用于LED支架的基材、LED支架、LED光源及其制造方法与流程

本申请涉及led光源技术领域，具体涉及具有改善的稳定性和可靠性的基材，以及由此制造的led支架和新型led光源及其制造方法。

背景技术：

led自从问世以上，受到广泛重视而得到迅速发展，是与它本身所具有的优点分不开的。这些优点概括起来是：亮度高、工作电压低、功耗小、小型化、寿命长、耐冲击和性能稳定。topled(即，顶面或平面发光led)的发展前景极为广阔，目前正朝着更高亮度、更高耐气候性、更高的发光密度、更高的发光均匀性方向发展。但实际在生产使用topled产品的过程中，经常会遭遇产品劣化导致产品失效等问题(业内也称这种现象为“产品硫化”，其主要是因支架表面被硫化导致，但也可能存在其它污染原因，如卤化、氧化等等)，这些问题给客户和生产厂家都带来一定损失。在出现上述硫化现象后，led产品的功能区会黑化，导致对光反射大大降低，光通量会逐渐下降，而且导致色温出现明显漂移而使得产品性能劣化，从而大大降低led的可靠性和使用寿命。严重时，直接导致led失效，即死灯。

现有技术的这种缺陷的存在，其中一个主要原因在于：topled的支架一般会在基材上镀银，该镀银层不仅可改善导电性能，抗氧化性，而且主要还会起到将led发出的光反射出的作用，用于显著提高光效和led的光通量。当led在高温焊接时，如果碰到了硫或硫蒸气，则会造成支架上的银层与硫发生化学反应2ag+s＝ag2s↓，形成ag2s硫化物，该ag2s硫化物视反应量的多少而呈现深黄色或黑色的颜色，不仅导致导电性能和抗氧化性显著降低，而且会显著减少led的反射出光，严重降低光效和光通量。在严重的情况下，镀银层的绝大部分或几乎全部的银都通过发生硫化反应被耗尽，从而导致金丝断裂，造成led开路，导致led死灯。

众所周知，由于topled支架气密性不佳，尤其是在led工作状态下的高温环境下，更容易造成上述硫化失效，使得比如支架底部镀银层发黑，从而显著降低了led器件的稳定性、可靠性、色温性能、光衰减性能和使用寿命，甚至导致led器件在使用不久后即发生死灯现象。

本发明的说明书的此背景技术部分中所包括的信息，包括本文中所引用的任何参考文献及其任何描述或讨论，仅出于技术参考的目的而被包括在内，并且不被认为是将限制本发明范围的主题。

因此，本领域急需解决背景技术中存在的上述的和其它的技术问题和缺陷，而开发出能够克服上述缺陷和其它缺陷的新型的高稳定性的led器件和led支架。

技术实现要素：

针对现有技术中存在的上述技术缺陷以及其它技术问题，本申请提出了高稳定性的led支架、led器件及其制造方法、

本发明旨在解决以上的技术缺陷和其它的技术问题，并且还可另外提供更多的附加技术效果。

根据本申请的一方面，基材主体可选取铝材或铜材或铁材或银材等金属材料(不限于上述金属材料)，可通过比如真空溅射技术、离子镀技术、电镀、物理沉积或化学镀技术，在基材的表面沉积(比如涂上或镀上)一层或多层的金属层、化合物等材料层，形成焊接界面。可通过控制表面化合物及银层厚度，材质密度，而保护基材的材料表面不容易被硫化，溴化，氧化等，提高基材的稳定性、光泽度和对led光的反射率。并且，使得能够实现led支架基板正反面的焊接工艺。

根据本申请的另一方面，可将基材、填充胶材与led支架固定连接，其中，led支架可采用嵌入或溶胶粘接设计，所述的支架杯底可安装有芯片，芯片上可焊接有键合导线，芯片和键合导线的上方可封装有封装胶或封装胶与荧光粉混合物，从而形成特定led封装灯珠。

更具体而言，根据本申请，提供了一种用于led支架的基材(1)，所述基材包括金属基体，其中，所述基材包括：布置在所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面上的一个或多个涂层；和/或在所述金属基体的与用于邦定led芯片的那一面相反的另一面上沉积的一层或多层第二金属层；或者，在金属基体(7)的与用于邦定led芯片的那一面相反的另一面上做防氧化处理。

