一种阵列基板的制作方法与流程

本发明涉及显示领域，具体涉及一种阵列基板的制作方法。

背景技术

在高世代显示面板中，铜材料以其低阻抗的优点逐渐成为金属线中传统铝材料的替代品。

现有的铜导线的厚度通常为3000埃米，但是随着显示面板尺寸的增大和分辨率的提高，传统的铜导线逐渐难以解决相位电路延迟等其它问题，通常的解决方法是增加铜导线的厚度。

在铜导线的制备过程中，由于厚度增加会导致铜导线在湿蚀刻过程中的蚀刻时间增加，进而造成铜导线线宽过细，致使铜导线断线的风险增加；如果减少铜导线湿蚀刻的时间，将会存在金属线(铜/钼结构)中钼金属残留的风险。因此目前亟需一种阵列基板的制备方法以解决上述问题。

技术实现要素：

本发明提供了一种阵列基板的制作方法，以解决在阵列基板的制备过程中由于金属线的湿蚀刻时间较少导致钼金属残留的问题。

根据本发明的一个方面，提供了一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

s10、提供一基板，所述基板包括基底以及设置在所述基底上的多晶硅层，在所述多晶硅层上依次沉积第一金属层和第二金属层；

s20、对所述第一金属层和所述第二金属层进行第一次图案化，形成第一金属第一图案层和第二金属第一图案层，所述第一金属图案层包括突出于所述第二金属第一图案层的第一待蚀刻区域；

s30、对所述第一金属第一图案层进行第二次图案化，以去掉所述第一待蚀刻区域，获得第一金属第二图案层；

s40、对所述第一金属第二图案层和所述第二金属第一图案层进行第三次图案化，形成第一金属第三图案层和第二金属，所述第一金属第三图案层包括突出于所述第二金属的第二待蚀刻区域；

s50、对所述第一金属第三图案层进行第四次图案化，去掉所述第二待蚀刻区域，获得第一金属；

其中，所述阵列基板包括所述第一金属和所述第二金属共同组成的金属线。

根据本发明一优选实施例，所述第一金属的制备材料为钼，所述第二金属的制备材料为铜。

根据本发明一优选实施例，所述步骤s20中，第一金属层和所述第二金属层进行第一次图案化后，所述第二金属第一图案层的表面设置有第一光阻层，所述第一光阻层包括突出于第二金属第一图案层的边缘区域；

所述步骤s20还包括：所述第一金属层和所述第二金属层进行第一次图案化后，灰化所述第一光阻层以去掉所述第一光阻层的边缘区域。

根据本发明一优选实施例，所述步骤s30还包括：对所述第一金属第一图案层进行第二次图案化，在去掉所述第一待蚀刻区域的同时图案化所述多晶硅层。

根据本发明一优选实施例，所述步骤s30具体包括：

采用蚀刻气体蚀刻所述第一金属第一图案层，去掉所述第一待蚀刻区域；

其中所述蚀刻气体包括第一气体和第二气体，所述第一气体为四氟化碳、氯三氟甲烷、二氯二氟甲烷中的至少一者；所述第二气体为氧气。

根据本发明一优选实施例，在所述步骤s40中，对所述第一金属第二图案层和所述第二金属第二图案层进行第三次图案化后，所述第二金属第三图案层的表面设置有第二光阻层；

所述步骤s40还包括：对所述第一金属第二图案层和所述第二金属第二图案层进行第三次图案化，剥离所述第二光阻层。

根据本发明一优选实施例，所述第一次图案化和所述第三次图案化为湿性蚀刻，所述第二次图案化和所述第四次图案化为干性蚀刻。

根据本发明一优选实施例，所述步骤s50具体包括：

采用蚀刻气体蚀刻所述第一金属第三图案层，去掉第二待蚀刻区域；

其中所述蚀刻气体包括第一气体和第二气体，所述第一气体为四氟化碳、氯三氟甲烷、二氯二氟甲烷中的至少一者；所述第二气体为氧气。

根据本发明一优选实施例，所述金属线为源漏极金属线。

根据本发明的另一个方面，还提供了一种阵列基板的制作方法，包括：

步骤s10、提供一基板，并在所述基板上依次沉积第一金属层和第二金属层；

步骤s20、对所述第一金属层和所述第二金属层进行第一次图案化，形成第一金属第一图案层和第二金属，所述第一金属图案层包括突出于所述第二金属第一图案层的第一待蚀刻区域；

