楔形工具及楔形键合方法与流程

本发明涉及一种楔形工具及楔形键合方法。

背景技术：

包含igbt(insultedgatebipolartransistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率mosfet(metaloxidesemiconductorfieldeffecttransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)等半导体元件的半导体装置例如被用作电力转换装置。在这样的半导体装置内的半导体元件彼此的电极间、半导体元件的电极与电路板之间等，通过对由铝及铝合金构成的引线进行楔形键合而进行电布线(例如，参照专利文献1)。

但是，伴随着电流密度的增加，半导体装置推进大电流化。因此，在半导体装置内，在接合有引线的部位(键合部)导通大电流而因焦耳热导致键合部及半导体元件发热。由此，如果在半导体装置内产生温度变化，则因引线与半导体元件之间的热膨胀系数的差、和/或引线与电路板之间的热膨胀系数的差而在键合部产生热应力。因此，键合部的接合界面附近因热疲劳而被破坏。

因此，键合线逐渐采用铜(或铜合金)来代替铝。就铜而言，电阻低，且导热性优异，与铝相比熔点高，且刚性高。因此，如果半导体装置内的键合线使用铜，则即使在键合部流通大电流也能够降低因热应力引起的热疲劳所导致的破损的发生。而且，布线部件不仅是线形，还期待是带状的。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2013-135008号公报

技术实现要素：

技术问题

如果使用铜等低电阻的材料和/或高熔点的材料作为布线部件，则楔形工具的前端部分有时会与作为被接合部件的半导体元件和/或电路板接触。因此，存在半导体元件和/或电路板受到损伤，半导体装置的品质降低的问题。

另外，在楔形工具的前端部分与被接合部件接触的状态下，因为楔形工具进行超声波振动，有时产生楔形工具的振幅异常。因此，存在楔形工具的破损和/或布线部件的切断这样的问题。

本发明者锐意研究的结果发现在将布线部件按压到被接合部件时，由于楔形工具倾斜，所以导致在超声波振动时楔形工具的前端部分与作为被接合部件的半导体元件和/或电路板接触。详细情况如下所示。

在此，利用图12对使用铜引线作为布线部件的楔形键合进行说明。

图12是用于说明利用现有的键合工具对半导体元件进行的楔形键合的图。

应予说明，图12按照时间序列表示利用键合工具对半导体元件进行的楔形键合(图12的(a)～图12的(c))。

键合工具100具有：楔形工具101；保持键合线1的引线引导件102；在键合后切断键合线1的切断器(省略图示)。

楔形工具101伴随着超声波振动将键合线1按压到半导体元件141上，从而能够将键合线1接合于半导体元件141。

引线引导件102将供给来的键合线1引导到半导体元件141的接合部位并对其进行保持。

切断器将利用楔形工具101接合于半导体元件141的键合线1切断。

在具有这样的构成的键合工具100中，首先，利用引线引导件102将供给到半导体元件141的键合线1保持(图12的(a))。

并且，通过使楔形工具101向半导体元件141侧移动，从而开始利用楔形工具101的前端部分将键合线1向半导体元件141按压(图12的(b))。此时，楔形工具101的前端部分的端部a(图12的(b))与键合线1抵接。

通过将楔形工具101向半导体元件141侧进一步移动，从而键合线1被从半导体元件141按压。但是，因为铜的刚性比铝的刚性高，所以楔形工具101的端部a处的键合线1没有进行弯曲。因此，楔形工具101的前端部分如图12的(b)的虚线箭头所示，沿键合线1向与引线引导件102相反的方向滑动。因此，导致楔形工具101倾斜(图12的(c))。

由于楔形工具101如图12的(c)所示地倾斜，所以在楔形工具101的前端部分中，仅利用端部a按压键合线1。因此，没有进行均匀的键合，导致楔形工具101的前端部分在超声波振动时与半导体元件141接触。