根据本申请的一实施例，所述一个或多个涂层包括一层或多层第一金属层，以及一层或多层化合物层。

根据本申请的另一实施例，所述第一金属层是银或银合金、铝或铝合金、铁或铁合金、或者铜或铜合金形成的涂层；并且所述化合物层是通过真空溅射、离子镀、电镀、物理沉积或化学镀沉积的化合物涂层，所述化合物选自三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛、含硅化合物、比如硅油中的一种或多种。

根据本申请的另一实施例，所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铝基体直接相邻的三氧化二铝层、二氧化钛层、纯银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层。

根据本申请的另一实施例，所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铝基体直接相邻的三氧化二铝层、二氧化钛层、纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层，以及最外侧的二氧化钛层。

根据本申请的另一实施例，所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体直接相邻的纯银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层；或者

所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体直接相邻的纯银层、含硅化合物层，比如硅油层；或者

所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体直接相邻的纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层，以及最外侧的二氧化钛层；或者

所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体直接相邻的纯银层，以及最外侧的三氧化二铝层；或者

所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体直接相邻的纯银层，以及最外侧的二氧化硅层。

根据本申请的另一实施例，所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体直接相邻的镍层、银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层；或者

所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体直接相邻的镍层、银层、硅油层(含硅化合物)；或者

所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体直接相邻的镍层、银层、二氧化钛层、二氧化硅层，以及最外侧的二氧化钛层。

所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体直接相邻的镍层，纯银层，以及最外侧的三氧化二铝层；或者

所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体直接相邻的镍层，纯银层，以及最外侧的二氧化硅层。

根据本申请的另一实施例，所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体直接相邻的铜层、纯银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层；或者

所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体直接相邻的铜层、纯银层、硅油层(含硅化合物)；或者

所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体直接相邻的铜层、纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层，以及最外侧的二氧化钛层；或者

所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体直接相邻的铜层、纯银层以及最外侧的三氧化二铝层；或者

所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体直接相邻的铜层、纯银层以及最外侧的二氧化硅层。

根据本申请的另一实施例，所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体直接相邻的铜层、镍层、纯银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层；或者

所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体直接相邻的铜层、镍层、纯银层、硅油层(含硅化合物)；或者

所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体直接相邻的铜层、镍层、纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层，以及最外侧的二氧化钛层；或者

所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体直接相邻的铜层、镍层、纯银层以及最外侧的三氧化二铝层；或者

所述一个或多个涂层从所述金属基体的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体直接相邻的铜层、镍层、纯银层以及最外侧的二氧化硅层。

根据本申请的另一实施例，所述第二金属层从所述金属基体的与用于邦定led芯片的那一面相反的另一面起始由里向外地依次布置为：铜层以及选自银、锡、镍、铜中的一种或多种的金属层；或者，在金属基体(7)的与用于邦定led芯片的那一面相反的另一面上做防氧化处理。

根据本申请的另一实施例，所述第二金属层从所述金属基体的与用于邦定led芯片的那一面相反的另一面起始由里向外地依次布置为：铜层以及选自银、锡、镍中的一种或多种的金属层；或者，在金属基体(7)的与用于邦定led芯片的那一面相反的另一面上做防氧化处理。

根据本申请的另一实施例，所述第二金属层由银、锡、镍中的一种或多种金属形成；或者，在金属基体(7)的与用于邦定led芯片的那一面相反的另一面上做防氧化处理。

根据本申请的另一实施例，所述第二金属层由银、锡、镍、铜中的一种或多种金属形成；或者，在金属基体(7)的与用于邦定led芯片的那一面相反的另一面上做防氧化处理。

本申请还提供了一种led支架，其包括上述基材，以及与所述基材一起例如通过注塑成型形成比如相互嵌入或溶胶粘接或溶胶粘接构造的、带碗杯的led支架本体的胶材(2)，其中，所述胶材(2)的反射面与所述基材一起形成90-180°的发散角度的碗杯结构，并且所述胶材(2)为热塑性的材料或热固性的材料。

