一种背板及其制作方法、检测装置与流程

本发明涉及x射线衍射技术领域，尤其涉及一种背板及其制作方法、检测装置。

背景技术

x射线衍射(英文：x-raydiffraction，以下简称xrd)是一种通过对材料进行x射线衍射，分析其衍射图谱，获得材料的成分、材料内部原子或分子的结构或形态的技术。随着xrd技术的不断发展，应用在各个领域的xrd产品越来越多，现有的xrd产品一般是通过x射线穿过待检测的物体照射到xrd的闪烁体上，并使得闪烁体发光产生光信号，光信号经光电转换器件转换为电信号后，传输至芯片，芯片通过分析接收到的电信号得到待检测的物体的影像。

现有技术中，在制作xrd产品时，一般是先采用干刻工艺制作其包括的光电转换器件，然后再在光电转换器件上制作树脂层，但是这种制作光电转换器件的方式容易在光电转换器件的侧壁附着一些刻蚀过程中产生的副产物，该副产物容易增加光电转换器件的漏电流，从而导致降低xrd产品的良品率。

技术实现要素：

本发明的目的在于提供一种背板及其制作方法、检测装置，用于解决采用现有技术制作的xrd产品中的光电转换器件，具有较高的漏电流，影响xrd产品的生产良率的问题。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明的第一方面提供一种背板的制作方法，包括：

在衬底基板上制作薄膜晶体管阵列层；

在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧制作有机物层；

对所述有机物层进行构图形成第一过孔，所述第一过孔能够将所述薄膜晶体管阵列层中的信号传输层暴露出来；

在所述第一过孔中沉积形成光电转换器件。

进一步地，当所述光电转换器件包括光电二极管时，所述在所述第一过孔中制作光电转换器件的步骤具体包括：

在所述有机物层背向所述衬底基板的一侧沉积形成n型半导体薄膜，对所述n型半导体薄膜进行构图，得到位于所述第一过孔中的n型半导体层；

在所述n型半导体层背向所述衬底基板的一侧沉积形成本征半导体薄膜，对所述本征半导体薄膜进行构图，得到位于所述第一过孔中的本征半导体层；

在所述本征半导体层背向所述衬底基板的一侧沉积形成p型半导体薄膜，对所述p型半导体薄膜进行构图，得到位于所述第一过孔中的p型半导体层。

进一步地，所述在衬底基板上制作薄膜晶体管阵列层的步骤具体包括：

在所述衬底基板上制作栅极层；

在所述栅极层背向所述衬底基板的一侧沉积覆盖所述栅极层的第一绝缘层；

在所述第一绝缘层背向所述衬底基板的一侧制作半导体层，所述半导体层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极层在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；