本发明是鉴于这一点而做出的，其目的在于，提供一种能够稳定地进行布线部件的楔形键合的楔形工具及楔形键合方法。

技术方案

根据本发明的一个观点，提供一种楔形工具，其将布线部件向利用楔形键合法与所述布线部件接合的被接合部件的接合面按压，在所述楔形工具的前端部分沿所述布线部件的长度方向具有槽部，所述槽部以使所述楔形工具的踵侧的槽部比所述楔形工具的趾侧的槽部更接近所述接合面的方式倾斜。

另外，在所述楔形工具的所述前端部分的与所述接合面相对的一侧，在所述槽部的两侧沿所述长度方向分别形成有面状的底面部。

另外，所述底面部与所述槽部同样地倾斜。

另外，所述楔形工具的所述趾侧的趾开口部的开口高度与所述楔形工具的所述踵侧的踵开口部的开口高度相同。

另外，所述底面部形成为与所述接合面平行。

另外，所述楔形工具的所述趾侧的趾开口部的开口高度比所述楔形工具的所述踵侧的踵开口部的开口高度高。

另外，所述槽部的倾斜角为2.0°以上、且7.0°以下。

另外，所述布线部件由铜、钯、铂、金、银、或者至少包含它们中的一种的合金构成。

另外，所述布线部件的刚性为杨氏模量10×10¹⁰pa以上。

另外，所述布线部件为线形。

另外，所述布线部件的直径为300μm以上、且600μm以下。

另外，所述布线部件的直径为400μm以上、且500μm以下。

另外，所述布线部件为带状。

另外，根据本发明的一个观点，提供一种楔形键合方法，其具有：准备楔形工具的工序，所述楔形工具在前端部分形成有槽部，所述槽部以使楔形工具的踵侧的槽部比所述楔形工具的趾侧的槽部更接近接合面的方式倾斜而在所述踵侧构成角部，所述接合面是被接合部件的与键合线接合的面；使所述楔形工具针对所述被接合部件的接合面垂直地下降，并利用所述楔形工具的所述槽部将所述键合线向所述被接合部件的接合面按压的工序。

技术效果

根据公开的技术，能够对被接合部件稳定地进行楔形键合，并能够防止对被接合部件的损伤，而抑制半导体装置的可靠性的下降。

附图说明

图1是用于说明半导体装置的制造中的楔形键合的图。

图2是用于说明第一实施方式的楔形工具的前端部分的图(之一)。

图3是用于说明第一实施方式的楔形工具的前端部分的图(之二)。

图4是用于说明利用第一实施方式的键合工具对半导体元件进行的楔形键合方法的图(之一)。

图5是用于说明利用第一实施方式的键合工具对半导体元件进行的楔形键合方法的图(之二)。

图6是用于说明利用第一实施方式的键合工具对半导体元件进行的楔形键合方法的图(之三)。

图7是表示第一实施方式的相对于线径的楔形工具的底面部的倾斜角的图。

图8是用于说明第二实施方式的楔形工具的前端部分的图(之一)。

图9是用于说明第二实施方式的楔形工具的前端部分的图(之二)。

图10是用于说明利用第二实施方式的键合工具对半导体元件进行的楔形键合的图(之一)。

图11是用于说明利用第二实施方式的键合工具对半导体元件进行的楔形键合的图(之二)。

图12是用于说明利用现有的键合工具对半导体元件进行的楔形键合的图。

符号说明

1键合线

2轨迹

10结构体

20陶瓷电路基板

21绝缘板

22金属板

23a、23b电路板

30散热部

40半导体元件

41电极

50、50a键合工具

51、61楔形工具

51a1、51a2、61a1、61a2底面部

51b1、61b1踵开口部

51b2、61b2趾开口部

51b3、61b3槽部

51c1、51c2、51c3、51c4、61c1、61c2、61c3、61c4、61d4角部

52引线引导件

53切断器

54夹紧机构

61d1、61d2、61d3曲面

具体实施方式

以下，参照附图，对实施方式进行说明。

[第一实施方式]

