含酸的清洗剂对污染后的全氟磺酸质子膜进行浸泡，不仅有效溶解了全氟磺酸质子膜表面和内部的污染物，并且清洗剂中的h+有助于全氟磺酸质子膜中亲水磺酸基团的恢复，增大了全氟磺酸质子膜的膜内质子迁移通道，提高了膜的电导率，从而使全氟磺酸质子膜得到再生和利用，有效的降低了pemfc的成本，减少了膜废品的处理问题。
为解决上述技术问题，本发明提供的技术方案为：一种污染后的全氟磺酸质子膜的清洗方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
步骤一、将酸和水混合均匀后配制成清洗剂；所述酸为hcl、h2so4、ch3cooh、或者hcl和h2so4形成的混合酸，所述清洗剂中酸的质量分数为2％～7％；
步骤二、将污染后的全氟磺酸质子膜完全浸没于步骤一中配制得到的清洗剂中浸泡，然后取出后用蒸馏水冲洗至中性；所述浸泡的温度为60℃～80℃；
步骤三、将步骤二中经冲洗后的全氟磺酸质子膜在室温下自然风干，得到清洗后的全氟磺酸质子膜。采用含酸的清洗剂对污染后的全氟磺酸质子膜进行浸泡清洗，不仅有效溶解了全氟磺酸质子膜表面和内部的污染物，并且清洗剂中的h+有助于全氟磺酸质子膜中亲水磺酸基团的恢复，增大了全氟磺酸质子膜的膜内质子迁移通道，提高了膜的电导率，从而使全氟磺酸质子膜得到再生和利用。
上述的一种污染后的全氟磺酸质子膜的清洗方法，其特征在于，步骤一所述酸为hcl和h2so4形成的混合酸，所述清洗剂中hcl的质量分数为4％，h2so4的质量分数为3％。采用含有hcl和h2so4的混合酸的清洗剂对污染后的全氟磺酸质子膜进行浸泡清洗，可有效溶解多种污染物，其清洗效果优于只采用含有一种酸的清洗剂的清洗效果，并且当清洗剂中hcl的质量分数为4％，h2so4的质量分数为3％时，清洗效果较佳。
上述的一种污染后的全氟磺酸质子膜的清洗方法，其特征在于，步骤二中所述浸泡的时间为12h～36h。随着浸泡的时间的延长，污染后的全氟磺酸质子膜的清洗效果越好，但过长的浸泡的时间不利于浸泡效率的提高，因此选择合适的浸泡的时间为12h～36h。
上述的一种污染后的全氟磺酸质子膜的清洗方法，其特征在于，步骤二所述浸泡的温度为75℃，浸泡的时间为24h。将污染后的全氟磺酸质子膜在温度为75℃的条件下浸泡24h，可有效去除多种污染物，清洗效果较佳。
本发明与现有技术相比具有以下优点：
1、本发明采用含酸的清洗剂对污染后的全氟磺酸质子膜进行浸泡，不仅有效溶解了全氟磺酸质子膜表面和内部的污染物，并且清洗剂中的h+有助于全氟磺酸质子膜中亲水磺酸基团的恢复，增大了全氟磺酸质子膜的膜内质子迁移通道，提高了膜的电导率，从而使全氟磺酸质子膜得到再生和利用。
2、本发明得到的清洗后的全氟磺酸质子膜电导率提高了近1.7倍，将其应用于燃料电池中后，燃料电池的最大功率密度提高了10％，可满足实际应用要求，实现了全氟磺酸质子膜的二次利用，有效的降低了pemfc的成本，减少了膜废品的处理问题。
3、本发明采用常见酸液配制清洗剂，无需特殊试剂，降低了清洗成本，且清洗效果好，对环境污染小。
4、本发明的清洗方法简单，操作便捷，可操作性强，易于推广应用。
下面通过附图和实施例对本发明的技术方案做进一步的详细描述。
附图说明
图1是本发明实施例13～实施例18得到的清洗后的全氟磺酸质子膜应用于mfc装置的示意图。
附图标记说明：
1—阳极室；2—阴极室；3—正极；
4—负极；5—质子交换膜；6—外接电阻；
7—电压采集器。
具体实施方式
如图1所示，本发明实施例13～实施例18得到的清洗后的全氟磺酸质子膜应用的mfc装置包括盛放阳极液的阳极室1和盛放阴极液的阴极室2，阳极室1和阴极室2上的侧壁上各开设有相同尺寸的小口，两个小口之间连接有全氟磺酸质子膜，阳极室1和阴极室2的顶部均开设有小孔，连接在外接电阻6上的电线穿过阳极室1的顶部小孔悬浮在阳极液中形成mfc装置的正极3，另一根连接在外接电阻6上的电线穿过阴极室2的顶部小孔悬浮在阴极液中形成mfc装置的负极4，外接电阻6与电压采集器7的输入端连接，电压采集器7的输出端与计算机数据采集系统连接。
