技术特征：
技术总结
本发明公开了一种深沟槽隔离的制造方法，包括步骤：步骤一、在硅衬底表面形成衬垫氧化层和第一氮化层；步骤二、进行浅沟槽的光刻并进行刻蚀形成浅沟槽；步骤三、形成第二氧化层组成硬质掩膜层并将浅沟槽完全填充；步骤四、进行深沟槽的光刻并进行刻蚀形成深沟槽，在横向上深沟槽位于浅沟槽内部，在纵向上深沟槽的深度大于浅沟槽的深度；步骤五、在深沟槽中填充隔离介质层；步骤六、对隔离介质层进行回刻，采用化学机械研磨工艺进行平坦化，去除第一氮化层和所述衬垫氧化层，由填充于深沟槽中的隔离介质层组成深沟槽隔离结构。本发明能形成质量良好的深沟槽隔离并得到较深的深沟槽隔离，有利于缩小器件的尺寸。
技术研发人员：李娜
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2018.08.20
技术公布日：2019.01.08