首先，利用图1，对半导体装置的制造中的利用键合工具的楔形键合方法进行说明。

图1是用于说明半导体装置的制造中的楔形键合的图。应予说明，图1表示半导体装置的制造过程中的楔形键合工序。

如图1所示，半导体装置的结构体10具有陶瓷电路基板20、散热部30、和半导体元件40。

陶瓷电路基板20具有：绝缘板21、形成于绝缘板21的背面的金属板22、和形成于绝缘板21的正面的电路板23a、23b。

绝缘板21由氧化铝、氮化铝、氮化硅等导热性高的陶瓷构成。

金属板22由导热性优异的铝、铁、银、铜、或者至少包含它们中的一种的合金等金属构成。

电路板23a、23b由导电性优异的材质构成。作为这样的材质，由例如铝、铜、或者至少包含它们中的一种的合金等构成。并且，为了提高耐腐蚀性，例如，可以通过镀覆处理等将镍等材料形成于与冷却器一体化的散热部30的表面。具体而言，除了镍以外，还有镍-磷合金、镍-硼合金等。应予说明，电路板23a、23b是一个例子，不限于两个，也可以配置三个以上的电路板。

作为具有这样的结构的陶瓷电路基板20，能够使用例如dcb(directcopperbonding：直接铜键合)基板、amb(activemetalbrazed：活性金属钎焊)基板。陶瓷电路基板20能够使由半导体元件40产生的热经由电路板23b、绝缘板21及金属板22而传递到散热部30侧。

应予说明，绝缘板21在俯视下呈例如矩形。另外，金属板22在俯视下呈面积比绝缘板21小的矩形。因此，陶瓷电路基板20呈例如矩形。

如图1所示，散热部30呈例如板状，由导热性优异的铝、铁、银、铜、或者至少包含它们中的一种的合金等金属构成。另外，为了提高耐腐蚀性，例如可以通过镀覆处理等将镍等材料在散热部30的表面形成镀覆层。具体而言，除了镍以外，还有镍-磷合金、镍-硼合金等。

应予说明，也可以通过在该散热部30的背面侧经由焊锡或者银焊料等接合冷却器(省略图示)，或者经由导热膏等机械地安装冷却器，来提高散热性。该情况下的冷却器由例如导热性优异的铝、铁、银、铜、或者至少包含它们中的一种的合金等金属构成。另外，作为冷却器，能够使用散热片或者由多个散热片构成的散热器、以及利用水冷的冷却装置等。另外，散热部30可以与这样的冷却器一体地构成。在该情况下，散热部30由导热性优异的铝、铁、银、铜、或者至少包含它们中的一种的合金等金属构成。并且，为了提高耐腐蚀性，例如，可以通过镀覆处理等将镍等材料形成于与冷却器一体化的散热部30的表面。具体而言，除了镍以外，还有镍-磷合金、镍-硼合金等。

半导体元件40包括由硅或碳化硅构成的，例如igbt、功率mosfet等开关元件。这样的半导体元件40例如在背面具备漏电极(或者，集电极)作为主电极，在正面具备栅电极及源电极(或者，发射电极)作为主电极。

另外，半导体元件40根据需要包含sbd(schottkybarrierdiode：肖特基势垒二极管)、fwd(freewheelingdiode：续流二极管)等二极管。这样的半导体元件40在背面具备阴电极作为主电极，在正面具备阳电极作为主电极。上述半导体元件40的背面侧接合于电路板23b的预定的电路图案(省略图示)上。

半导体元件40的电极由导电性优异的铜、铝、金、银、或者至少包含它们中的一种的合金等金属构成。另外，为了提高耐腐蚀性，例如，可以在表面形成镍等材料。而且，半导体元件40的被楔形键合的面的电极优选是具有键合线1以上的硬度的材料。