本申请还提供了一种高稳定性的led光源，包括上述led支架，邦定在所述碗杯杯底的led芯片(4；8)，以及灌注在所述碗杯内的封装胶(3)。

本申请另外还公开了一种对led支架基材或led光源半成品表面处理的方法，所述方法包括：在所述基材的金属基体的用于邦定led芯片的那一面上通过真空溅射、离子镀、电镀、物理沉积或化学镀技术沉积一个或多个表面涂层；并且/或者，在所述金属基体的与用于邦定led芯片的那一面相反的另一面上通过真空溅射、离子镀、电镀、物理沉积或化学镀技术沉积一层或多层第二金属层；或者，在金属基体(7)的与用于邦定led芯片的那一面相反的另一面上做防氧化处理。

根据本申请的另一实施例，所述一个或多个涂层包括一层或多层第一金属层以及一层或多层化合物层，其中，所述化合物层是通过真空溅射、离子镀、电镀、物理沉积或化学镀沉积的化合物涂层，所述化合物选自三氧化二铝、二氧化硅、二氧化钛、含硅化合物、比如硅油中的一种或多种。

根据本申请的另一实施例，所述第二金属层是由银、锡、镍、铜中的一种或多种金属形成的一个或多个金属涂层；或者，在金属基体(7)的与用于邦定led芯片的那一面相反的另一面上做防氧化处理。

根据本申请的另一实施例，所述方法用于形成本申请特定设计的led支架的基材或led光源半成品表面涂层构造。

根据本申请的另一实施例，基材和支架填充胶材可通过一定工艺成型为led支架，其中基材与支架填充胶材通过相互嵌入或溶胶粘设计而提供了led支架本体构造，其带有支架碗杯和通过绝缘胶材隔开的用于led芯片邦定的正负极。优选的是，led支架杯底的底部为嵌入或溶胶粘接设计，其中胶材(2)和基材相互嵌入或溶胶粘接。

根据一优选实施例，led支架的碗杯的杯底可安装有芯片，正装led芯片(4)上可焊接有键合导线(5)，倒装led芯片(8)可与支架杯底焊接，芯片(4)(8)和键合导线(5)的上方可封装有封装胶(3)。

优选的是，金属基体用于邦定led芯片的那一面通过真空溅射技术、离子镀技术、电镀、物理沉积或化学镀技术沉积金属银和化合物。上述基材可选自铝材，铜材，铁材等金属材料，并且基材不限于上述金属材料，化合物为三氧化二铝，二氧化硅，二氧化钛，含硅化合物、比如硅油当中一种或多种。

优选的是，金属基体下表面通过真空溅射技术、离子镀技术、电镀、物理沉积或化学镀技术沉积金属铜、银等金属材料，上述下表面所沉积金属材料为铜、银一种或多种，且所沉积金属材料不局限于上述几种。

优选的是，所述支架填充特定胶材，其可选择为ppa，pct，emc，smc或bt等材料。

本申请有益效果包括但不限于：基材主体例如可选取铝或铜或铁材，通过真空溅射技术、离子镀技术、电镀、物理沉积或化学镀技术，在基材表面沉积金属，化合物等材料，形成焊接界面。通过控制表面化合物及银层厚度，材质密度，保护基材材料表面不容易被硫化，溴化，氧化等，提高基材反射率和光泽度，实现led支架基板正反面焊接工艺。并且，led支架和led器件产品的尺寸，结构，支架的成型，加工工艺可多样化并可根据应用场合灵活地定制。

本发明的更多实施例还能够实现其它未一一列出的有利技术效果，这些其它的技术效果在下文中可能有部分描述，并且对于本领域的技术人员而言在阅读了本发明后是可以预期和理解的。

本发明内容部分旨在以简化的形式引入将在下文中进一步描述的构思和选择，以帮助阅读者更易于理解本发明。本发明内容并非旨在识别所要求保护的主题的关键特征或基本特征，也并非旨在用于限制所要求保护的主题的范围。所有的上述特征都将被理解为只是示例性的，并且可以从本发明公开中收集关于结构和方法的更多的特征和目的。

在以下对附图和具体实施方式的描述中，将阐述本申请的一个或多个实施例的细节。本申请的多个方面和优点将在以下描述中部分地阐述，或者可由该描述而显而易见，或者可通过实施本申请而获知。