步骤s30、对所述第一金属第一图案层进行第二次图案化，以去掉所述第一待蚀刻区域，获得第一金属；

其中，所述阵列基板包括所述第一金属和所述第二金属共同组成的栅极金属线。

本发明的优点是，提供了一种阵列基板的制作方法，通过采用干蚀刻的方式去掉金属线中残留金属钼，在减少金属线湿蚀刻时间的同时又能降低金属钼残留的风险，进而避免了金属线线宽过细导致的断线问题。

附图说明

为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本发明一实施例中阵列基板的制作方法的流程示意图；

图2a-2f为本发明一实施例中阵列基板的制作方法的结构示意图；

图3为本发明中步骤s20中金属线的结构示意图；

图4为本发明另一实施例中阵列基板的制作方法的流程示意图。

具体实施方式

以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本发明可用以实施的特定实施例。本发明所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本发明，而非用以限制本发明。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。

本发明提供了一种阵列基板的制作方法，以解决在阵列基板的制备过程中由于金属线的湿蚀刻时间较少导致钼金属残留的问题，本实施例能够改善该缺陷。

图1为本发明一实施例中阵列基板的制作方法的流程示意图；图2a-2e为本发明一实施例中阵列基板的制作方法的结构示意图；图3为本发明中步骤s20中金属线的结构示意图；图4为本发明另一实施例中阵列基板的制作方法的流程示意图。

下面结合附图和具体实施例对本发明做进一步的说明：

如图1所示，本发明提供了一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

如图2a所示，s10、提供一基板1，所述基板包括基底11以及设置在所述基底上的多晶硅层12a，在所述多晶硅层12a上依次层叠第一金属层13a和第二金属层14a。

具体的，所述第一金属层13a的制备材料为钼，所述第二金属层14a的制备材料为铜，可以理解的是，本发明中第一金属层13a和第二金属层14a的制备材料并不仅限于所述材料，也可以为其它常用的金属材料。

如图2b所示，s20、对所述第一金属层13a和所述第二金属层14a进行第一次图案化，形成第一金属第一图案层13b和第二金属第一图案层14b，如图3所示，在所述第一次图案化后，第二金属第一图案层13b包括突出于所述第二金属第一图案层14b的第一待蚀刻区域131b。

具体的，如图3所示，在步骤s20中，所述第二金属第一图案层13b包括：保留区域和第一待蚀刻区域131b，所述保留区域为第一金属第一图案层13b与所述第二金属第一图案层14b重叠的区域，所述第一待蚀刻区域131b为所述第二金属第一图案层14b除所述保留区域之外的其它区域；可以理解的是，所述第一待蚀刻区域为所述第二金属第一图案层14b的残留区域。

需要解释的是，在本发明中在对第一金属层13a和所述第二金属层14a进行湿蚀刻时可以缩短对第一金属层13a和所述第二金属层14a进行第一次图案化进行湿蚀刻的时间，此时不会造成金属线过细发生断线的问题，但是由于湿蚀刻时间相较于现有金属线制备工艺中湿蚀刻工艺的时间较少会导致第二金属层的不完全蚀刻，因此本发明在后续工艺中采用干蚀刻的方式将残留的第二金属层区域去掉，即本发明中第二金属层不同状态下的第一待蚀刻区域和第二待蚀刻区域，可以有效的解决上述问题。

进一步的，如图2c所示，在对所述基板1进行第一次湿蚀刻过程后，所述第三金属层14b的表面设置有第一光阻层15a，所述第一光阻层15a包括突出于所述第三金属层的边缘区域(未标出)；