应予说明，半导体元件40经由焊锡(省略图示)接合在电路板23b上。根据需要，半导体元件40能够在陶瓷电路基板20的电路板23a、23b上适当地设置多个。

接着，说明对这样的半导体装置的结构体10进行楔形键合的键合装置的键合工具50。

键合工具50具备楔形工具51、引线引导件52、切断器53、夹紧机构54。

楔形工具51与产生超声波的超声波振动子(省略图示)连接，在楔形工具51的前端部分形成有后述的槽部。应予说明，超声波振动子例如振荡出60khz以上、且150khz以下的频率的超声波。另外，楔形工具51沿箭头y1在上下方向(图1中)上移动。对于这样的楔形工具51而言，如果如后所述地被供给键合线1，则楔形工具51向下方(图1中)移动，并利用槽部夹持键合线1将键合线1按压到半导体元件40的电极等预定接合部位。楔形工具51按压键合线1，并且接受来自超声波振动子的超声波而进行超声波振动，从而能够将键合线1接合到预定接合部位。如果楔形工具51这样地将键合线1接合到预定接合部位，则来自超声波振动子的振动停止，楔形工具51向上方(图1中)移动而返回到原始位置。

键合线1由电阻小且熔点至少比铝高的材质构成。这样的材质例如由铜、钯、铂、金、银、或者至少包含它们中的一种的合金等构成。而且，从加工性、原材料价格方面来看，优选由铜、钯、铂、或者至少包含它们中的一种的合金等构成。另外，铝的刚性以杨氏模量计为7×10¹⁰pa左右，与此相对，铜的刚性为13×10¹⁰pa左右，钯的刚性为11×10¹⁰pa左右，铂的刚性为17×10¹⁰pa左右，金的刚性为8×10¹⁰pa左右，银的刚性为8×10¹⁰pa左右。因此，这样的键合线1的刚性至少比铝高。更优选为10×10¹⁰pa以上。通过提高刚性，能够减少因热应力引起的引线破损的发生。另外，键合线1的表面也可以被钯等覆盖。

键合线1的线径为300μm以上、且600μm以下，更优选为400μm以上、且500μm以下。键合线1的截面可以不是圆形，而是椭圆形、矩形。应予说明，在第一实施方式及第二实施方式中，作为布线部件，列举使用键合线1的情况为例进行说明。但是，布线部件不限于键合线1，也可以是截面呈扁平形状的带状。

引线引导件52在内部收纳有键合线1，对键合线1的向预定接合部位的供给进行引导，并对被引导的键合线1进行保持。

切断器53相对于楔形工具51独立地，沿箭头y2在上下方向(图1中)上移动，而在键合线1的接合结束后，切断多余的键合线1。

夹紧机构54设置在楔形工具51的侧部，保持或者释放利用引线引导件52引导的键合线1，而使键合线1从引线引导件52进行引导，从而控制来自引线引导件52的键合线1的供给。

键合装置具备这样的键合工具50。应予说明，以下说明的楔形键合是由键合装置内的cpu(centralprocessingunit：中央处理单元)等控制部控制的键合工具50来执行。

接着，说明利用这样的键合工具50对半导体装置的结构体10进行的楔形键合。

首先，在键合装置的预定的位置设置结构体10。

使键合工具50移动到陶瓷电路基板20上的半导体元件40的电极(省略图示)上。

从夹紧机构54释放的键合线1被引线引导件52引导，而被供给到半导体元件40的电极上。接着，停止来自夹紧机构54的键合线1的供给。

使楔形工具51针对半导体元件40的电极面垂直地下降，并在使楔形工具51振动的同时，利用楔形工具51的前端部分将键合线1向电极侧按压。由此，能够使键合线1与电极接合。应予说明，在后面对此时的按压的详细情况进行说明(图4～图6)。

之后，使键合工具50(楔形工具51的前端部分)沿图1的虚线所示的轨迹2移动到电路板23a上。

与上述相同地，将键合线1接合到电路板23a上。之后，将楔形工具51的前端部分从键合部分挪开，通过使切断器53移动来切断多余的键合线1。

接着，利用图2及图3，对包含于键合工具50的楔形工具51的前端部分的详细情况进行说明。

图2及图3是用于说明第一实施方式的楔形工具的前端部分的图。

应予说明，图2的(a)表示楔形工具51的前端部分的正面的图，图2的(b)表示楔形工具51的前端部分的端面(趾侧)的图，图2的(c)表示楔形工具51的前端部分的端面(踵侧)的图。另外，图3表示楔形工具51的前端部分的底面的图。应予说明，趾侧是指，在楔形工具51的前端部分中，键合线1的前端所处的一侧，即，在图1中位于左侧。踵侧是指，在楔形工具51的前端部分中，供给键合线1的一侧，即，趾的相反侧且在图1中位于右侧。