在所述半导体层背向所述衬底基板的一侧制作源极层和漏极层，所述源极层和所述漏极层相互独立，且均覆盖部分所述半导体层；

制作第一钝化层，所述第一钝化层完全覆盖所述源极层、所述漏极层以及所述半导体层的暴露部分；

对所述第一钝化层进行构图形成第二过孔，所述第二过孔能够将所述漏极层的至少部分暴露出来；

制作信号传输层，所述信号传输层包括填充在所述第二过孔中的第一部分和位于所述第一钝化层背向所述衬底基板的一侧表面的第二部分。

进一步地，在制作所述有机物层之前，所述制作方法还包括：

在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧制作缓冲层；

所述在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧制作有机物层的步骤具体包括：

在所述缓冲层背向所述衬底基板的一侧制作有机物层。

进一步地，在制作完所述光电转换器件之后，所述制作方法还包括：

在所述光电转换器件背向所述衬底基板的一侧表面制作透明导电层；

制作第二钝化层，所述第二钝化层覆盖所述有机物层和所述透明导电层；

对所述第二钝化层进行构图形成第三过孔，所述第三过孔能够将所述透明导电层暴露出来；

制作金属层，所述金属层填充所述第三过孔，并覆盖至少部分所述第二钝化层；

在所述金属层背向所述衬底基板的一侧制作第二绝缘层。

基于上述背板的制作方法的技术方案，本发明的第二方面提供一种背板，包括：

衬底基板；

设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管阵列层；

设置在所述薄膜晶体管阵列层背向所述衬底基板的一侧的有机物层，所述有机物层上设置有第一过孔，所述第一过孔能够将所述薄膜晶体管阵列层中的信号传输层暴露出来；

设置在所述第一过孔中的光电转换器件。

进一步地，所述光电转换器件包括光电二极管，所述光电二极管包括沿垂直于所述衬底基板的方向依次设置的n型半导体层、本征半导体层和p型半导体层。

进一步地，所述薄膜晶体管阵列层包括：

设置在所述衬底基板上的栅极层；

覆盖所述栅极层的第一绝缘层；

设置在所述第一绝缘层背向所述衬底基板的一侧的半导体层，所述半导体层在所述衬底基板上的正投影与所述栅极层在所述衬底基板上的正投影至少部分重叠；

设置在所述半导体层背向所述衬底基板的一侧的源极层和漏极层，所述源极层和所述漏极层相互独立，且均覆盖部分所述半导体层；

设置在所述源极层和所述漏极层背向所述衬底基板的一侧的第一钝化层，所述第一钝化层上设置有第二过孔，所述第二过孔能够将所述漏极层的至少部分暴露出来；

信号传输层，所述信号传输层包括填充在所述第二过孔中的第一部分和位于所述第一钝化层背向所述衬底基板的一侧表面的第二部分。

进一步地，所述背板还包括：

设置在所述薄膜晶体管阵列层和所述有机物层之间的缓冲层；

设置在所述光电转换器件背向所述衬底基板的一侧表面的透明导电层；

覆盖所述有机物层和所述透明导电层的第二钝化层，所述第二钝化层上设置有第三过孔，所述第三过孔能够将所述透明导电层暴露出来；

金属层，所述金属层填充所述第三过孔，并覆盖至少部分所述第二钝化层；

设置在所述金属层背向所述衬底基板的一侧的第二绝缘层。

基于上述背板的技术方案，本发明的第三方面提供一种检测装置，包括上述背板。

本发明提供的技术方案中，在制作完薄膜晶体管阵列层之后，先在薄膜晶体管阵列层上形成有机物层，然后对该有机物层进行构图形成第一过孔，接着在该第一过孔中沉积形成光电转换器件，使得形成的光电转换器件不仅能够与薄膜晶体管阵列层中的信号传输层连接，而且光电转换器件的侧壁能够与第一过孔的孔壁直接接触，可见，由于本发明提供的技术方案是将光电转换器件直接沉积形成在由过孔限定的指定位置中，且光电转换器件的侧壁直接与第一过孔的孔壁直接接触，因此，在光电转换器件的制作过程中，第一过孔能够对光电转换器件的侧壁起到保护的作用，不仅避免了刻蚀过程中产生的副产物附着在光电转换器件的侧壁，保证了光电转换器件具有较低的漏电流，而且，还解决了由于刻蚀不均匀带来的光电转换器件的均一性较差的问题。

因此，本发明提供的技术方案不仅制作工艺过程简单，而且，所制作的背板中光电转换器件具有较高的可靠性和良好的均一性，在将采用本发明实施例提供的制作方法制作的背板应用在xrd产品中时，更好的保证了xrd产品的生产良率。

附图说明

此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1为现有技术制作的背板中副产物附着在光电转换器件上的示意图；

图2为本发明实施例提供的背板中的光电转换器件的示意图；

图3a-图3h为本发明实施例提供的背板的制作方法的流程图。

附图标记：

1-背板，10-衬底基板，

11-薄膜晶体管阵列层，110-栅极层，

111-第一绝缘层，112-半导体层，

113-源极层，114-漏极层，

115-第一钝化层，116-第二过孔，

117-信号传输层，12-有机物层，

13-第一过孔，14-光电转换器件，

140-n型半导体层，141-本征半导体层，

142-p型半导体层，15-缓冲层，

16-透明导电层，17-第二钝化层，

18-第三过孔，19-金属层，

20-第二绝缘层，21-副产物。

具体实施方式

为了进一步说明本发明实施例提供的背板及其制作方法、检测装置，下面结合说明书附图进行详细描述。

如图1所示，现有技术中在制作背板中的光电转换器件时，在衬底基板上制作完薄膜晶体管阵列层之后，会直接在薄膜晶体管阵列层中的信号传输层117上，采用干刻工艺制作光电转换器件14，而由于信号传输层117一般采用金属材料，例如：金属钼，因此，在利用干刻工艺制作光电转换器件14时，当刻蚀到信号传输层117的表面，信号传输层117中的钼金属会因受到等离子体轰击而脱离出来，并附着在位于信号传输层117上方的光电转换器件14的侧壁和上表面，这种情况容易将光电转换器件14分别连接的信号传输层117和金属层19短路，从而导致光电转换器件14失效。