所述步骤s20还包括：第一金属层13b和所述第二金属层14b进行第一次图案化后，灰化所述第一光阻层15a以去掉所述第一光阻层15b的边缘区域。

这一步骤的目的在于，去掉所述第一待蚀刻区域131上方所对应的第一光阻层的部分区域，以为蚀刻掉第一金属层13b的第一待蚀刻区域131做准备。

如图2d所示，s30、对所述第一金属第一图案层13b进行第二次图案化，以去掉所述第一待蚀刻区域131b，获得第一金属第二图案层13c。

进一步的，所述步骤s30还包括：对所述第一金属第一图案层13b进行第二次图案化，在去掉所述第一待蚀刻区域131b的同时图案化所述多晶硅层12a，形成图案化的多晶硅层12。

具体的，所述第一次图案化和所述第三次图案化为湿性蚀刻，所述第二次图案化和所述第四次图案化为干性蚀刻。

在本发明一实施例中，干蚀刻工艺即采用蚀刻气体对金属层进行蚀刻。

具体的，在步骤s30中，采用蚀刻气体蚀刻所述第一金属第一图案层13b，去掉所述第一待蚀刻区域131b；

其中所述蚀刻气体包括第一气体和第二气体，所述第一气体为四氟化碳、氯三氟甲烷、二氯二氟甲烷中的至少一者；所述第二气体为氧气。

如图2e所示，s40、对所述第一金属第二图案层13c和所述第二金属第一图案层14b进行第三次图案化,形成第一金属第三图案层13d和第二金属第二图案层14c(即等同于第二金属14)，第一金属第三图案层13d包括突出于第二金属的第二待蚀刻区域(未标出)，具体请参考步骤s20中的图示部分。

由于步骤s40的工作原理与所述步骤s20的工作原理相似，所述步骤s40的相关工作原理具体请参考步骤s20的工作原理，这里不做赘述。

优选的，在所述步骤s40中，对所述第一金属第二图案层13c和所述第二金属第一图案层14b进行第三次图案化，所述第二金属第一图案层14b的表面设置有第二光阻层15b，所述第二光阻层15b包括突出于所述第二金属层14的边缘区域；

所述步骤s40还包括：对所述第一金属第二图案层13c和所述第二金属第一图案层14b进行第三次图案化，灰化所述第二光阻层15b以去掉所述第二光阻层15c的边缘区域。

优选的，在所述步骤s40中，对所述第一金属第二图案层13c和所述第二金属第一图案层14b进行第三次图案化后，所述第一金属第二图案层13c的表面设置有第二光阻层15b；

所述步骤s40还包括：对所述第一金属第二图案层13c和所述第二金属第一图案层14b进行第三次图案化后，剥离所述第二光阻层15b。

如图2f所示，s50、对所述第一金属第三图案层进行第四次图案化，去掉形成第一金属第三图案层13d的第二待蚀刻区域；

具体的，所述步骤s50具体包括：

采用蚀刻气体蚀刻形成第一金属第三图案层13d，去掉所述第一待蚀刻区域；

其中所述蚀刻气体包括第一气体和第二气体，所述第一气体为四氟化碳、氯三氟甲烷、二氯二氟甲烷中的至少一者；所述第二气体为氧气。

其中，所述阵列基板包括所述第一金属13和所述第二金属14共同组成的金属线。

具体的，所述金属线为源漏极金属线。

根据本发明的另一个方面，如图4所示，提供了一种阵列基板的制作方法，包括：步骤s10、提供一基板，并在所述基板上依次沉积第一金属层和第二金属层；

步骤s20、对所述第一金属层和所述第二金属层进行第一次图案化，形成第一金属第一图案层和第二金属，所述第一金属图案层包括突出于所述第二金属第一图案层的第一待蚀刻区域；

步骤s30、对所述第一金属第一图案层进行第二次图案化，以去掉所述第一待蚀刻区域，获得第一金属；

其中，所述阵列基板包括所述第一金属和所述第二金属共同组成的栅极金属线。

本发明的优点是，提供了一种阵列基板的制作方法，通过采用干蚀刻的方式去掉金属线中残留金属钼，在减少金属线湿蚀刻时间的同时又能降低金属钼残留的风险，进而避免了金属线线宽过细导致的断线问题。

综上所述，虽然本发明已以优选实施例揭露如上，但上述优选实施例并非用以限制本发明，本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围以权利要求界定的范围为准。