在楔形工具51的前端部分的底面的中央部形成有通过沿着按压的键合线1的长度方向的踵侧(踵开口部51b1)与趾侧(趾开口部51b2)之间的槽部51b3(图3)。而且，在楔形工具51的前端部分的底面，在槽部51b3的两侧形成有沿着槽部51b3的底面部51a1、51a2。另外，底面部51a1、51a2包括踵侧的角部51c1、51c2和趾侧的角部51c3、51c4(图3)。

另外，此时，作为槽部51b3的端面的趾侧的趾开口部51b2及踵侧的踵开口部51b1如图2的(b)、图2的(c)所示，呈倒v形。

并且，楔形工具51的底面部51a1、51a2从踵侧到趾侧形成预定的倾斜角α。槽部51b3也如图2的(a)的虚线所示地以该倾斜角α倾斜。应予说明，在后面对倾斜角α与键合线1的线径之间的关系进行说明。

接着，利用图4～图6，对利用具备这样的楔形工具51的键合工具50所进行的楔形键合方法进行说明。

图4～图6是用于说明利用第一实施方式的键合工具对半导体元件进行的楔形键合方法的图。应予说明，在图4～图6中，放大表示楔形工具51的前端部分的正面。另外，省略切断器53的图示。另外，仅表示出结构体10中的、在主面具备电极41的半导体元件40。

首先，如上所述，在键合装置的预定位置设置结构体10，使键合工具50移动到陶瓷电路基板20(省略图示)上的半导体元件40的电极41上。从夹紧机构54(省略图示)释放的键合线1被引线引导件52引导，而被供给到半导体元件40的电极41上。接着，停止来自夹紧机构54(省略图示)的键合线1的供给(图4)。

接着，如图4的虚线箭头所示，使键合工具50朝向电极41而针对电极41面垂直地下降。由此，利用楔形工具51的前端部分的角部51c1、51c2将键合线1向电极41侧按压。此时，如图5所示，作为楔形工具51的槽部51b3的角部51c1、51c2的踵开口部51b1扎入到键合线1。键合线1以作为楔形工具51的角部51c1、51c2的踵开口部51b1为支点进行弯曲。因此，键合线1被楔形工具51固定在电极41上。

而且，如果使键合工具50下降，则楔形工具51以其前端部分的踵开口部51b1为支点，朝向趾侧沿图5中的虚线的箭头向左侧倾斜。

于是，如图6所示，楔形工具51的角部51c3、51c4没有与电极41接触，而仅以倾斜角α倾斜，使楔形工具51的前端部分的槽部51b3沿键合线1的长度方向与键合线1嵌合。即，楔形工具51成为如下姿态：能够在不给电极41带来损伤，并且抑制振幅异常而不会切断键合线1的状态下将键合线1按压到电极41上。

在键合工具50中，图6所示的状态的楔形工具51将键合线1向电极41侧按压，并且接受来自超声波振动子的超声波而进行超声波振动。由此，能够在电极41上接合键合线1。

之后，使键合工具50移动到下一接合部位，并进行与上述同样的接合。另外，可以适当地利用切断器53(省略图示)切断键合线1。

在此，利用图7，对键合工具50的前端部分的倾斜角α与键合线1的线径之间的关系进行说明。

图7是表示第一实施方式的相对于线径的楔形工具的底面部的倾斜角的图。

在此，键合线1由铜或铜合金构成，半导体元件40的电极41等被接合部件的接合面由铜或铜合金构成。

这样的键合线1一般使用300μm以上、且600μm以下的线径的引线。在此，表示出在300μm、400μm、500μm及600μm的情况下的最佳倾斜角α。

例如，为了将线径为300μm的由铜或铜合金构成的键合线1以不偏倚的方式按压到被接合部件，楔形工具51的前端部分的倾斜角为3.0°的情况为最佳。实际上，根据加工精度会产生±1.0°左右的公差，所以楔形工具51的倾斜角为2.0°以上、且4.0°以下的范围。