可见，采用现有技术中的制作方法制作的光电转换器件14，其侧壁和表面容易残留刻蚀产生的副产物21，这样不仅容易导致光电转换器件14的漏电流增加，而且无法保证所制作的光电转换器件14的均一性。基于上述问题的存在，本申请提供一种背板的制作方法，以更好的克服上述问题。

请参阅图2、图3a-图3h，本发明实施例提供了一种背板的制作方法，该方法包括：

步骤101，在衬底基板10上制作薄膜晶体管阵列层11，如图3e所示；

具体地，可提供一玻璃衬底基板10，在该玻璃衬底基板10上制作薄膜晶体管阵列层11，该薄膜晶体管阵列层11包括多个薄膜晶体管(图3e中仅示出一个)，薄膜晶体管用于将接收到的电信号传输至芯片中，并由芯片对该电信号进行分析。

步骤102，在薄膜晶体管阵列层11背向衬底基板10的一侧制作有机物层12，如图3f所示；

具体地，可在薄膜晶体管阵列层11背向衬底基板10的一侧沉积有机物层12，该有机物层12能够完全覆盖薄膜晶体管阵列层11。值得注意，该有机物层12可选的材料多种多样，示例性的，可选用树脂材料制作有机物层12。

步骤103，对有机物层12进行构图形成第一过孔13，第一过孔13能够将薄膜晶体管阵列层11中的信号传输层117暴露出来；

具体地，利用构图工艺，对形成在薄膜晶体管上的有机物层12进行构图，形成第一过孔13，该第一过孔13在衬底基板10上的正投影，与薄膜晶体管阵列层11中的信号传输层117在衬底基板10上的正投影至少部分重叠，以使得第一过孔13能够将薄膜晶体管阵列层11中的信号传输层117暴露出来。

步骤104，在第一过孔13中沉积形成光电转换器件14。

具体地，在完成第一过孔13的制作后，可直接在该第一过孔13中沉积形成光电转换器件14，该光电转换器件14能够与薄膜晶体管阵列层11中的信号传输层117连接，且光电转换器件14的侧壁与第一过孔13的孔壁直接接触，用于将接收到的光信号转换成电信号后，传输至薄膜晶体管阵列层11中的信号传输层117，信号传输层117再将电信号进一步传输至薄膜晶体管。

将采用本发明实施例提供的制作方法制作的背板应用在xrd检测装置中时，该xrd检测装置的具体工作过程为：

xrd检测装置中的x射线穿过待检测的物体照射到xrd检测装置中的闪烁体上，并使得闪烁体发光产生光信号，光信号经光电转换器件14转换为电信号后，传输至薄膜晶体管阵列层11中的信号传输层117，信号传输层117再通过薄膜晶体管将电信号进一步传输至xrd检测装置中的芯片，芯片通过分析接收到的电信号得到待检测的物体的影像。

本发明实施例提供的背板的制作方法中，在制作完薄膜晶体管阵列层11之后，先在薄膜晶体管阵列层11上形成有机物层12，然后对该有机物层12进行构图形成第一过孔13，接着在该第一过孔13中沉积形成光电转换器件14，使得形成的光电转换器件14不仅能够与薄膜晶体管阵列层11中的信号传输层117连接，而且光电转换器件14的侧壁能够与第一过孔13的孔壁直接接触，可见，由于本发明实施例提供的制作方法是将光电转换器件14直接沉积形成在由过孔限定的指定位置中，且光电转换器件14的侧壁与第一过孔13的孔壁直接接触，因此，在光电转换器件14的制作过程中，第一过孔13能够对光电转换器件14的侧壁起到保护的作用，不仅避免了刻蚀过程中产生的副产物附着在光电转换器件14的侧壁，保证了光电转换器件14具有较低的漏电流，而且，还解决了由于刻蚀不均匀带来的光电转换器件14的均一性较差的问题。

因此，本发明实施例提供的背板的制作方法，不仅制作工艺过程简单，而且，所制作的背板1中光电转换器件14具有较高的可靠性和良好的均一性，在将采用本发明实施例提供的制作方法制作的背板1应用在xrd产品中时，更好的保证了xrd产品的生产良率。

