FINFET器件、半导体器件及其形成方法与流程

技术特征：

技术总结
提供了FinFET器件及其形成方法。方法包括形成在隔离区域上方延伸的鳍。在鳍上方形成牺牲栅极。第一介电材料选择性地沉积在牺牲栅极的侧壁上以在牺牲栅极的侧壁上形成间隔件。使用牺牲栅极和间隔件作为组合掩模来图案化鳍以在鳍中形成凹槽。在凹槽中形成外延源极/漏极区。本发明的实施例还提供了半导体器件的形成方法。

技术研发人员：柯忠廷;卢柏全;李志鸿;徐志安
受保护的技术使用者：台湾积体电路制造股份有限公司
技术研发日：2018.08.13
技术公布日：2019.04.05