本发明实施例1～实施例18中污染后的全氟磺酸质子膜及其未使用状态的性能如下表1所示。
表1未使用和污染后的全氟磺酸质子膜的性能
其中，“±”代表测得值在该数值附近。
由表1可知，污染后的全氟磺酸质子膜的吸水率、离子交换容量和电导率较未使用前均大幅下降，并远远低于正常范围，已经不能满足质子膜交换燃料电池的应用要求。
实施例1
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将hcl和水混合均匀后配制成500ml清洗剂；所述清洗剂中hcl的质量分数为2％；
步骤二、将五片尺寸为3cm×3cm的污染后的全氟磺酸质子膜完全浸没于步骤一中配制得到的清洗剂中浸泡，然后取出后用蒸馏水冲洗至中性；所述浸泡的温度为60℃，浸泡的时间为12h；
步骤三、将步骤二中经冲洗后的全氟磺酸质子膜在室温下自然风干，得到清洗后的全氟磺酸质子膜。
实施例2
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将hcl和水混合均匀后配制成500ml清洗剂；所述清洗剂中hcl的质量分数为4％；
步骤二、将五片尺寸为3cm×3cm的污染后的全氟磺酸质子膜完全浸没于步骤一中配制得到的清洗剂中浸泡，然后取出后用蒸馏水冲洗至中性；所述浸泡的温度为70℃，浸泡的时间为24h；
步骤三、将步骤二中经冲洗后的全氟磺酸质子膜在室温下自然风干，得到清洗后的全氟磺酸质子膜。
实施例3
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将hcl和水混合均匀后配制成500ml清洗剂；所述清洗剂中hcl的质量分数为6％；
步骤二、将五片尺寸为3cm×3cm的污染后的全氟磺酸质子膜完全浸没于步骤一中配制得到的清洗剂中浸泡，然后取出后用蒸馏水冲洗至中性；所述浸泡的温度为70℃，浸泡的时间为24h；
步骤三、将步骤二中经冲洗后的全氟磺酸质子膜在室温下自然风干，得到清洗后的全氟磺酸质子膜。
实施例4
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将hcl和水混合均匀后配制成500ml清洗剂；所述清洗剂中hcl的质量分数为7％；
步骤二、将五片尺寸为3cm×3cm的污染后的全氟磺酸质子膜完全浸没于步骤一中配制得到的清洗剂中浸泡，然后取出后用蒸馏水冲洗至中性；所述浸泡的温度为80℃，浸泡的时间为36h；
步骤三、将步骤二中经冲洗后的全氟磺酸质子膜在室温下自然风干，得到清洗后的全氟磺酸质子膜。
实施例5
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将h2so4和水混合均匀后配制成500ml清洗剂；所述清洗剂中h2so4的质量分数为2％；
步骤二、将五片尺寸为3cm×3cm的污染后的全氟磺酸质子膜完全浸没于步骤一中配制得到的清洗剂中浸泡，然后取出后用蒸馏水冲洗至中性；所述浸泡的温度为60℃，浸泡的时间为12h；
步骤三、将步骤二中经冲洗后的全氟磺酸质子膜在室温下自然风干，得到清洗后的全氟磺酸质子膜。
实施例6
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将h2so4和水混合均匀后配制成500ml清洗剂；所述清洗剂中h2so4的质量分数为4％；
步骤二、将五片尺寸为3cm×3cm的污染后的全氟磺酸质子膜完全浸没于步骤一中配制得到的清洗剂中浸泡，然后取出后用蒸馏水冲洗至中性；所述浸泡的温度为70℃，浸泡的时间为24h；
步骤三、将步骤二中经冲洗后的全氟磺酸质子膜在室温下自然风干，得到清洗后的全氟磺酸质子膜。
实施例7
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将h2so4和水混合均匀后配制成500ml清洗剂；所述清洗剂中h2so4的质量分数为6％；
