技术总结
本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其制造方法。所述横向扩散金属氧化物半导体器件包括：衬底；漂移区，设置在所述衬底中；栅极结构，设置在所述衬底上，包括栅极介电层和栅极介电层上的栅极层；漏极区，设置在所述栅极结构的一侧的衬底中，与所述漂移区相接触；源极区，设置在所述栅极结构的另一侧的衬底中；及类栅结构，设置在所述漂移区上方、所述栅极结构与所述漏极区之间，所述类栅结构的材质与所述栅极层相同，所述类栅结构与所述栅极层之间绝缘。本发明通过在栅极层与漏极区之间的漂移区上方设置与栅极层之间绝缘的类栅结构，能够改善器件的HCI特性。
技术研发人员：高桦;孙贵鹏;罗泽煌
受保护的技术使用者：无锡华润上华科技有限公司
技术研发日：2018.08.01
技术公布日：2020.02.14