附图说明

本说明书中描述了针对本领域普通技术人员的本申请的完整而能够实施的公开，包括其优选实施例，其中引用了附图，这些附图仅仅是为了图示和辅助描述具体实施例起见，而不具有任何限制性，并且附图中的尺寸并非严格按照比例绘制。

结合在说明书中并构成说明书一部分的这些附图图示了本申请的实施例，并且与说明书一起用于解释本申请的原理和一些具体实施方案。这些附图包括：

图1a-1d为根据本申请的一实施例的led支架结构的不同视角的示意图；

图2为根据本申请的一实施例的用于led支架的基材的示意图；

图3a-3c为根据本申请的另一实施例的led支架结构的不同视角的示意图；

图4a-4c为根据本申请的另一实施例的led支架结构的不同视角的示意图；

图5a-5c为根据本申请的一实施例的经过焊接，led半成品的结构示意图；

图6a-6b是根据本申请的一优选实施例的基材的具体涂层构造的示意图；

图7a-7b是根据本申请的另一优选实施例的基材的具体涂层构造的示意图；

图8a-8b是根据本申请的又一优选实施例的基材的具体涂层构造的示意图；

图9a-9b是根据本申请的又一优选实施例的基材的具体涂层构造的示意图；

图10a-10b是根据本申请的又一优选实施例的基材的具体涂层构造的示意图；

图11a-11b是根据本申请的又一优选实施例的基材的具体涂层构造的示意图；

图12a-12b是根据本申请的又一优选实施例的基材的具体涂层构造的示意图；

图13是根据本申请的又一优选实施例的基材的具体涂层构造的示意图；

图14是根据本申请的又一优选实施例的基材的具体涂层构造的示意图；

图15是根据本申请的又一优选实施例的基材的具体涂层构造的示意图；和

图16是根据本申请的又一优选实施例的基材的具体涂层构造的示意图。

具体实施方式

现在将参考附图对本申请的多个非限制性实施例做出详细描述。本说明书中涉及的实施例仅意图解释本申请的原理而并非限制本申请的范围。本申请的可专利范围仅由权利要求书所限定。

本领域的技术人员可以理解，本文中所使用的词组和用语是出于描述的目的，而不应当被认为是限制性的。例如，本文中的“包括”、“包含”或“具有”及其变型的使用，旨在开放式地包括其后列出的项及其等同项以及附加的项。

本领域的技术人员可以理解，本申请中的部分术语，比如“支架填充胶材”不具有限制性意义，而是本领域的技术人员能够想到并理解的便于与金属基材一起成型并具有led支架所需绝缘性能的任何材料，例如ppa，pct，emc，smc，bt等树脂材料，等等。

本领域的技术人员可以理解，在本申请中，“支架”和“led支架”是可互换使用的。

参照附图1-16，图示了本申请的若干优选的实施方案，具体陈述如下。

如图1-图6a、6b所示，根据本申请的各种具体实施例，采用以下技术方案：它包含基材1、支架填充胶材2、封装胶3、芯片4或8、键合导线5，led支架采用嵌入或溶胶粘接设计6，基材1和胶材2通过一定工艺成型，而形成如图1a-1d所示的led支架。

根据本申请的另一实施例，在图5a-5c的杯底安装有芯片4或8，在正装led芯片4上焊接有键合导线5，倒装led芯片8与支架(图5a-5c)杯底焊接，在芯片4或8和键合导线5的上方封装有封装胶3。

根据一优选实施例，金属基体7的图6-16所示的上表面，即，用于邦定led芯片的那一面，通过真空溅射技术、离子镀技术、电镀、物理沉积或化学镀技术沉积金属银和化合物，金属基体7的材料可选取铝材，铜材，铁材等金属材料，并且不限于上述金属材料。化合物的一些实例例如可以为三氧化二铝，二氧化硅，二氧化钛，含硅化合物、比如硅油当中一种或多种。

优选的是，金属基体7的如图6-16所示的下表面，可通过真空溅射技术、离子镀技术、电镀、物理沉积或化学镀技术沉积金属铜、银等金属材料，上述下表面所沉积金属材料为铜、银一种或多种，且所沉积金属材料不局限于上述几种。

根据本申请的一优选实施例，如图6a所示，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铝基体(7)直接相邻的三氧化二铝层、二氧化钛层、纯银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层。