步骤二、将五片尺寸为3cm×3cm的污染后的全氟磺酸质子膜完全浸没于步骤一中配制得到的清洗剂中浸泡，然后取出后用蒸馏水冲洗至中性；所述浸泡的温度为70℃，浸泡的时间为24h；
步骤三、将步骤二中经冲洗后的全氟磺酸质子膜在室温下自然风干，得到清洗后的全氟磺酸质子膜。
实施例8
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将h2so4和水混合均匀后配制成500ml清洗剂；所述清洗剂中h2so4的质量分数为7％；
步骤二、将五片尺寸为3cm×3cm的污染后的全氟磺酸质子膜完全浸没于步骤一中配制得到的清洗剂中浸泡，然后取出后用蒸馏水冲洗至中性；所述浸泡的温度为80℃，浸泡的时间为36h；
步骤三、将步骤二中经冲洗后的全氟磺酸质子膜在室温下自然风干，得到清洗后的全氟磺酸质子膜。
实施例9
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将ch3cooh和水混合均匀后配制成500ml清洗剂；所述清洗剂中ch3cooh的质量分数为2％；
步骤二、将五片尺寸为3cm×3cm的污染后的全氟磺酸质子膜完全浸没于步骤一中配制得到的清洗剂中浸泡，然后取出后用蒸馏水冲洗至中性；所述浸泡的温度为60℃，浸泡的时间为12h；
步骤三、将步骤二中经冲洗后的全氟磺酸质子膜在室温下自然风干，得到清洗后的全氟磺酸质子膜。
实施例10
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将ch3cooh和水混合均匀后配制成500ml清洗剂；所述清洗剂中ch3cooh的质量分数为4％；
步骤二、将五片尺寸为3cm×3cm的污染后的全氟磺酸质子膜完全浸没于步骤一中配制得到的清洗剂中浸泡，然后取出后用蒸馏水冲洗至中性；所述浸泡的温度为70℃，浸泡的时间为24h；
步骤三、将步骤二中经冲洗后的全氟磺酸质子膜在室温下自然风干，得到清洗后的全氟磺酸质子膜。
实施例11
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将ch3cooh和水混合均匀后配制成500ml清洗剂；所述清洗剂中ch3cooh的质量分数为6％；
步骤二、将五片尺寸为3cm×3cm的污染后的全氟磺酸质子膜完全浸没于步骤一中配制得到的清洗剂中浸泡，然后取出后用蒸馏水冲洗至中性；所述浸泡的温度为70℃，浸泡的时间为24h；
步骤三、将步骤二中经冲洗后的全氟磺酸质子膜在室温下自然风干，得到清洗后的全氟磺酸质子膜。
实施例12
本实施例包括以下步骤：
步骤一、将ch3cooh和水混合均匀后配制成500ml清洗剂；所述清洗剂中ch3cooh的质量分数为7％；
步骤二、将五片尺寸为3cm×3cm的污染后的全氟磺酸质子膜完全浸没于步骤一中配制得到的清洗剂中浸泡，然后取出后用蒸馏水冲洗至中性；所述浸泡的温度为80℃，浸泡的时间为36h；
步骤三、将步骤二中经冲洗后的全氟磺酸质子膜在室温下自然风干，得到清洗后的全氟磺酸质子膜。
实施例13
步骤一、将hcl、h2so4和水混合均匀后配制成500ml清洗剂；所述清洗剂中hcl和h2so4的质量分数均为1％；
步骤二、将五片尺寸为3cm×3cm的污染后的全氟磺酸质子膜完全浸没于步骤一中配制得到的清洗剂中浸泡，然后取出后用蒸馏水冲洗至中性；所述浸泡的温度为60℃，浸泡的时间为12h；
步骤三、将步骤二中经冲洗后的全氟磺酸质子膜在室温下自然风干，得到清洗后的全氟磺酸质子膜。
实施例14
步骤一、将hcl、h2so4和水混合均匀后配制成500ml清洗剂；所述清洗剂中hcl和h2so4的质量分数均为2％；
步骤二、将五片尺寸为3cm×3cm的污染后的全氟磺酸质子膜完全浸没于步骤一中配制得到的清洗剂中浸泡，然后取出后用蒸馏水冲洗至中性；所述浸泡的温度为65℃，浸泡的时间为18h；