进一步地，上述实施例制作的光电转换器件14的具体结构多种多样，示例性的，上述光电转换器件14可具体选为pin光电二极管，当光电转换器件14为pin光电二极管时，上述步骤104中，在第一过孔13中制作光电转换器件14的步骤具体包括：

在有机物层12背向衬底基板10的一侧沉积形成n型半导体薄膜，对n型半导体薄膜进行构图，得到位于第一过孔13中的n型半导体层140；具体地，在完成第一过孔13的制作后，第一过孔13能够将薄膜晶体管阵列层11中的信号传输层117暴露出来，在有机物层12背向衬底基板10的一侧沉积形成n型半导体薄膜，该n型半导体薄膜包括沉积在第一过孔13中的部分，和位于有机物层12背向衬底基板10的一侧表面的部分，在n型半导体薄膜上制作光刻胶层，对光刻胶层进行曝光，形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应n型半导体层140所在区域，即n型半导体薄膜沉积在第一过孔13中的部分，光刻胶去除区域对应除n型半导体层140所在区域之外的其它区域，对光刻胶层进行显影，以将位于光刻胶去除区域的光刻胶层区域去除，然后通过干刻工艺刻蚀位于光刻胶去除区域的n型半导体薄膜，以将位于光刻胶去除区域的n型半导体薄膜完全去除，最后将光刻胶保留区域的光刻胶层剥离，完成位于第一过孔13中的n型半导体层140的制作。该n型半导体层112能够与信号传输层117和第一过孔13的孔壁接触，信号传输层117能够作为光电转换器件14的其中一个电极，实现将电信号传输至薄膜晶体管。

在n型半导体层140背向衬底基板10的一侧沉积形成本征半导体薄膜，对本征半导体薄膜进行构图，得到位于第一过孔13中的本征半导体层141；具体地，在制作完n型半导体层140之后，在n型半导体层140背向衬底基板10的一侧沉积形成本征半导体薄膜，该本征半导体薄膜包括沉积在第一过孔13中的部分，和位于有机物层12背向衬底基板10的一侧表面的部分，在本征半导体薄膜上制作光刻胶层，对光刻胶层进行曝光，形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应本征半导体层141所在区域，即本征半导体薄膜沉积在第一过孔13中的部分，光刻胶去除区域对应除本征半导体层141所在区域之外的其它区域，对光刻胶层进行显影，以将位于光刻胶去除区域的光刻胶层去除，然后通过干刻工艺刻蚀位于光刻胶去除区域的本征半导体薄膜，以将位于光刻胶去除区域的本征半导体薄膜完全去除，最后将光刻胶保留区域的光刻胶层剥离，完成位于第一过孔13中的本征半导体层141的制作。该本征半导体层112包括浓度很低的n型半导体，该本征半导体层112的引入，有利于缩短载流子的扩散过程。

在本征半导体层141背向衬底基板10的一侧沉积形成p型半导体薄膜，对p型半导体薄膜进行构图，得到位于第一过孔13中的p型半导体层142。具体地，在制作完本征半导体层141之后，在本征半导体层141背向衬底基板10的一侧沉积形成p型半导体薄膜，该p型半导体薄膜包括沉积在第一过孔13中的部分，和位于有机物层12背向衬底基板10的一侧表面的部分，在p型半导体薄膜上制作光刻胶层，对光刻胶层进行曝光，形成光刻胶去除区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应p型半导体层142所在区域，即p型半导体薄膜沉积在第一过孔13中的部分，光刻胶去除区域对应除p型半导体层142所在区域之外的其它区域，对光刻胶层进行显影，以将位于光刻胶去除区域的光刻胶层去除，然后通过干刻工艺刻蚀位于光刻胶去除区域的p型半导体薄膜，以将位于光刻胶去除区域的p型半导体薄膜完全去除，最后将光刻胶保留区域的光刻胶层剥离，完成位于第一过孔13中的p型半导体层142的制作。

值得注意，从上述制作光电转换器件14的过程可知，本发明实施例提供的制作方法中，形成在第一过孔13中的光电转换器件14是直接沉积形成的，在第一过孔13中没有干刻的操作，因此，最终形成在第一过孔13中的光电转换器件14的侧壁受到第一过孔13的保护，不会接触到干刻过程中的气体和等离子体，从而保证了所制作的光电转换器件14上不会附着干刻过程中产生的副产物，所制作的光电转换器件14能够具有较低的漏电流。