应予说明，对于将400μm、500μm及600μm的由铜或铜合金构成的键合线1按压到被接合部件的楔形工具51而言，期望形成4.0°±1.0°、5.0°±1.0°、6.0°±1.0°左右的倾斜角。如上所述，对于300μm以上、且600μm以下的线径，楔形工具51的倾斜角可以为2.0°以上、且7.0°以下的范围。

如此包含于上述键合装置的键合工具50具有楔形工具51，所述楔形工具51将键合线1按压到与键合线1接合的电极41的主面。形成于楔形工具51的前端部分的槽部51b3沿键合线1的长度方向，以使踵侧比趾侧更接近电极41的主面的方式倾斜。

使这样的楔形工具51针对电极41的主面下降，而将楔形工具51的角部51c1、51c2扎入到键合线1，使楔形工具51以角部51c1、51c2为支点倾斜。由此，楔形工具51的角部51c3、51c4没有与电极41接触，而仅以倾斜角α倾斜，使楔形工具51的前端部分的槽部51b3沿键合线1的长度方向与键合线1嵌合。即，楔形工具51成为如下姿态：能够在不给电极41带来损伤，并且抑制振幅异常而不会切断键合线1的状态下将键合线1按压到电极41。另外，此时，也能够降低对楔形工具51的前端部分的损伤。

因此，能够稳定地进行键合线1的楔形键合，并且能够防止对电极41等被接合部件的损伤，而抑制包含结构体10的半导体装置的可靠性的下降。

[第二实施方式]

在第二实施方式中，列举与第一实施方式的楔形工具的前端部分为不同形状的情况为例进行说明。

应予说明，第二实施方式的键合装置包含键合工具50a。其中，键合工具50a与第一实施方式相同地，具备引线引导件52、切断器53、夹紧机构54、并且具备利用以下的图8及图9所说明的楔形工具61。

图8及图9是用于说明第二实施方式的楔形工具的前端部分的图。应予说明，图8的(a)是表示楔形工具61的前端部分的正面的图，图8的(b)是表示楔形工具61的前端部分的端面(趾侧)的图，图8的(c)是表示楔形工具61的前端部分的端面(踵侧)的图。另外，图9分别表示楔形工具61的前端部分的底面的图。

在楔形工具61的前端部分的底面的中央部形成有通过沿着按压的键合线1的长度方向的踵侧(踵开口部61b1)与趾侧(趾开口部61b2)之间的槽部61b3(图9)。而且，在楔形工具61的前端部分的底面，在槽部61b3的两侧形成有沿着槽部61b3的底面部61a1、61a2。另外，底面部61a1、61a2包含踵侧的角部61c1、61c2和趾侧的角部61c3、61c4(图9)。

该底面部61a1、61a2与第一实施方式不同，没有形成倾斜角，而是与被接合部件的主面平行地形成。

如图8的(a)所示，槽部61b3构成向踵开口部61b1侧扩张的曲面61d1。另外，构成向趾开口部61b2侧扩张的曲面61d2。并且，曲面61d2的曲率大于曲面61d1的曲率。

另外，如图8的(b)、图8的(c)所示，作为槽部61b3的端面的趾侧的趾开口部61b2及踵侧的踵开口部61b1呈倒v字形。另外，因为曲面61d2的曲率大于曲面61d1的曲率，所以踵开口部61b1的开口高度hh构成为比趾开口部61b2的开口高度ht低。

并且，以连接曲面61d1与曲面61d2之间的方式构成曲面61d3。曲面61d3从踵侧到趾侧形成预定的倾斜角α。另外，在曲面61d1与曲面61d3的连接处构成角部61d4。

