技术特征：
技术总结
一种制造半导体器件的方法包括通过热处理来降低在CZ半导体本体的第一部分中的氧浓度。该第一部分邻接半导体本体的第一表面。在第一表面处处理半导体本体。通过在与第一表面相对的第二表面处使半导体本体变薄来降低半导体本体的厚度。此后，由通过第二表面的质子注入和半导体本体的退火来在半导体本体中形成场停止区域。该场停止区域延伸到CZ半导体本体的第一部分中。
技术研发人员：H.厄夫纳;H-J.舒尔策;A.苏西蒂;T.韦本
受保护的技术使用者：英飞凌科技股份有限公司
技术研发日：2018.08.17
技术公布日：2019.03.01