此外，由于pin光电二极管具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点，因此采用pin光电二极管作为背板1中光电转换器件14，使得在将背板1应用在xrd产品中时，xrd能够具有更好的工作性能。

进一步地，上述步骤101中，在衬底基板10上制作薄膜晶体管阵列层11的步骤具体包括：

在衬底基板10上制作栅极层110，如图3a所示；具体地，采用金属材料在衬底基板10上形成栅极薄膜，对栅极薄膜进行构图，形成栅极层110。

在栅极层110背向衬底基板10的一侧沉积覆盖栅极层110的第一绝缘层111，如图3b所示；具体地，在制作完栅极层110后，在栅极层110的表面沉积第一绝缘层111，该第一绝缘层111至少覆盖栅极层110，可进一步覆盖衬底基板10的全部区域。

在第一绝缘层111背向衬底基板10的一侧制作半导体层112，半导体层112在衬底基板10上的正投影与栅极层110在衬底基板10上的正投影至少部分重叠；具体地，在第一绝缘层111上沉积形成半导体薄膜，对半导体薄膜进行构图，形成半导体层112，该半导体层112在衬底基板10上的正投影与栅极层110在衬底基板10上的正投影至少部分重叠。

在半导体层112背向衬底基板10的一侧制作源极层113和漏极层114，源极层113和漏极层114相互独立，且均覆盖部分半导体层112，如图3c所示；具体地，采用金属材料在半导体层112背向衬底基板10的一侧制作金属薄膜，对该金属薄膜进行构图，形成源极层113和漏极层114，源极层113和漏极层114相互独立，且分别覆盖部分半导体层112。

制作第一钝化层115，第一钝化层115完全覆盖源极层113、漏极层114以及半导体层112的暴露部分，如图3d所示；具体地，在源极层113和漏极层114背向衬底基板10的一侧制作第一钝化层115，该第一钝化层115至少覆盖源极层113、漏极层114以及半导体层112，可进一步覆盖衬底基板10的全部区域。

对第一钝化层115进行构图形成第二过孔116，第二过孔116能够将漏极层114的至少部分暴露出来；具体地，利用构图工艺对第一钝化层115进行构图，形成第二过孔116，该第二过孔116在衬底基板10上的正投影，与漏极层114在衬底基板10上的正投影至少部分重叠，以使得第二过孔116能够将漏极层114的至少部分暴露出来。

制作信号传输层117，信号传输层117包括填充在第二过孔116中的第一部分和位于第一钝化层115背向衬底基板10的一侧表面的第二部分，如图3e所示。具体地，在完成第二过孔116的制作后，可继续采用金属材料在第一钝化层115背向衬底基板10的表面制作金属薄膜，对该金属薄膜进行构图，形成信号传输层117，该信号传输层117包括相连接的第一部分和第二部分，其中第一部分填充在第二过孔116中，第二部分位于第一钝化层115背向衬底基板10的一侧表面。

进一步地，在制作有机物层12之前，上述实施例提供的制作方法还包括：

在薄膜晶体管阵列层11背向衬底基板10的一侧制作缓冲层15；在薄膜晶体管阵列层11背向衬底基板10的一侧制作有机物层12的步骤具体包括：

在缓冲层15背向衬底基板10的一侧制作有机物层12。

具体地，在衬底基板10上制作薄膜晶体管阵列层11之后，在制作有机物层12之前，可在薄膜晶体管阵列层11背向衬底基板10的一侧制作缓冲层15，然后再在该缓冲层15背向衬底基板10的一侧制作有机物层12。

通过在薄膜晶体管阵列层11和有机物层12之间引入缓冲层15，能够使得薄膜晶体管阵列层11和有机物层12之间更好的释放应力，从而更好的提升背板1的使用寿命。

进一步地，在制作完光电转换器件14之后，上述实施例提供的制作方法还包括：

在光电转换器件14背向衬底基板10的一侧表面制作透明导电层16，如图3g所示；具体地，可采用氧化铟锡材料在光电转换器件14背向衬底基板10的一侧沉积氧化铟锡薄膜，对该氧化铟锡薄膜进行构图，形成透明导电层16。值得注意，该透明导电层16可作为光电转换器件14的另一个电极。