根据本申请的一优选实施例，如图6b所示，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铝基体(7)直接相邻的三氧化二铝层、二氧化钛层、纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层，以及最外侧的二氧化钛层。

根据本申请的一优选实施例，如图7a所示，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的纯银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层；或者

如图15所示，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的纯银层、含硅化合物、比如硅油；或者

根据本申请的一优选实施例，如图7b所示，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层，以及最外侧的二氧化钛层；或者

如图10a所示，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的纯银层、氧化铝层；或者

如图10b所示，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的纯银层、二氧化硅。

根据本申请的一优选实施例，如图12a所示，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的镍层、纯银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层；或者

如图16所示，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的镍层、纯银层、含硅化合物、比如硅油；或者

如图12b所示，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的镍层、纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层，以及最外侧的二氧化钛层；或者

如图11a所示，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的镍层、纯银层、氧化铝层；或者

如图11b所示，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铜基体(7)直接相邻的镍层、纯银层、二氧化硅。

根据本申请的一优选实施例，如图8a所示，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体(7)直接相邻的铜层、纯银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层；或者

如图8b所示，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体(7)直接相邻的铜层、纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层，以及最外侧的二氧化钛层；或者

如图9a所示，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体(7)直接相邻的铜层、纯银层以及最外侧的三氧化二铝；或者

如图13所示，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体(7)直接相邻的铜层、纯银层以及最外侧的含硅化合物、比如硅油；或者

如图9b所示，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体(7)直接相邻的铜层、纯银层以及最外侧的二氧化硅。

根据本申请的一优选实施例，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体(7)直接相邻的铜层、镍层、纯银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层；或者

根据本申请的一优选实施例，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体(7)直接相邻的铜层、镍层、纯银层、二氧化钛层、二氧化硅层，以及最外侧的二氧化钛层；或者

根据本申请的一优选实施例，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体(7)直接相邻的铜层、镍层、纯银层以及最外侧的三氧化二铝；或者

如图14所示，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体(7)直接相邻的铜层、镍层、纯银层以及最外侧的含硅化合物、比如硅油；或者

根据本申请的一优选实施例，一个或多个涂层从金属基体(7)的用于邦定led芯片的那一面起始由里向外地依次布置为：与铁基体(7)直接相邻的铜层、镍层、纯银层以及最外侧的二氧化硅。

根据本申请的一优选实施例，第二金属层从金属基体(7)的与用于邦定led芯片的那一面相反的另一面起始由里向外地依次布置为：铜层以及最外侧的银层。

根据本申请的一优选实施例，第二金属层由银、锡、镍中的一种或多种金属形成。或者，第二金属层由银、锡、镍、铜中的一种或多种金属形成。

优选的是，图3a-3c、图4a-4c所示的led的底部可为嵌入或溶胶粘接设计，其中胶材2和基材1相互嵌入或溶胶粘接成型而形成一体式支架本体。

优选的是，特定的支架填充胶材2可选择ppa，pct，emc，smc，bt等材料。

根据本申请的若干典型的实施例，本申请的led支架以及led光源/灯珠的制备工艺方案实施例如下所述。

工艺方案实施例(一)

具体工艺如下：

基材加工：选取特定基材经过正反面真空溅射技术、离子镀技术、电镀、物理沉积或化学镀技术处理金属，有机或无机相关化合物材料；

冲压或蚀刻：选取经过正反表面加工处理过的基材冲压或蚀刻；

led支架制作：用热固或热塑或压合成型方式填充相应结构led支架(图3a-3c)；

led封装工艺：在led支架(图3a-3c)上通过进行安装芯片4，焊接等工艺成型led半成品(图5a-5c)；

封装胶层3灌封在led半成品(图5a-5c)，并且进行烘烤固化成型、做成所需的led光源灯珠。

通过上述具体实施例来制备led支架，并由此制成led光源。作为一个实施例，本申请的高稳定性led光源其尺寸可定制长宽分别为0.5mm～100mm，厚度为0.2mm～40mm，led支架的成型加工工艺可使用冲压，模塑或冲压，压合工艺实现并根据本申请如上所述进行表面处理。

工艺方案实施例(二)

