技术特征：
技术总结
本发明提供了一种PIP电容的形成方法，包括：提供一衬底，所述衬底上具有器件区域和电容区域；在所述衬底上依次形成第一多晶硅层、层间介质层和第二多晶硅层；在所述器件区域上进行刻蚀使所述第一多晶硅层形成浮栅及使所述第二多晶硅层形成控制栅，同时在所述电容区域上进行刻蚀使所述第一多晶硅层形成第一电极以及所述第二多晶硅层形成第二电极；形成金属连接线连接所述第一电极以及所述第二电极。在本发明提供的PIP电容的形成方法中，通过对第一多晶硅层、层间介质层和第二多晶硅层的同步刻蚀，可同时形成浮栅和控制栅的器件结构以及第一电极和第二电极的PIP电容结构，不需要增加额外的工艺及步骤即可以形成PIP电容，提高芯片对于设计面积的利用率。
技术研发人员：曹子贵
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2018.08.06
技术公布日：2018.12.21