制作第二钝化层17，第二钝化层17覆盖有机物层12和透明导电层16；具体地，在透明导电层16背向衬底基板10的一侧制作第二钝化层17，该第二钝化层17至少覆盖有机物层12和透明导电层16，可进一步覆盖衬底基板10的全部区域。

对第二钝化层17进行构图形成第三过孔18，第三过孔18能够将透明导电层16暴露出来；具体地，利用构图工艺对第二钝化层17进行构图，在第二钝化层17上形成第三过孔18，该第三过孔18在衬底基板10上的正投影与透明导电层16在衬底基板10上的正投影至少部分重叠，以实现通过第三过孔18将透明导电层16暴露出来。

制作金属层19，金属层19填充第三过孔18，并覆盖至少部分第二钝化层17，如图3h所示；具体地，采用金属材料在第二钝化层17背向衬底基板10的一侧制作金属薄膜，对该金属薄膜进行构图，形成金属层19，金属层19包括相连接的两部分，一部分填充第三过孔18，另一部分覆盖至少部分第二钝化层17，金属层19填充在第三过孔18中的部分与透明导电层16连接，通过向金属层19施加电压，实现对光电转换器件14的驱动。

在金属层19背向衬底基板10的一侧制作第二绝缘层20。具体地，在完成金属层19的制作后，继续在金属层19上制作第二绝缘层20，该第二绝缘层20覆盖金属层19，以避免金属层19发生短路。

进一步地，在制作完第二绝缘层20后，可在第二绝缘层20上制作第四过孔，该第四过孔能够暴露出至少部分金属层19，然后通过构图工艺在第二绝缘层20背向衬底基板10的一侧制作透明的公共电极，该公共电极能够通过第四过孔与金属层19电连接，用于为金属层19提供公共电压。

本发明实施例还提供了一种背板1，采用上述实施例提供的背板1的制作方法制作，该背板1具体包括：衬底基板10；设置在衬底基板10上的薄膜晶体管阵列层11；设置在薄膜晶体管阵列层11背向衬底基板10的一侧的有机物层12，有机物层12上设置有第一过孔13，第一过孔13能够将薄膜晶体管阵列层11中的信号传输层117暴露出来；设置在第一过孔13中的光电转换器件14。

在将上述背板1应用在xrd检测装置中时，该xrd检测装置的具体工作过程为：

xrd检测装置中的x射线穿过待检测的物体照射到xrd检测装置中的闪烁体上，并使得闪烁体发光产生光信号，光信号经光电转换器件14转换为电信号后，传输至薄膜晶体管阵列层11中的信号传输层117，信号传输层117再通过薄膜晶体管将电信号进一步传输至xrd检测装置中的芯片，芯片通过分析接收到的电信号得到待检测的物体的影像。

由于本发明实施例提供的背板1采用上述实施例提供的背板1的制作方法制作，即将光电转换器件14直接沉积在有机物层12的第一过孔13中，使得形成的光电转换器件14不仅能够与薄膜晶体管阵列层11中的信号传输层117连接，而且光电转换器件14的侧壁能够与第一过孔13的孔壁直接接触，因此，本发明实施例提供的背板中，在光电转换器件14的制作过程中，第一过孔13能够对光电转换器件14的侧壁起到保护的作用，不仅避免了刻蚀过程中产生的副产物附着在光电转换器件14的侧壁，保证了光电转换器件14具有较低的漏电流，而且，还解决了由于刻蚀不均匀带来的光电转换器件的均一性较差的问题。

因此，本发明实施例提供的背板1，不仅制作工艺过程简单，而且所制作的背板1中光电转换器件14具有较高的可靠性和良好的均一性，在将本发明实施例提供的背板1应用在xrd产品中时，更好的保证了xrd产品的生产良率。

进一步地，上述实施例提供的光电转换器件14包括光电二极管，光电二极管包括沿垂直于衬底基板10的方向依次设置的n型半导体层140、本征半导体层141和p型半导体层142。

具体地，上述实施例提供的光电转换器件14的具体结构多种多样，示例性的，上述光电转换器件14可具体选为pin光电二极管，由于pin光电二极管具有结电容小、渡越时间短、灵敏度高等优点，因此采用pin光电二极管作为背板1中光电转换器件14，使得在将背板1应用在xrd产品中时，xrd能够具有更好的工作性能。