应予说明，在第一实施方式中，对在底面部51a1、51a2形成与槽部51b3相同的倾斜角α的情况进行了说明。在第二实施方式中，如上所述，列举底面部61a1、61a2与被接合部件的接合面平行地形成的情况为例。但是，不限于该情况，底面部61a1、61a2的倾斜角α可以为0(与被接合部件的接合面平行)以上、且与槽部61b3相同的倾斜角α以下。

接着，利用图10及图11，对利用具备这样的楔形工具61的键合工具50a进行键合的方法进行说明。

图10及图11是用于说明利用第二实施方式的键合工具对半导体元件进行的楔形键合的图。应予说明，在图10及图11中，放大表示楔形工具61的前端部分的正面。另外，省略切断器53的图示。另外，仅表示出结构体10中的、在主面具备电极41的半导体元件40。

首先，如上所述，在键合装置的预定位置设置结构体10，使键合工具50a移动到陶瓷电路基板20(省略图示)上的半导体元件40的电极41上。从夹紧机构54(省略图示)释放的键合线1被引线引导件52引导，而被供给到半导体元件40的电极41上。接着，停止来自夹紧机构54(省略图示)的键合线1的供给(图10)。

接着，如图10的虚线箭头所示，使键合工具50a朝向电极41而针对电极41的主面垂直地下降。如图11所示，将楔形工具61的前端部分的槽部61b3沿键合线1的长度方向与键合线1嵌合，而将键合线1向电极41侧按压。此时，如图11所示，楔形工具61的槽部61b3的角部61d4扎入到键合线1。键合线1以楔形工具61的槽部61b3的角部61d4为支点弯曲。因此，键合线1被楔形工具61固定在电极41上。

此时，键合线1沿楔形工具61的前端部分的槽部61b3的曲面61d1、61d2、61d3与槽部61b3嵌合。

于是，如图11所示，楔形工具61的角部61c1、61c2、61c3、61c4没有与电极41接触，而使楔形工具61的前端部分的槽部61b3沿键合线1的长度方向与键合线1嵌合。即，楔形工具61成为如下姿态：能够在不给电极41带来损伤，并且抑制振幅异常而不会切断键合线1的状态下将键合线1按压到电极41上。

在键合工具50a中，图11所示的状态的楔形工具61将键合线1向电极41侧按压，并且接受来自超声波振动子的超声波而进行超声波振动。由此，能够将键合线1与电极41接合。

之后，使键合工具50a移动到下一接合部位，并进行与上述同样的接合。另外，可以适当地利用切断器53(省略图示)切断键合线1。

应予说明，第二实施方式的楔形工具61的槽部61b3的曲面61d3的倾斜角α适用与第一实施方式的图7相同的条件。即，对于将300μm、400μm、500μm及600μm的由铜或铜合金构成的键合线1向被接合部件按压的楔形工具61而言，期望形成3.0°±1.0°、4.0°±1.0°、5.0°±1.0°、6.0°±1.0°左右的倾斜角。如上所述，对于300μm以上、且600μm以下的线径而言，楔形工具61的倾斜角可以为2.0°以上、且7.0°以下的范围。

如此包含于上述键合装置的键合工具50a具备楔形工具61，所述楔形工具61将键合线1向与键合线1接合的电极41的主面按压。形成于楔形工具61的前端部分的槽部61b3具备曲面61d3，所述曲面61d3沿键合线1的长度方向，以使踵侧比趾侧更接近电极41的主面的方式倾斜。

使这样的楔形工具61针对电极41的主面下降，而将楔形工具61的角部61d4扎入到键合线1。由此，楔形工具61的角部61c1、61c2、61c3、61c4没有与电极41接触，而使楔形工具61的前端部分的槽部61b3沿键合线1的长度方向与键合线1嵌合。即，楔形工具61成为如下姿态：能够在不给电极41带来损伤，并且抑制振幅异常而不会切断键合线1的状态下将键合线1向电极41按压。另外，此时，也能够降低对楔形工具61的前端部分的损伤。

因此，能够稳定地进行键合线1的楔形键合，并能够防止对电极41等被接合部件的损伤，而抑制包含结构体10的半导体装置的可靠性的下降。