步骤三、将步骤二中经冲洗后的全氟磺酸质子膜在室温下自然风干，得到清洗后的全氟磺酸质子膜。
实施例15
步骤一、将hcl、h2so4和水混合均匀后配制成500ml清洗剂；所述清洗剂中hcl的质量分数为3％，h2so4的质量分数为2％；
步骤二、将五片尺寸为3cm×3cm的污染后的全氟磺酸质子膜完全浸没于步骤一中配制得到的清洗剂中浸泡，然后取出后用蒸馏水冲洗至中性；所述浸泡的温度为70℃，浸泡的时间为18h；
步骤三、将步骤二中经冲洗后的全氟磺酸质子膜在室温下自然风干，得到清洗后的全氟磺酸质子膜。
实施例16
步骤一、将hcl、h2so4和水混合均匀后配制成500ml清洗剂；所述清洗剂中hcl的质量分数为3％，h2so4的质量分数为2％；
步骤二、将五片尺寸为3cm×3cm的污染后的全氟磺酸质子膜完全浸没于步骤一中配制得到的清洗剂中浸泡，然后取出后用蒸馏水冲洗至中性；所述浸泡的温度为75℃，浸泡的时间为24h；
步骤三、将步骤二中经冲洗后的全氟磺酸质子膜在室温下自然风干，得到清洗后的全氟磺酸质子膜。
实施例17
步骤一、将hcl、h2so4和水混合均匀后配制成500ml清洗剂；所述清洗剂中hcl的质量分数为4％，h2so4的质量分数为3％；
步骤二、将五片尺寸为3cm×3cm的污染后的全氟磺酸质子膜完全浸没于步骤一中配制得到的清洗剂中浸泡，然后取出后用蒸馏水冲洗至中性；所述浸泡的温度为75℃，浸泡的时间为24h；
步骤三、将步骤二中经冲洗后的全氟磺酸质子膜在室温下自然风干，得到清洗后的全氟磺酸质子膜。
实施例18
步骤一、将hcl、h2so4和水混合均匀后配制成500ml清洗剂；所述清洗剂中hcl的质量分数为4％，h2so4的质量分数为3％；
步骤二、将五片尺寸为3cm×3cm的污染后的全氟磺酸质子膜完全浸没于步骤一中配制得到的清洗剂中浸泡，然后取出后用蒸馏水冲洗至中性；所述浸泡的温度为80℃，浸泡的时间为36h；
步骤三、将步骤二中经冲洗后的全氟磺酸质子膜在室温下自然风干，得到清洗后的全氟磺酸质子膜。
将实施例1～实施例12得到的清洗后的全氟磺酸质子膜进行性能检测，其具体过程为：(1)离子交换容量iec：将清洗后的全氟磺酸质子膜浸泡于盛有30ml的5mol/l氯化钠溶液的小烧杯中，然后不断轻微摇晃烧杯并搅拌溶液，48h后将膜取出，用少量去离子水冲洗膜表面，再以酚酞作指示剂，用新标定的0.005mol/l的氢氧化钠溶液滴定，清洗后的全氟磺酸质子膜的离子交换容量iec的计算公式为iec＝(v(naoh)×c(naoh)×1000)/m，其中，v(naoh)为氢氧化钠溶液消耗的体积，单位为ml，c(naoh)为氢氧化钠溶液的摩尔浓度，m为清洗后的全氟磺酸质子膜的质量，单位为g，离子交换容量iec表示每克膜可交换的h+的毫克当量数(meq·g-1)，单位为mmol/g；(2)吸水率：将清洗后的全氟磺酸质子膜浸泡在去离子水中24h，使其充分润湿，取出后擦干表面水分并称重得到湿重，然后将其放入恒温烘箱中彻底干燥并称重得到干重，计算湿重与干重的差值与干重的比值即得到清洗后的全氟磺酸质子膜的吸水率；(3)溶胀率：将清洗后的全氟磺酸质子膜置于真空干燥箱中在60℃的条件下干燥24h至尺寸不再发生变化，测量得到干膜的尺寸，然后浸泡在去离子水中24h使其充分润湿，测量得到湿膜的尺寸，计算湿膜的尺寸与干膜的尺寸的差值与干膜的尺寸比值即得到清洗后的全氟磺酸质子膜的溶胀率；(4)电导率：将清洗后的全氟磺酸质子膜浸泡在去离子水中24h后测量膜的厚度，然后将膜固定在ptfe材料中间，测量在60℃～80℃的温度下长度方向的电导率；结果如下表2所示。
表2实施例1～实施例12得到的清洗后的全氟磺酸质子膜的性能