进一步地，如图3d和3e所示，上述实施例提供的薄膜晶体管阵列层11包括：

设置在衬底基板10上的栅极层110；具体地，该栅极层110可采用金属材料制作，通过构图工艺制作。

覆盖栅极层110的第一绝缘层111；具体地，该第一绝缘层111至少覆盖栅极层110，可进一步覆盖衬底基板10的全部区域。

设置在第一绝缘层111背向衬底基板10的一侧的半导体层112，半导体层112在衬底基板10上的正投影与栅极层110在衬底基板10上的正投影至少部分重叠；具体地，该半导体层112可采用半导体材料，通过构图工艺制作。

设置在半导体层112背向衬底基板10的一侧的源极层113和漏极层114，源极层113和漏极层114相互独立，且均覆盖部分半导体层112；具体地，源极层113和漏极层114可采用同种金属材料，在同一次构图工艺中制作而成。

设置在源极层113和漏极层114背向衬底基板10的一侧的第一钝化层115，第一钝化层115上设置有第二过孔116，第二过孔116能够将漏极层114的至少部分暴露出来；具体地，可通过构图工艺在第一钝化层115上制作第二过孔116，该第二过孔116在衬底基板10上的正投影，与漏极层114在衬底基板10上的正投影至少部分重叠，以使得第二过孔116能够将漏极层114的至少部分暴露出来。

信号传输层117，信号传输层117包括填充在第二过孔116中的第一部分和位于第一钝化层115背向衬底基板10的一侧表面的第二部分。具体地，可采用金属材料制作信号传输层117，该信号传输层117用于连接薄膜晶体管阵列层11中的漏电极和光电转换器件14。

进一步地，上述实施例提供的背板1还包括：

设置在薄膜晶体管阵列层11和有机物层12之间的缓冲层15；具体地，在衬底基板10上制作薄膜晶体管阵列层11之后，在制作有机物层12之前，可在薄膜晶体管阵列层11背向衬底基板10的一侧制作缓冲层15，然后再在该缓冲层15背向衬底基板10的一侧制作有机物层12。通过在薄膜晶体管阵列层11和有机物层12之间引入缓冲层15，能够使得薄膜晶体管阵列层11和有机物层12之间更好的释放应力，从而更好的提升背板1的使用寿命。

设置在光电转换器件14背向衬底基板10的一侧表面的透明导电层16；具体地，可采用氧化铟锡材料在光电转换器件14背向衬底基板10的一侧沉积氧化铟锡薄膜，对该氧化铟锡薄膜进行构图，形成透明导电层16。

覆盖有机物层12和透明导电层16的第二钝化层17，第二钝化层17上设置有第三过孔18，第三过孔18能够将透明导电层16暴露出来；具体地，该第二钝化层17至少覆盖有机物层12和透明导电层16，可进一步覆盖衬底基板10的全部区域。利用构图工艺对第二钝化层17进行构图，在第二钝化层17上形成第三过孔18，该第三过孔18在衬底基板10上的正投影与透明导电层16在衬底基板10上的正投影至少部分重叠，以实现通过第三过孔18将透明导电层16暴露出来。

金属层19，金属层19填充第三过孔18，并覆盖至少部分第二钝化层17；具体地，可采用金属材料在第二钝化层17背向衬底基板10的一侧制作金属薄膜，对该金属薄膜进行构图，形成金属层19，金属层19包括相连接的两部分，一部分填充第三过孔18，另一部分覆盖至少部分第二钝化层17，金属层19填充在第三过孔18中的部分与透明导电层16连接，通过向金属层19施加电压，实现对光电转换器件14的驱动。

设置在金属层19背向衬底基板10的一侧的第二绝缘层20。具体地，在完成金属层19的制作后，继续在金属层19上制作第二绝缘层20，该第二绝缘层20覆盖金属层19，以避免金属层19发生短路。

本发明实施例还提供了一种检测装置，包括上述实施例提供的背板。

由于上述实施例提供的背板无需通过干刻工艺来制作光电转换器件，从而很好的避免了由于干刻过程导致的副产物附着在光电转换器件表面，以及由于刻蚀不均匀带来的光电转换器件的均一性较差的问题，因此，本发明实施例提供的检测装置在包括上述背板时，不仅制作工艺过程简单，而且具有较高的可靠性和生产良率。

除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本发明所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系，当被描述对象的绝对位置改变后，则该相对位置关系也可能相应地改变。

可以理解，当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件″上″或″下″时，该元件可以″直接″位于另一元件″上″或″下″，或者可以存在中间元件。

在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。

以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。