具体工艺如下：

基体冲压或蚀刻：选取基材冲压或蚀刻，选取冲压蚀刻好的金属基材通过真空溅射技术、离子镀技术、电镀、物理沉积或化学镀技术表面处理，基体表面附着银或基体表面附着镍，镍外层附着银；

led支架制作：用热固或热塑或压合成型方式填充相应结构led支架(图3a-3c)；

支架表面处理：选取步骤(1)、步骤(2)加工好支架真空溅射技术、离子镀技术、电镀、物理沉积或化学镀技术选择性表面处理有机或无机相关化合物材料；

led封装工艺：在led支架(图3a-3c)上通过进行安装芯片4，焊接等工艺成型led半成品(图5a-5c)；

封装胶层3灌封在led半成品(图5a-5c)，并且进行烘烤固化成型、做成所需的led光源灯珠。

通过上述具体实施例来制备led支架，并由此制成led光源。作为一个实施例，本申请的高稳定性led光源其尺寸可定制长宽分别为0.5mm～100mm，厚度为0.2mm～40mm，led支架的成型加工工艺可使用冲压，模塑或冲压，压合工艺实现并根据本申请如上所述进行表面处理。

工艺方案实施例(三)

具体工艺如下：

基体冲压或蚀刻：选取基材冲压或蚀刻，选取冲压蚀刻好的金属基材通过真空溅射技术、离子镀技术、电镀、物理沉积或化学镀技术表面处理，基体表面附着银或基体表面附着镍，镍外层附着银；

led支架制作：用热固或热塑或压合成型方式填充相应结构led支架(图3a-3c)；

led封装工艺：在led支架(图3a-3c)上通过进行安装芯片4，焊接等工艺成型led光源半成品(图5a-5c)；

led光源半成品表面处理：选取步骤(1)、步骤(2)、步骤(3)led光源半成品真空溅射技术、离子镀技术、电镀、物理沉积或化学镀技术选择性表面处理有机或无机相关化合物材料；

封装胶层3灌封在led半成品(图5a-5c)，并且进行烘烤固化成型、做成所需的led光源灯珠。

光衰减性能的对比实验

提供根据本申请一优选实施例的用于led支架的基材，其中，在金属基体7的用于邦定led芯片的那一面上涂布与铝基体7直接相邻的三氧化二铝层、二氧化钛层、纯银层、三氧化二铝层，以及最外侧的二氧化钛层，其厚度可在30nm-5000nm之间。由此，该实施例中的设置在铝基体上的涂层构造化学特性稳定，可阻止外界的有害元素(例如氧，硫，溴，卤族元素等)与其中纯银层发生反应，从而起到抗硫化、抗氧化、抗卤化的效果，从而大大提高led器件的稳定性、可靠性、色温性能、光衰减性能和使用寿命。

作为对比，提供常规的包括铜及其表面银层的topled基材，其银层的厚度一般为0.5-3.0微米。

根据本申请的上述基材和常规topled支架基材这两种基材分别制成led器件。

分别选取根据本申请的上述基材制作的led器件和常规topled支架基材材制作的led器件各10支，分别进行高温老化实验。其实验条件为：环境温度120度，电压9v，电流100ma，通过1000小时点亮老化，之后测量本申请和传统支架基材制作的led器件在老化后的平均光通量。

测试结果表明，用本申请的上述基材制作的led器件在通过1000小时点亮老化的光通量衰减平均值为大约1％；而用常规topled支架基材材制作的led器件在通过1000小时点亮老化的光通量衰减平均值为大约10％。

上述对比测试结果表明，根据本申请进行涂层处理的led支架基材，可使得led器件的光衰减性能与现有技术相比得到极大的改进。

出于说明的目的而提出了对本发明的对若干个实施例的以上描述。虽然本文在前文中仅示出并描述了优选实施例的某些特征，但是本领域的普通技术人员应当理解，所述前文描述并非意图是穷举性的，也并非将本发明限于所公开的特定特征和/或形式。本领域的普通技术人员能够想到许多修改和变型，这些都属于本发明的范围内。因此，应该理解的是，所附权利要求书旨在覆盖落入本申请的实质性构思内的全部此类修改和变型。本申请的保护范围仅由所附权利要求书来限定。