由表2可知，本发明实施例1～实施例12得到的清洗后的全氟磺酸质子膜的各性能指标均优于污染后的全氟磺酸质子膜的各性能指标，且吸水率、iec、电导率的增长幅度大，溶胀率变化小，说明含有不同种类、不同质量分数的酸的清洗剂对污染后的全氟磺酸质子膜均具有清洗作用，并且含有强酸的清洗剂的清洗效果要优于含有弱酸的清洗剂的清洗效果，含有高质量分数酸的清洗剂的清洗效果要优于含有低质量分数酸的清洗剂的清洗效果，因为含有强酸的清洗剂和含有高质量分数酸的清洗剂中存在更多的h+，有助于全氟磺酸质子膜中亲水磺酸基团的恢复，增大膜内的质子迁移通道体积，同时又能有效的清除聚集在全氟磺酸质子膜上的污垢，从而提高膜的电导率，提高燃料电池的产电性能。
将实施例13～实施例18得到的清洗后的全氟磺酸质子膜进行性能检测，并应用于微生物燃料电池(mfc)装置，如图1所示，然后测定计算mfc的最大功率密度，其中，实施例13～实施例18得到的清洗后的全氟磺酸质子膜性能检测的具体过程与实施例1～实施例12得到的清洗后的全氟磺酸质子膜性能检测的具体过程相同，测定计算mfc的最大功率密度的具体过程为：(1)配制阳极液：量取987.5ml的50mm的磷酸钠缓冲溶液(pbs)，然后加入0.13g的kcl，0.31g的nh4cl以及12.5ml的微量元素溶液，使用前先加入1g无水乙酸钠作为碳源，并调节溶液的ph为7.1～7.3，得到阳极液；(2)配制阴极液：量取1000ml的50mm的磷酸钠缓冲溶液(pbs)，然后加入32.92g的0.1mol/l的k3fe(cn)6，并用3mol/l的naoh溶液调节溶液的ph为7.5以上，得到阴极液，阴极液在存储和使用过程中均需用锡范纸盖上避光；(3)启动mfc装置：给阳极室通高纯氮气30min除氧，然后将阳极液与火锅废水等体积混合后加入阳极室中，将阴极液加入阴极室中，在恒定外电阻为1000ω的条件下运行，每两天更换一次阳极液和阴极液并设为一个周期，通过计算机数据采集系统实时采集mfc装置的电压数据，当前后两个周期的最大电压相同时视为启动成功；(4)测定与计算：继续通过计算机数据采集系统实时采集mfc装置的电压数据u，然后根据公式电流密度iv＝i/v＝u/vr，p＝uiv得出最大功率密度pv＝u2/vr，其中电流密度iv的单位为a/m3，v为电池体积，单位为m3，r为外接电阻1000ω，结果见下表3。
表3实施例13～实施例18得到的清洗后的全氟磺酸质子膜的性能及应用性能
由表3可知，本发明实施例13～实施例18得到的清洗后的全氟磺酸质子膜的各性能指标均优于污染后的全氟磺酸质子膜的各性能指标，说明含有不同质量分数hcl和h2so4的清洗剂对污染后的全氟磺酸质子膜均具有清洗作用，并且随着清洗剂中酸的质量分数的提高、清洗剂浸泡温度的增加和浸泡时间的延长，清洗后的全氟磺酸质子膜的电导率和应用于mfc的最大功率密度也随之提高，但当浸泡温度过高时，高温使全氟磺酸质子膜的失水速率增大，电导率增长幅度变慢，因此将浸泡的温度控制在80℃以下；综合考虑清洗成本和清洗后的全氟磺酸质子膜的各性能指标以及应用性能，确定实施例17中采用质量分数为4％的hcl和质量分数为3％的h2so4的清洗剂将污染后的全氟磺酸质子膜在温度为75℃的条件下浸泡24h的工艺最优，实施例17得到的清洗后的全氟磺酸质子膜电导率提高了近1.7倍，应用于mfc的最大功率密度为125.6mw·m-2，而污染后膜的最大功率密度为115.28mw·m-2，相比之下提高了10％。
将表2和表3比较可知，实施例13～实施例18得到的清洗后的全氟磺酸质子膜的性能优于实施例1～实施例12得到的清洗后的全氟磺酸质子膜的性能，说明采用含有hcl和h2so4的混合酸的清洗剂对污染后的全氟磺酸质子膜进行浸泡清洗的效果优于只采用含有一种酸的清洗剂的效果。
以上所述，仅是本发明的较佳配料范围实施例，并非对本发明做任何限制，凡是根据发明技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、变更以及等效结构变化，均仍属于本发明技术方案的保护范围内。
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